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相似文献
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1.
采用基于第一原理的含时密度泛函理论(TDDFT)对一系列具有类立方烷簇芯结构的过渡金属簇合物二阶非线性光学性质进行了研究。结果证明, 由于簇芯结构的对称性的影响, 这一类簇分子的二阶非线性光学系数的数值要小于三核欠完整类立方烷体系。通过对电子结构的分析, 发现二阶非线性光学性质主要是由簇芯内电荷的迁移造成的。轨道分析显示, -S原子对于电荷的迁移起主要的传递作用。定域化轨道分析证明簇分子中存在的多中心键有利于簇芯内电荷的迁移。分子模拟的研究表明:虽然类立方烷结构簇分子的值比较小, 但是通过合理的配体设计, 获得具有较大值非线性光学晶体是可能的。  相似文献   

2.
潘荧  刘彩萍  曾宝珊  李巧红  吴克琛 《化学学报》2006,64(20):2039-2045
运用TDDFT B3LYP/LanL2DZ方法, 研究了一类具有非中心对称的五核平面开口构型过渡金属原子簇化合物[MoS4Cu4(py)6X2] (X=Br, I)的电子吸收光谱和静态二阶非线性极化率, 估算了晶体的宏观二阶非线性光学系数. 电子吸收光谱的计算结果与实验测量结果比较符合; 碘系簇合物的静态二阶非线性极化率大于溴系. 详细讨论了该类金属簇合物电子吸收光谱的归属及其相关联的电子跃迁方式; 在微观水平上阐述了其二阶非线性光学性质的起源. 研究结果表明外围无机卤素配体4p/5p轨道到簇芯[MoS4]杂化轨道的电子转移对静态二阶非线性极化率的贡献大于有机配体的贡献; 而过渡金属簇芯内的电子转移也有较大的贡献. 这对于理解过渡金属原子簇化合物内的电子转移对光学激发的作用以及用来设计新的无机-有机杂化二阶非线性光学材料有较大的帮助.  相似文献   

3.
蔡静  曾薇  李权  骆开均  赵可清 《化学学报》2009,67(20):2301-2308
使用含时密度泛函理论(TDDFT)B3LYP方法计算了IB, IIB, VIIIB过渡金属与8-羟基喹啉络合(MQ)后, 配合物的电子光谱以及二阶非线性光学性质. 结果表明, 掺杂过渡金属后, 形成络合物的能隙值减小100~150 kJ/mol, 最大吸收波长红移150~200 nm左右. 电子从基态到激发态的跃迁主要为p→p*, n→p*跃迁, 属于LLCT, MLCT过程. IB的络合物MQ以及VIIIB的络合物MQ3表现出良好的非线性光学性质.  相似文献   

4.
利用密度泛函理论(DFT)方法研究了[Mo6O19]2-修饰的单壁碳纳米管的非线性光学(NLO)性质. 结果表明, [Mo6O19]2-修饰的单壁碳纳米管作为特殊的有机-无机杂化体系, 具有显著的二阶非线性光学响应. 通过调整[Mo6O19]2-与纳米管之间的角度, 体系的稳定性显示出规律性的变化趋势, 且二阶NLO响应发生了变化. 对静场二阶极化率(βvec)有主要贡献的电子跃迁特征表明, [Mo6O19]2-与碳纳米管之间角度的改变影响了分子内的给受体特征. 当角度达到30°时, 化合物显示出最大的βvec值, 此时杂多阴离子簇为电子受体, 而碳纳米管为电子给体. 此外, 在碳纳米管的端位连接电子给体(如氨基)可有效地增大βvec值.  相似文献   

5.
采用含时密度泛函理论方法(TDDFT)计算了IB族过渡金属及第5周期的金属杂化偶氮苯生色团的二阶非线性光学极化率。研究了金属杂化偶氮苯生色团的电子激发跃迁。结果表明, 与金属离子络合后的杂化偶氮苯生色团, 二阶非线性光学极化率明显改变, 是金属的推拉电子效应的结果。IB族金属的在原有机偶氮苯共轭体系的电荷转移方向的强拉电子效应, 增大了电荷转移范围, 使二阶非线性光学极化率增大。与Nb络合的杂化生色团, 沿原电荷转移相反的方向拉动电荷, 电荷转移跃迁局限于金属离子附近, 未能产生大的激发跃迁偶极矩, 体系的二阶非线性光学响应因而降低。激发跃迁能量是另一个主要影响因素, 同一类跃迁中, 金属杂化生色团的跃迁能量越低, 其二阶非线性光学响应就越大。络合Rh的生色团与Nb杂化生色团类似, 电荷转移跃迁范围都比较小, 同时由于Rh与羧基结合时几乎垂直羧基平面, 电荷同时沿X, Y方向转移跃迁, 属于二维电荷转移类型。  相似文献   

6.
采用密度泛函理论(DFT) B3LYP方法,对8个吡啶二亚胺配合物的几何结构、电子光谱和二阶非线性光学(NLO)性质进行了计算和分析.结果表明,配合物的极化率受副配体和中心金属离子的影响不大,副配体对配合物二阶NLO系数的影响也不明显.随金属离子d电子数的增加,配合物二阶NLO系数(β)有所减小,同一族金属离子随半径增大,其配合物相应的βtot值增加.配合物中的金属离子起到供电子作用时,配合物最大振子强度下的跃迁能较小,其相应的βtot值较大.  相似文献   

7.
赵岷  张元  王璐 《物理化学学报》2011,27(3):584-588
采用密度泛函理论B3LYP/6-31G*方法, 对一系列含咔唑生色团的有机芳香杂环分子进行结构优化, 并采用有限场(FF)和含时密度泛函理论(TD-DFT)方法在6-311G**水平上探讨了体系的二阶非线性光学(NLO)性质和电子光谱. 结果表明, 咔唑取代基推或拉电子能力的改变和引入芳香杂环对研究分子的极化率α和二阶NLO系数β值都有较大影响. 当取代基分别连有拉电子硝基和推电子羟基, 以及引入呋喃杂环都可以使体系分子的β值随分子的最大吸收波长λmax的增大而减小(蓝移). 该系列化合物兼具有很大的二阶非线性响应与良好的透光范围, 避免了“非线性-透光性”矛盾, 可能在非线性材料领域中有很大的潜在应用价值.  相似文献   

8.
陈先凯  陈俊蓉  李权  赵可清 《有机化学》2008,28(6):1050-1054
在密度泛函理论B3LYP/6-31G*水平上计算对苯二甲酸二苯酯类液晶化合物分子的几何结构、振动光谱、电子光谱和非线性光学性质, 分析讨论端接基对其光谱与非线性光学性质的影响. 结果表明, 端接基的引入对该类分子的几何结构影响不大. 烷氧基的链长对分子振动光谱的影响很小, 端基引入CN时, C=O的伸缩振动频率蓝移9 cm-1. TD-DFT计算表明, 最大吸收光谱源于分子中HOMO→LUMO的p→p*跃迁, 对应的最大吸收波长值在313~375 nm之间, 属于紫外区. 端接强供电子基团可以提高分子的二阶非线性光学性质.  相似文献   

9.
采用密度泛函理论(DFT)B3LYP方法,对含二茂铁双Schiff碱配体及其Ni(Ⅱ)配合物的几何构型进行优化.在得到稳定构型的基础上,采用含时密度泛函理论(TD-DFT)的B3LYP方法计算了配合物的电子光谱,并结合有限场(FF)方法研究了配体和配合物的极化率和二阶非线性光学(NLO)性质.结果表明,配体中引入Ni(...  相似文献   

10.
采用密度泛函理论(DFT)方法对卟啉-碳硼烷-硼亚甲基二吡咯(BODIPY)三元化合物的几何结构、 吸收光谱及二阶非线性光学(NLO)特性进行计算分析. 结果表明, V型化合物的静态第一超极化率(βtot)大于相应直线型化合物, 且延长共轭链可提高体系的βtot. 分析体系的电子密度差分图得出, 化合物氧化还原态的电荷转移方式与本征态相比发生了改变, 从而使其二阶NLO性质发生明显变化. 含频第一超极化率计算结果表明, 在一定范围内频率对化合物有较小的色散效应. 因此, 通过延长二维化合物的共轭链及氧化还原反应, 可以有效调控其二阶NLO响应.  相似文献   

11.
采用MP2方法优化得到Li(HF)n(n=2~4)体系的三个环型结构. 使用高水平的从头算方法MP2/6-311++G(3df,3pd)计算了它们的偶极矩μ0、极化率α0和一阶超极化率β0. 得出了大的一阶超极化率的变化规律, 并揭示出额外电子是引起大一阶超极化率的主要原因.  相似文献   

12.
A series of tri-nuclear transition metal clusters with incomplete cubane-like configurations have been studied by TDDFT method. The calculations show that they have enormously large second-order polarizabilities () and are potential nonlinear optical materials for infrared double frequency conversion1. In this paper some tetra-nuclear transition metal clusters with cubane-like configurations, MCu3X4 (PPh3)3 (M=W, Mo; X= S, O, Cl, Se, Br), were studied by TDDFT method for a reference…  相似文献   

13.
1 INTRODUCTION II-VI semiconductor materials with ZnO as the representative possess wide forbidden gaps and high exciton binding energy, which have paved the way for the study of exciton characters and short wave photo-conducting devices. They present wide appli- cations, such as ultraviolet laser transmitting device, piezoelectric device, optical waveguild and high efficient quantum dot luminous apparatus[1~8]. Re- cently, II-VI semiconductor cluster materials with nano-structure ha…  相似文献   

14.
偶氮系列分子二阶非线性光学性质的理论研究   总被引:16,自引:1,他引:16  
在AM1和ZINDO方法基础上,按完全态求和公式编制了计算分子二阶非线性光学系数βijk的程序,并对偶氮系列分子的二阶非线性光学性质进行系统的理论研究。研究取代基变化时β变化的规律性,并在微观上给予解释,最后设计出非线性光学系数较大的分子。  相似文献   

15.
In this work, we report a theoretical exploration of the responses of organic azobenzene dendrimers. The polarizabilities, the first and second hyperpolarizabilities of the azobenzene monomers (GO), and the first, second and third generation (G1, G2 and G3, respectively) are investigated by semi-empirical methods. The calculated results show that the nonlinear optical (NLO) properties of these organic dendrimers are mainly determined by the azobenzene chromospheres. Additionally, the values oft and y increase almost in proportion to the number of chromophores. On the other hand, two types of transition metal hybrid azobenzene dendrimers (core-hybrid and branch-end hybrid according to the sites combined with transition metals) are simulated and discussed in detail in the framework of time-dependent density functional theory (TDDFT). The calculated results reveal that the NLO responses of these metal dendrimers distinctly varied as a result of altering the charge transfer transition scale and the excitation energies.  相似文献   

16.
We report on the optical properties (absorption, Raman response) of thin and ultrathin phthalocyanine and amorphous silicon films with incorporated noble metal clusters. The metal clusters cause the typical absorption features originating from their surface plasmon resonance. In ultrathin films, due to the spatially close interface, the plasmon absorption may be displaced from its resonance frequency in the bulk, and its average position may be controlled by the average thickness of the ultrathin optical film. For example, we observe a shift of the plasmon resonance of silver clusters in amorphous silicon films (on fused silica) from 440 nm to 740 nm, when the silicon thickness increases from zero up to 9 nm. The deposition experiments are accompanied by investigations of the film structure, particularly in order to estimate the silver cluster diameter, which is around 3 nm or less.  相似文献   

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