Ce, Y-TZP陶瓷的内耗峰和介电损耗峰机制

测量了淬火前后8Ce，0．5Y-TZP陶瓷（稳定剂Y2O3的摩尔分数为0．50％）在室温到250℃温度范围内的内耗行为，并对出现的内耗峰机理进行了研究，发现淬火前后的样品在100℃左右均出现的内耗峰与YZr，VOE偶极子的再取向有关，而淬火后样品出现的高温内耗峰起源于马氏体相变。此外，本文还研究了8Ce，0．5Y-TZP和8Ce，0．75Y-TZP陶瓷在室温到400℃温度范围内的介电损耗，计算了介电驰豫的激活能，结果表明与内耗试验中机械驰豫的激活能一致。     

与位错和点缺陷的交互作用有关的低温内耗峰

系统研究了出现在经冷加工处理的Al-Mg固溶体中的低温内耗峰。当测量频率约为1Hz时,分别在-70℃(P_L2峰)和-50℃(P_L1峰)观察到了两个内耗峰。详细研究了镁(Mg)含量,冷加工量,冷加工模式,不同合金元素(Ga,Zn),退火等诸因素对这两个内耗峰的出现及特性的影响。得出了P_L2峰与位错和“Mg原子-双空位”对的交互作用有关以及P_L1峰与位错和“Mg原子-单空位”对的交互作用有关的结论。 关键词：     

石墨颗粒/CuAlMn形状记忆合金复合材料中的位错内耗峰

利用渗流技术制备出了以石墨颗粒为阻尼增强相、以Cu-11.9Al-2.5Mn(wt%)形状记忆合金为基体的复合材料，对该合金的内耗行为进行了研究. 在淬火态样品的内耗-温度曲线上观察到两个内耗峰，分别位于240 ℃和370 ℃附近. 对其中低温峰的变化规律和机理进行了研究. 实验发现，低温峰仅在复合材料中出现，峰位与频率无关，峰高随频率升高而上升；随升温速率增加，峰高增加，峰位移向高温；随石墨颗粒体积分数增加，峰高增加；经多次热循环后该内耗峰消失. 由以上特征和微观观察，可以证明该峰起因于外加交变应力与位错的相互作用.     

位错芯区扩散引起的非线性滞弹性内耗峰

若干年来,我们对于出现在Al-Cu和Al-Mg系中的表现正常和反常振幅效应的坐落在室温附近的内耗峰进行了系统研究,测得的激活能接近于溶质原子在位错管道中扩散的激活能，从而认为内耗峰的基本过程是溶质原子在隹错芯内的扩散，并且提出了根据位错弯结模型的物理图像。在70年代，Windler-Gniewek等根据弦模型对于位错芯内的扩散进行了理论计算，推导出描述内耗行为的数学表达式与我们的实验结果有许多相似之处。本文对于弦模型和弯结模型进行了对比，分析了位错芯内的纵向扩散和横向扩散所引起的内耗的非线性表现以及内耗峰温和峰高随着应变振幅和测量温度而变化的情况，进一步了我们发现的室温非线性内耗峰（非线性滞弹性内耗）是由于溶质原子在位错芯内扩散所引起的。 关键词：     

Cu-13.9Al-4Ni合金的热弹性马氏体相变内耗峰

采用不完全相变内耗测量法研究了Cu-13.9Al-4Ni合金在热弹性马氏体相变时其相变内耗峰与外界变量的依赖关系.当测量频率较低时,完全相变法所测量的单一内耗峰被成功分解成双峰,即高温内耗峰和低温内耗峰.低温内耗峰位置对应于相对动力学模量的最小值,高温内耗峰则对应于相对动力学模量的拐点位置,且呈现出明显的反常振幅效应.     

液晶苯酚酯相变内耗峰与振动频率的相关性

采用低频内耗方法，在强迫振动模式下研究了液晶苯酚酯材料相变过程内耗峰与振动频率之间的相关性.由一个简单的粘弹性的Maxwell模型出发，推导了在强迫振动模式下内耗峰的峰高与频率的关系式.从理论上得出了内耗峰高与振动频率之间的非线性关系.实验数据拟合的结果很好地符合这一关系式.这表明内耗峰随频率的变化规律是由振动系统本身的特征决定. 关键词：     

快冷Fe_(71)Al_(29)合金中的两个内耗峰

用一个计算机控制的倒扭摆研究了快冷Fe71 Al2 9合金中的两个内耗峰 .在快冷的Fe71 Al2 9样品中分别在 180℃(P1 ) ,340℃ (P2 )和 5 10℃ (P3)出现了内耗峰 ,而在慢冷的Fe71 Al2 9样品中只发现了P3峰 .快冷样品中的P1 和P2峰在从 6 5 0℃冷却下来的测量过程中或在 35 0℃经过较长时间的时效后消失 ,其峰高随时效时间的增加而下降 ,直至消失 .P1 和P2 峰都有弛豫特征 ,它们的激活能分别为 :H1 =1.0 3± 0 .0 8eV(P1 峰 ) ;H2 =1.6 4± 0 .0 5eV(P2 峰 ) .P1 峰被认为是无序合金中Al原子在四面体点阵内的最近邻运动所引起 ,P2 峰则是无序合金中Al原子在四面体点阵内的次近邻运动所引起     

快冷Fe71Al29合金中的两个内耗峰

用一个计算机控制的倒扭摆研究了快冷Fe71Al29合金中的两个内耗峰.在快冷的Fe71Al29样品中分别在180℃(P1)，340 ℃(P2)和510℃(P3)出现了内耗峰，而在慢冷的Fe71Al29样品中只发现了P3峰.快冷样品中的P1和P2峰在从650℃冷却下来的测量过程中或在350℃经过较长时间的时效后消失，其峰高随时效时间的增加 而下降，直至消失.P1和P2峰都有弛豫特征，它们的激活能分别为：H1=1．03±0．08eV(P1峰)；H2=1．64±0．05eV(P2峰).P1峰被认为是无序合金中Al原子在四面体点阵内的最近邻运动所引起，P2峰则是无序合金中Al原子在四面体点阵内的次近邻运动所引起. 关键词： Fe-Al合金 内耗     

ZnO压敏陶瓷介电损耗的温度谱研究

利用Novocontrol宽频介电谱仪在-100—20 ℃温度范围内测量了ZnO-Bi₂O₃系压敏陶瓷的介电频谱,其频率范围为10^-2—10⁶ Hz. 研究表明： ZnO压敏陶瓷特征损耗峰的活化能分别为0.26和0.36 eV,结合实验条件、理论计算结果及其他现象的分析排除了特征损耗峰源于阴极电子注入、夹层极化和偶极子转向极化的可能.热刺激电流（TSC）谱共出现三个峰,其中高温峰对应于TSC实验加压过程引入的热离子极化,而中温峰和低温峰对应于介电损耗峰. 在分析的基础上,提出了ZnO压敏陶瓷的特征损耗峰起源于耗尽层内本征缺陷的电子弛豫过程. 关键词： ZnO压敏陶瓷 本征缺陷 介电谱 热刺激电流     

低应力振幅下非线性滞弹性内耗峰(P′1峰)的数值分析

通过差分方法，对在位错弯结气团模型的基础上推导出来的溶质原子在位错芯区内的纵向扩散方程，进行了数值求解，由此计算出了与P′₁峰相应的内耗和横量亏损随温度和振幅的变化曲线．数值计算得到的内耗曲线与以前的实验曲线，无论在外观形态上，还是在移动规律上，都完全一样．这样就从定量上解释了P′₁峰 关键词：     

高Tc氧化物La2CuO4+δ低频弛豫内耗峰的激活能研究

采用全自动多功能内耗测试仪（ＭＦＩＦＡ），对高Ｔｃ氧化物Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ的低频内耗作了细致的研究。发现Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ在１６０Ｋ－４３０Ｋ温区有三个弛豫峰ｐ１、ｐ２、ｐ３，并由变频实验求出它们的驰豫激活能。在激活能分析基础上，我们认为：ｐ１、ｐ２峰源于氧空位的驰豫跃迁，ｐ３峰则源于氧间隙原子的驰豫跃迁。     

晶界内耗研究的新进展

由不同取向差的纯Al双晶的内耗实验观察到，不同类型晶界的弛豫参量有明屁差别。用耦合模型对内耗数据的分析表明，小角度晶界内耗的基本机制是位错攀移，而大角度晶界内耗的基本机制是晶界扩散。在此基础上，对多晶中晶界内耗的一些特征也作了解释。     

晶界内耗研究的新进展

由不同取向差的纯Al双晶的内耗实验观察到,不同类型晶界的弛豫参量有明显差别.用耦合模型对内耗数据的分析表明,小角度晶界内耗的基本机制是位错攀移,而大角度晶界内耗的基本机制是晶界扩散.在此基础上,对多晶中晶界内耗的一些特征也作了解释.     

降低发射型压电陶瓷强场介电损耗的一种简易方法——γ射线辐照

本文讨论压电陶瓷强场介电损耗的老化和大功率压电陶瓷极化后的处理问题,以明确强场介电损耗随时间的变化规律和寻找降低强场介电损耗的简易方法.实验结果表明压电陶瓷强场介电损耗随时间延长不断降低,其变化幅度比同温度下其它性能的变化幅度大得多;经r射线辐射后可以降低压电陶瓷的强场介电损耗.     

(RBaCo2O5 δ(Pr,Sm,Y)体系的滞弹性内耗研究

本文对双钙钛矿结构RBaCo2O5 δ(Pr, Sm, Y)化合物进行了内耗研究.随稀土元素R的不同该材料体系存在着不同的晶体结构, 并导致了氧缺陷不同的驰豫行为.体系内耗谱图中呈现的一个驰豫型内耗峰被认为是由于[Roδ]层中额外氧的运动引起的.SmBaCo2O5 δ体系中在360 K附近还观察到一个相变型内耗峰,它伴随有模量的变化.     

(RBaCo2O5+δ(Pr,Sm,Y)体系的滞弹性内耗研究

本文对双钙钛矿结构RBaCo2O5＋δ（Pr，Sm，Y）化合物进行了内耗研究。随稀土元素R的不同该材料体系存在着不同的晶体结构，并导致了氧缺陷不同的驰豫行为。体系内耗谱图中呈现的一个驰豫型内耗峰被认为是由于[ROδ]层中额外氧的运动引起的。SmBaCo2O5＋δ体系中在360K附近还观察到一个相变型内耗峰，它伴随有模量的变化。     

冶金内耗相关的阻尼峰机理

介绍了作者等近年来，对铁基材料内耗谱和内耗机制，进行的针对性研究和取得的进展；讨论和评述了变形增强Snoek效应、Snoek-Kē-Koester（SKK）阻尼、B变形峰和K色峰等内耗现象机制。还讨论了一些相关的基本问题和有争议的问题。     

晶界内耗的研究

晶界内耗是中国科学家葛庭燧开创的一个研究领域．以往晶界内耗的研究主要是用多晶试样进行的．最近作者用不同取向差的双晶试样研究了单个晶界的内耗，取得了一些新的结果．文章综述了研究晶界内耗的意义以及新近的进展．