如何选择金属化锌铝膜的方阻值

金属化聚丙烯电容器采用锌铝金属化层，金属化锌铝膜的方阻值选择要从材料、工艺、金属化层结构等方面考虑。根据锌铝膜电容器的主要用途，其最佳方阻值为４．０＋０．５－１．０Ω／□     

提高锌铝金属化膜抗氧化能力的研究

基于锌铝金属化膜的氧化机理,分析了影响其氧化的多种因素,研究了温度、湿度、方阻值和铝含量对锌铝金属化膜抗氧化能力的影响。结果发现:根据产品要求,提高铝质量分数至7%～8%,并降低方阻至6～8Ω/□,当存储条件为25℃左右,相对湿度60%以下时,锌铝金属化膜的抗氧化能力较佳,达到存储周期超过60d的较高水平。     

薄膜电容器的发展方向

介绍高真空电容镀膜的新发展及趋势,指出并论述了薄膜电容器发展的三个方向。     

有机薄膜电容器的金属化电极

由于用金属膜作电极的电容器比用金属箔者有很大的优越性,所以近年来在有机薄膜的金属化方面有很多进展。本文系统地论述这些进展。     

金属化薄膜电容器自愈性分析

使用金属化薄膜通过卷绕、热压、喷金、真空浸漆、分选等工序生产的电容器就是金属化薄膜电容器。根据其生产材料不同又分为金属化聚酯薄膜电容器和金属化聚丙烯薄膜电容器。该文介绍了金属化薄膜电容器的结构、生产流程、性能指标,并对金属化薄膜电容器的自愈性进行了分析,论述了影响金属化薄膜电容器自愈性的内部因素和外部因素,根据生产现状提出了工艺改进措施。     

金属化薄膜电容器电容量衰减的解决方案

针对抑制电磁干扰和降压用金属化薄膜电容器工作一段时间后容量不正常衰减的问题,通过样品解剖和理论分析,收集不同试验条件下的数据,发现金属化薄膜层间空气和封装方式导致容量不正常衰减.将热聚合温度从85℃提高到120℃,选用高温环氧树脂封装,可使所制金属化薄膜电容器在使用过程中电容量衰减小于1％,保证了电子产品在寿命周期内的...     

节能灯用金属化薄膜电容器脉冲能力研究

节能灯用金属化薄膜电容器受电流冲击大,通过分析流过金属化薄膜电容器的脉冲电流、dv/dt,提出影响金属化薄膜电容器脉冲能力的因素,在设计上提出了提高金属化薄膜电容器脉冲能力的途径,采用小间距边缘加厚波浪边的铝金属化膜,喷涂金属铝作为金属化电极的过渡层,可以大幅度提高金属化薄膜电容器的抗脉冲能力。     

铝基（复合介质）高频板孔金属化技术

本文介绍了铝基(复合介质)微波板孔金属化的工艺流程、工艺参数以及可能遇到的问题和解决方案。     

金属化有机薄膜电容器的自愈问题

金属化有机薄膜电容器的最大特点就是它可以自愈,从而具有较高的可靠性。但是有关自愈的问题比较复杂,且至今研究得并不透彻。故本文给以系统性讨论。     

抗干扰用MKP型金属化聚丙烯薄膜电容器的tgd

以X2类MKP型金属化聚丙烯薄膜电容器为例分析了影响该类电容器tgd 的主要因素。指出薄膜的方阻大小、芯子的错边、喷金粒子的大小、喷金前芯子端面上的灰尘是导致电容器芯子在经过赋能、成品耐电压试验、脉冲电压试验后tgd 变大的主要原因。在这类电容器制造过程中应严格控制这些因素。     

氮化铝基板薄膜金属化技术

氮化铝陶瓷由于具有热导率高等一系列综合优势。在电力电子及功率微电子技术中具有巨大的应用潜力，目前ＡｌＮ基板应用的关键是金属化技术。本文介绍了ＡｌＮ薄膜金属化技术的特点及可靠性测试情况。     

提高金属化薄膜电容器动态性能的有效途径

通过对金属化薄膜电容器电性能特别是损耗的机理分析 ,总结生产工艺对其性能的影响 ,提出改变热压聚合工艺参数和热压聚合方法 ,采用高压短路放电 ,高频下测 tgδ变化值 ,改善金属化薄膜电容器的动态性能     

金属化薄膜电容器

在SNEC(2012)第六届上海国际太阳能光伏展上,集团成员爱普科斯(EPCOS)展示了面向光伏产业的多种元器件,     

金属化电容器的自愈特性

介绍了金属化有机薄膜电容器的自愈特性,阐述了电容器自愈同工作电压和金属膜厚度的大致关系,以及提高金属化膜电容器耐压的办法。     

AlN基片的薄膜金属化

讨论了ＡｌＮ基片的薄膜金属化。通过试验,确定了有效的清洗方法及优化溅射参数。实验证明,ＴｉＷ－Ａｕ 是ＡｌＮ的优良金属化体系。ＡｌＮ材料经激光划片后出现导电物质, 经稀盐酸处理可去掉导电物质