几种不同形状导体表面的电荷面密度

对无限大导体表面，楔形导体表面，半圆柱形凸起表面电荷面密度进行了具体的计算，结果表明在静电平衡的条件下导体表面虽曲率相同，但表面电荷面密度却可以不同．     

外场激励下架空线响应分布规律的概率分析

 应用蒙特卡罗法和传输线耦合响应计算公式分析了瞬态外场激励下传输线耦合响应的分布规律。分析对象为二导体架空线和以大地为回路的多导体架空线。分析中将电磁波的入射参数,包括极化角、入射角和方位角作为一组随机变量,并由计算机随机产生。应用瞬态外场激励下二导体传输线终端耦合响应的解析公式和多导体传输线节点导纳方程分别分析端接传输线耦合电流和耦合电压响应绝对值的峰值,并得出响应的概率分布曲线。当传输线入射参数在［0,π/2］范围内变化时,对于二导体架空线终端电流而言,随着终端端接电阻的不同,架空线近端与远端的电流响应绝对值峰值的概率分布曲线不同。对于共地三导体架空线来说,在接相同端接电阻的情况下,远端高电压分布概率大于近端的分布概率,中间导体近远两端在高电压区域分布概率要比两边导体低。     

关于两个导体球间的电容问题

本文利用镜像法,计算了两相互接触的带电导体球的电容.接着再用镜像法计算两相距一定距离的具有相同半径的导体球间的电容,且其极限情况与已知结果相同.然后用Matlab对结果进行了数值分析.     

多导体传输线高频场线耦合渐近法分析

基于理想地面上单导体传输线渐近法,提出了改进的多导体传输线渐近法。与已有多导体传输线渐近法相比,所提方法步骤简单,求解效率高。利用所提方法计算电磁波与不同结构多导体传输线网络之间的耦合,结果与全波分析方法计算结果吻合很好。在此基础上,分析了多导体传输线导线间距对沿线感应电流的影响。结果表明,随着导线间距变化,矩形网络和平行网络沿线感应电流波形变化趋势不同,且当间距大于一个波长后,平行网络和理想地面上相同结构的单导线具有相同的沿线感应电流。     

雷电电磁脉冲对架空电力线的耦合效应

 从传输线模型出发,通过建立雷电回击通道、大地和电力线系统一体化模型,采用时域有限差分法计算得出雷电回击电流的近场分布,将场值代入离散的传输线方程后,计算了架空电力线终端的感应过电压。通过对多导体架空线和单导体线终端感应过电压的分析,发现由于其它导体的存在,多导体系统中单根导体两端的感应电压峰值比相同高度处单一导体两端的感应电压峰值低10%～20%;并且对于垂直导体结构,最小感应电压产生在距离地面最近的导体上;而对于水平导体结构,最小感应电压产生在中间导体上。     

思考题（二）参考答案

思考题（二）参考答案（原题见本刊１９９３年第３期）一．解：１在串联电路中，通过各段导体的电流强度相同，均为Ｉ。２两截导体中电流密度之比为：３在这两截导体中的电压关系为依题意可知两截铝棒的体积相同，故有：二．解：这两个叙述不矛盾。对非线性电组，加上电压...     

对静电场中导体表面的电场强度的研究

在研究导体在外电场中感应产生感应电荷达到静电平衡状态时，导体表面的电荷分布与表面曲率和外电场分布情况有关，然而导体表面上的电场强度究竟由什么决定?是同导体内的电场强度即为零还是等于导体外周围附近的电场强度即为σ/ε0？还是既不等于零也不等于σ/ε0，而是由其他因素决定。     

趋肤效应的一种解释

福里斯、季莫列娃的《普通物理学》对趋肤效应的解释是不正确的.如图1所示:i表示通过导体的交变电流.ib表示如图所示的闭合回路里的感应电流.图1中所表示的是交变电流i正在增长时的情况.结果,在导体中心处i和ib这两个电流方向相反,电流被减弱.在导体表面处两个电流方向相同,电流得到加强.表面处的电流大于中心处的电流. 按照这种解释,则当导体中的交变电流i衰减时,导体中心处的电流将得到加强,而表面处的电流将被减弱.这样,在交变电流的一个全周期内,无论在导体的表面或中心,电流加强和减弱的机会均等,效果相同,也就无所谓趋肤了.可见福里斯…     

均匀外电场中的一般椭球形导体

根据一个均匀极化的一般椭球形电介质表面的极化电荷的分布规律与一个处在均匀外电场中具有相同形状的导体椭球表面上感应电荷的分布规律的相似性,通过先求出均匀极化椭球表面上极化电荷的分布规律,然后用类比的方法给出了一个处在均匀外电场中具有相同形状的一般椭球形导体表面上电荷的分布规律。     

低电压冲击片雷管设计

采用Lee提出的FIRESET模型，对金属电爆炸过程进行数值模拟，在FIRESET模型中，主要用了4个特征参量来描述导体电阻变化率，分别是导体爆炸后电阻率A；爆炸时电阻率峰值B；爆炸时电阻率峰值宽度S0；导体爆炸时比作用量G0。     

NbTi CICC导体横向机械性能分析

超导导体的力学性能是决定导体载流性能的重要影响因素之一,构成超导磁体的超导电缆在运行过程中受电磁力、热应力的作用,会导致其内部超导线产生应变,进而影响其载流性能和交流损耗,因此研究电磁循环载荷对超导电缆的影响有着重要的意义。对国际热核聚变实验堆中极向场线圈中Nb Ti超导导体进行机械压缩实验,并从形变量、弹性模量、弹性功等方面,对其机械强度进行分析。该方法可以在不进行电磁循环测试的情况下快速判断导体机械性能,为导体设计提供初步性能评判依据。结果显示,PF1-6NbTi超导导体相对于测试的其他PF导体在相同工况下,累积形变量与最大形变量更小。通过进一步对导体结构设计进行对比分析,发现低空隙率以及短节距绞线可以有效提高电缆机械性能。     

高温超导体磁通钉扎和磁通动力学研究简介

ψ=ψ0eiφ行为用统一的波函数进行描述,其相位φ在宏观尺度上是相同的.当磁场低于一定值的时候,在超Φ0=h/2e保证最大的界面面积,降低系统能量.该最小的磁通束被称为磁通量子,其磁通量是(h为普朗克超导态是一个宏观量子相干态,其载流子是库珀对.在没有外加磁场和电流的时候,这些库珀对的运动导体的边界处穿透深度内会出现一...     

任意形状带电导体表面的场强

 一、导体表面的实际场强静电平衡状态下任意形状带电导体的电荷一定分布在导体表面,实际的电荷层厚度不可能为零。带电导体表面的场强,是对电荷层外表面而言的。用高斯定理求解导体表面的场强时,要么承认电荷层有厚度,考察点可以贴着导体表面,也可以在导体外并无限接近表面;要么把电荷层当作厚度为零的面电荷,则考察点必须在导体外并无限接近导体表面。这两种思维方式都是为了过考察点做平行于表面的高斯面时,把考察点附近区域的电荷置于高斯面内,二者对求解导体表面的实际场强是等价的。当考察点处电荷面密度为σ,可得该处表面场强大小E=σε0,方向垂直于该处的表面(σ电性为正时向外,为负时向内)。     

金属封装内冷型高温复合超导体电磁特性的有限元分析

基于工程化高温超导带材的内冷型复合超导体电磁特性受磁场各向异性影响较大,采用有限元方法分析了内冷型复合超导体的电磁特性。利用COMSOL Multiphysics建立了基于商品化高温超导带材的金属封装内冷型高温复合导体的有限元计算模型,并对其进行电磁仿真分析,得到了内冷型复合超导体的磁场分布,应用高温超导材料在磁场下的Jc-B曲线关系,获得内冷型复合导体在77K液氮温区下临界电流受磁场影响的变化规律。采用电场强度与电流密度进行面积分的方法,计算得到了不同频率、不同通流下内冷型复合导体的交流损耗情况,计算表明,相同频率下交流损耗随激励电流的增大而增大,相同激励电流条件下交流损耗与通流频率成正比关系。     

电流的热效应

电流通过导体时所生之热量Q与电流强度I,异体的电阻R和通电时間t之間的关系,用焦耳——楞次定律来表示即: Q=0.24I~2Rt (1) 从(1)式可知在电流强度I相同(如串联的两根电阻线)的情况下,导体生之热与本身的电阻成正比。设R_1与R_2表示两根电阻不同的导线的电阻,当它們串联(图1)时在相同时間內生之热量分別为:     

横向磁场中超导体感应电动势的计算

本文利用超导经典电磁理论，导出了超导体在横向磁场中切割磁感应线时感应电动势的计算公式，结果表明，与计算通常导体感应电动势的公式相同．     

如何正确运用介电常数处理导电介质电动力学问题

在我国电动力学教材中关于导体存在时电磁波传播的讨论,绝大多数是从绝缘介质入手,然后借助电导率引入复介电常数来描述导体中电磁波的传播特性.这样的处理使得导体中电磁波传播波动方程形式与绝缘介质完全一致.然而不少教材在相关章节忽视了对这里复介电常数物理涵义的剖析,容易让学生误以为这里引入的复介电常数即是金属导体在ω≠0情况下所表现出来的电磁性质;其次,大部分教材混淆了良电导介质和金属导体对电磁波高反射特性在机理上的差异.本文中作者对采用复介电常数处理导体电动力学相关问题做一些分析,并提出一些建议,供同行在教学中参考.     

变与不变的统一——2009年全国高考理综Ⅰ卷第24题之剖析

1 题目源于1985年苏联物理竞赛题 首先请看1985年苏联物理竞赛题目：为了使一圆柱形导体棒电阻不随温度变化，可将两根截面积相同的碳棒和铁棒串联起来，     

铝箔验电器的制作

1.导体制作:用直径1毫米左右的铜丝或镀锌铁丝,穿入塑料瓶盖中心孔内(如图1),上端弯一圆环,中间凸出二个半圆环,下端弯两个位置相对形状相同的等腰三角形环。弯制时,导体两端要锉圆且弯回贴着导体,以防尖端放电。2.直角铝箔制作:将包装卷烟铝箔放入水中浸泡,刷去纸面,裁剪成图2中(a)所示形状,再折成直角,弯好挂钩,如图2     

配合物型分子导体（PyH）［Ni（dmit）2］2的能带结构及其导电性

采用EHMO紧束缚方法计算了配合物型分子导体 (PyH) [Ni(dmit) 2 ] 2 二维阴离子导电层中相邻两 [Ni(dmit) 2 ] - 0 .5 的HOMO轨道的重叠积分 ,并进行了二维能带计算 .计算结果与其单晶变温电导率测试结果一致 ,表明该配合物型分子导体为窄能隙半导体 .在能带计算基础上讨论了该类分子导体导电性与结构的关系 .分子导体的晶体结构对其能带结构和导电性能影响极大 ,分子柱的均匀化 (包括沿分子轴方向的错动尽可能小和面间距均一 )以及小的导电组元分子面间距是有利于增加分子导体的导电性的结构因素