Zn在Ga1-xAlxAs中的扩散规律

本文论述了在720℃～750℃的温度下,Zn在Ga1-xAlxAs,GaAs中的扩散。研究了结深x1,随片子表面Al组份x值的变化规律。实验表明在同一扩散条件下,Ga1-xAlxAs与GaAs两种材料的结深xj并不相同。在此基础上获得了Al组份x=0.34的最佳扩散条件。     

npnp Ga1-xAlxAs负阻发光二极管研究成功

采用多层异质液相外延技术,制出了具有开关、存储、发光等多种功能的npnp Ga1～sAl2As负阻发光二极管。其典型参数为阈值电压Vth:5～50v,阈值电流Ith<1mA,保持电压Vk～1.8v,保持电流Ik<3mA,反向击穿电压Vk40～100v,反向漏电流。     

用小功率He-Ne激光器测量Ga1-xAlxAs外延片表面组份的均匀性

本文描述了一种简便可靠的分析Ga1-xAlxAs外延片表面组份均匀性的光学方法.在300K下,用小功率He-Ne激光器作光源,对x<0.39的n型和p型外延层进行了光致发光测量.依据光谱峰值获得表面的x值与扫描电镜所得结果相符.通过激发表面不同点处测得的光致发光光谱的位移,可以迅速而直观地分析出x值分布的均匀性.     

Ga1-xAlxAs LED深能级对其发光效率的影响

本文用DLTS法测量了发光效率不同的三只Ga1-xAlxAs LED的深能级浓度.深度和俘获截面,并计算出电子和空穴的寿命,同时测量了它们的发光光谱和光通.从发光效率正比于载流子寿命的观点出发,分析了实验结果.表明1*与3*LED发光效率比R1大致等于它们的寿命比Rτ,但2*与3*却差别很大,文中从光谱角度作了一些分析,差值有所改进.从载流子寿命分析,找出了△Em=0.28、0.33与0.32eV三个能级是分别影响三个LED效率的主要能级。指出了8800Å的红外峰是使发光效率降低的另一个原因,它可能起因于外延层与村底界面处GaAs的带间复合和通过杂质的复合,要得到高效的LED必须制备出好的Ga1-xAlxAs与GaAs界面,应尽可能使红外峰减少.实验表明,效率高的LED仅有一个深能级(0.28eV),在室温下视察不到明显的红外峰。     

一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法

采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底，以形成一定的图案；利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上以及常规c-面蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、三维视频光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)进行分析，结果表明，在经过表面处理形成一定图案的蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜明显优于在常规蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜，其(0002)面上的XRD FWHM为208.80弧秒，(1012)面上的为320.76弧秒.同时，此方法也克服了传统 关键词： 表面处理 MOCVD 横向外延生长 GaN薄膜     

有源层掺杂剂对Ga1-xAlxAs/GaAs双异质结发光管特性的影响

本文研究了由液相外延技术生长的GaAIAs/GaAs双异质结材料制成的发光管,有源层掺杂剂对器件特性的影响结果表明,器件结构和器件制作工艺相同的GaAIAs/GaAs发光管,有源层掺Si可获得较大的光输出功率,而频响特性<15MHz,波长在8700Å以上;对有源层掺Ge器件,光输出功率低于掺Si器件,而频响特性则>15MHz,波长可控制在8200Å~8500Å.深能级测量表明二者有不同的深能级位置,对掺Si(氧沾污)器件,Ec-ET≈0.29eV,而掺Ge器件ET-Ev≈0.42eV.两种掺杂剂对有源层暗缺陷的影响尚无明显区别.     

Ga1-xAlxAs/GaAs光阴极光谱响应向短波延伸的机理分析和实验研究

为了实现光阴极光谱响应向短波延伸，分析了Ga1-xAlxAs/GaAs三代微光光阴极光谱响应向短波延伸的机理，提出了准禁带宽度的概念，讨论了Ga1-xAlxAs的禁带宽度随铝组份x值的增加而逐渐变宽的变化规律，计算了不同铝组份下光阴极光谱响应的短波限。通过提高光阴极材料的铝组份，做出了宽光谱响应像管，并给出了相应的光谱响应曲线。通过与标准三代微光像管光谱响应对比，发现：所得光谱响应曲线不仅向短波方向得以延伸，而且理论设计与实验结果吻合很好。     

硅液相外延的最新进展

文章系统综述了硅液相外延最新进展，总结了近期硅液相外延技术在系统改进，低温外延，器件应用等各方面的成果，指出硅液相外延技术将在硅器件制造中发挥更大的作用。     

Ga1—xAlxAs外延片有源区Al组份的测定方法

由于ＧａＡｓ与ＡｌＡｓ晶格常数相近，ＧａＡｓ晶格常数为０．５６５３５ｎｍ，ＡｌＡｓ的晶格常数为０．５６６０５ｎｍ，当固熔体中Ａｌ组份ｘ值从０变到１时，晶格常数变化约为０．１５％．因此，在ＧａＡｓ衬底上生长Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ时，在界面处的失配位错少，...     

硒化锌的气相外延生长

采用改进的气相外延法在(100)GaAs衬底上外延生长了ZnSe单晶膜。最大生长速率为每小时10μm左右。淀积过程的激活能为10kcal/mol。在77K的温度下测量了外延膜的光致发光,4460Å附近可以观察到很强的蓝色发射。外延膜的电阻率～1.1Ω·cm。     

极化子新的变分计算

提出了一种新的变分解的方法求解极化子问题，并归结为解一个非线性的微分积分方程。其数值计算的结果正是过去工作所预期的。 关键词：     

光弹调制器定标新方法

对于光弹调制器的定标,传统的是寻找探测信号中基频分量最大值的方法,本文对此进行了讨论.根据贝塞耳函数J₀(A)、J₁(A)及其一阶导数的变化规律,提出一种通过测量直流分量来精确定标的新方法,该方法对延迟幅值A在的较大范围(103°～108°)内都能实现精确标定,同时由于在系统中省去了波片,可以实现在多波长的定标.     

一种实现部分谱的Tailored检测的简便方法

本文介绍一种利用延迟采样实现部分谱的Tailored检测的方法。文章对该方法作了理论上的分析并给出了用于强溶剂峰抑制时的实验结果,获得良好的效果。     

一个三体问题的解法

应用两次广义坐标变换，将彼此间由弹性力作用的三体问题的拉格朗日函数简化为两个独立的谐振子的拉格朗日函数之和，在理论上提供了解决此三体问题的方法。     

Density-functional theory investigation of energy gaps and optical properties of Hg1-xCdxTe and In1-xGaxAs

We use a modified Becke-Johnson exchange plus a local density approximation correlation potential within the density functional theory to investigate the electronic structures of Hg_1-xCd_xTe and In_1-xGa_xAs with x being 0, 0.25, 0.5, 0.75, and 1. For both of the two series, our calculated energy gaps and dielectric functions (real part ε₁ and imaginary part ε₂) are in agreement with the corresponding experimental results with x being between 0 and 1. The calculated zero-frequency refractive index varies greatly with x for Hg_1-xCd_xTe, but changes little with x for In_1-xGa_xAs, which is consistent with the real parts of their dielectric functions. Therefore, this new approach is satisfactory to describe the electronic structures and the optical properties of the semiconductors.     

一种新的激光器锁模方法的理论计算

本文对采用一个反射率随光强而变的非线性反射镜进行被动锁模的激光器提出一个涨落模型,并用此模型对Nd:YAG激光器改变各种参量,对两种非线性晶体(KTP和KDP)进行计算机模拟,根据模拟计算预言了实现完善锁模的最佳条件和激光器的最佳参量。 关键词：     

二氧化硅生长新的动力学模型

本文中提出了一个同时适用于描述极薄及厚二氧化硅层生长规律的新的氧化模型。该模型假定在氧化过程中,二氧化硅层内的总净电荷具有指数分布。本文考虑了此氧化层电荷的影响,并推得了硅热氧化的新关系式。此新关系式不论是对非常薄或厚氧化层都与实验结果符合得很好。对于厚氧化层此式则过渡到熟知的Deal-Grove关系。利用本模型还可满意地解释外加电场对氧化速率的影响。 关键词：