一种高选择性可调带通与带阻可切换滤波器

设计了一种高选择性可调带通与带阻可切换微带滤波器。在微带谐振器及枝节末端加载变容二极管实现中心频率的可调;在输入与输出端口馈线之间,利用PIN二极管实现滤波器阻带和通带特性的切换。采用奇偶模的方法对滤波器结构进行分析,通过对奇偶模频率的调节实现了频率调节过程中的恒定绝对带宽。同时,在输入与输出馈线间引入源与负载耦合,使得频带两侧各有一个传输零点,且传输零点在整个频率调谐范围内相对位置几乎不变。因此,在整个频率调节范围内,滤波器实现了高选择性及良好的带外抑制能力。最终设计出的可调带阻滤波器的频率调谐范围为5.58～5.89 GHz,绝对带宽80 MHz±5 MHz,阻带衰减优于14 dB;可调带通滤波器的频率调谐范围为5.42～5.79 GHz,绝对带宽120 MHz±5 MHz,插入损耗1.69～2.25 dB,回波损耗优于13 dB。同时,该滤波器具有0.28λ_g×0.62λ_g（λ_g是可调频率范围中心频率的波长）的紧凑结构尺寸。实验和仿真结果一致性较好。     

一种高选择性的可调0.83~2.15 GHz带通滤波器

设计了一种宽频率调节范围的高选择性可调带通滤波器。宽调节范围由一对简单的加载变容管的平行耦合线谐振器设计实现。由于谐振器之间存在电磁混合耦合以及通过加载变容管引入的源与负载频变耦合,该滤波器最终引入了三个自适应性传输零点。而且,三个传输零点在整个调节范围内能够保持相同的相对位置,因此,设计的滤波器实现了在整个宽频率调节范围内的高选择性和良好的带外抑制。同时,在中心频率调节的过程中,通过选择合适的耦合系数,该滤波器可以实现恒定的相对带宽。最终设计出的可调滤波器的调节范围为0.83~2.15 GHz, 可调范围可达88.6%,并保持9%±0.3%的相对带宽不变。测试结果表明该滤波器具备了高选择性和良好的带外抑制能力。     

基于薄膜光子晶体超晶格理论的偏振带通滤波器

偏振带通滤波器在光通讯波分复用技术中有着特殊的应用.利用薄膜一维光子晶体超晶格概 念，提出了两种新的偏振带通滤波器的设计方法.第一种是基于两个一维光子晶体叠加的偏 振带通滤波器；第二种是在第一个光子晶体的中间插进第二个光子晶体，形成三个一维光子 晶体叠加的偏振带通滤波器.设计了性能优良的p偏振分量透射而s偏振分量反射的新型带通 滤波器.讨论了这种滤波器的通带特性和截止宽度. 关键词： 薄膜光子晶体 超晶格 偏振带通滤波器 波分复用系统     

超导共面波导带通滤波器的设计

本介绍了采用共面波导间隙作为阻抗变换器而设计的Chebyshev型带通滤波器。通过电磁模拟计算分析了共面波导间隙的归一化阻抗转换参量，在此基础上设计了高温超导薄膜共面波导带通滤波器，并对设计的滤波器原型进行了模拟和优化。     

一种结构紧凑的高温超导窄带带通滤波器

研制了一种结构紧凑的高温超导窄带滤波器.该滤波器中心频率为,是在以0.5mm厚的LaAO3(εr≈24)为衬底的YBCO超导薄膜上制作的.测试结果显示该滤波器具有比较好的性能,其插入损耗<0.3dB,反射损耗<-16dB,相对带宽<9‰, 带边陡度>9dB/MHz, 中心频率误差<0.05%.滤波器设计中,利用特殊技术成功地改善了过渡带上的零点特性,为今后研制新型的结构紧凑的滤波器开拓了思路.     

0.34 THz频率选择表面带通滤波器设计

为满足太赫兹通信的需求,基于薄膜工艺和双层级联的结构,设计了一种0.34 THz频率选择表面带通滤波器。利用等效电路模型分析了该滤波器的频率特性,通过仿真研究了入射角对该结构频率特性的影响,显示水平极化条件下其在低于45入射角范围内具有较好的性能。最终按照所评估的误差容忍度加工了Jerusalem 十字单元的频率选择表面样片,并进行了频率传输特性的测试与分析,结果表明：该滤波器具有较好的滤波特性。     

Si掺杂HfO_2薄膜的铁电和反铁电性质

通过改变Si掺杂量制备出了具有显著铁电和反铁电特征的HfO2纳米薄膜,对其电滞回线、电容-电压和漏电流-电压特性以及物相温度稳定性进行了对比研究.反铁电薄膜的介电系数大于铁电薄膜,在电场加载和减载过程中发生的可逆反铁电-铁电相变导致了双电滞回线的出现,在室温至185℃的测试温度范围内未出现反铁电→顺电相变.在电流-电压特性测量时观察到的负微分电阻效应归因于极化弛豫等慢响应机理的贡献.     

铁电薄膜底电极对薄膜结构与电性能的影响

研究了电极材料（Ｐｔ／Ｔｉ）对铁电ＰＬＺＴ（７．５／６５／３５）陶瓷薄膜结构和性能的影响．认为在Ｐｔ层厚度一定时，Ｔｉ层的厚度对铁电薄膜的结构和性能有显著影响．当Ｔｉ层过厚或过薄时，铁电薄膜的结构较差；而当Ｔｉ层的厚度适中时，则铁电薄膜的显向下微结构均匀，电性能较好，典型的剩余极化强度和矫顽场分别为２７．８μＣ·ｃｍ^-2和６５．１ｋＶ·ｃｍ^-1． 关键词：     

铁电薄膜性能测量实验

利用铁电性能综合测试系统测量了SrBi2Ta2O9薄膜的铁电性能,分析了电压变化对于电滞回线的影响,同时对疲劳行为进行了研究。     

铁电铌酸锶钡薄膜的结构特性研究

采用溶胶凝胶法在Si(001)基片上制备铁电铌酸锶钡薄膜,使用X射线衍射、摇摆曲线、扫描电子显微镜、喇曼散射光谱等测试手段研究薄膜的微结构与薄膜厚度之间的关系,制备的薄膜厚度可达到5μm.实验发现,随着薄膜厚度的增加,SBN60和SBN75薄膜在(001)方向的优先取向性越来越好.随着膜层的增加,处于底层的膜层能够起到缓冲层的作用,以逐渐改善薄膜与基片之间的晶格失配,从而使得晶体的结晶取向性越来越好.     

陶瓷基片薄膜电致发光器件

本文报道了一种新颖的陶瓷基片薄膜电致发光器件(CSTFEL),使用高介电常数的陶瓷片作器件的基片,同时又作为器件中的绝缘层,陶瓷片表面无需抛光处理,直接制作发光器件,工艺简单,用市电50Hz,220V驱动,亮度大于30cd/m2,寿命大于10000小时.     

适用于3G移动通讯的高温超导窄带滤波器

研制了一种适用于3G移动通讯基站接收机的高温超导窄带带通滤波器.其中心频率为1949.85兆赫兹,带宽为9.7兆赫兹.为了实现极高性能,理论设计了12阶准椭圆(quasi-elliptic)函数型滤波器,引入了3对传输零点.滤波器的计算机仿真是用Sonnet软件完成的.此滤波器是在直径为2英寸、厚度约为0.5毫米的氧化镁双面超导薄膜上制作的.实测表明,达到了极高的性能要求:相对带宽0.49%,带边陡度>150dB/MHZ,带外抑制>60dB,插入损耗<0.2dB,反射损耗<-14dB.     

薄膜型热释电探测器及其薄膜的制备

本文阐述了薄膜型热释电探测器原理及其薄膜的制备方法,进一步分析、整理了薄膜制备过程中的条件及参数。     

薄膜太阳电池的研究进展

介绍了薄膜太阳电池在光伏技术中的位置,详细叙述了非晶硅,铜铟锡,碲化镉等主要薄膜太阳电池的基本结构,制造方法,研究进展和现状,指出了存在的关键问题和解决的途径,并介绍了薄膜太阳电池的发展趋势和应用前景。     

高温超导窄带广义切比雪夫函数滤波器

提出了一种用于高温超导滤波器制作的新结构——窄带广义切比雪夫函数高、低通滤波器级联方式．该方式利用高温超导低插损特性，可以有效地降低极陡峭广义切比雪夫函数低通、高通滤波器的带边频滚降．依靠高、低通滤波器级联方式构建新形式的窄带极陡峭低插损高温超导滤波器．并与已有高温超导滤波器进行了比较分析．     

薄膜场致发光显示的研究进展

描述了薄膜场致发光显示的电学和光学性质,介绍了夹层结构,它等效齐纳二极管组成的线路。分析了影响亮度和效率的因素,主要是发光中心浓度,电子的能量和发光体的结晶状态,为了提高电子能量,提出了分层优化方案,它具有明显的优越性;为改善发光层的结晶状态,提出了厚膜扬致发光。对场致发光的机理进行了讨论,描述了多色和全色ＴＦＥＬ器件的材料和结构的研究进展。     

激光高反射膜的研究

研究混合膜（TiO2 Ta2O3;Ta2O5 ZrO2)的色散规律，用Ta2O5 ZrO2和SiO2成功地镀制出两个波段（632．8nm,1.06μm)的激光反射膜，使激光破坏阈值提高5％－15％（1．06μm)，膜层吸收小，机械强度增加。