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文章对贮能焊封装过程中管壳的受力状态进行了分析,给出了各结合层残余应力的计算结果,结果表明,管壳的翘曲度对电路内部各结合层受力装态的影响很大。 相似文献
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微电子封装技术的发展与展望 总被引:8,自引:0,他引:8
微电子技术的发展,推动着微电子封装技术的不断发展、封装形式的不断出新。介绍了微电子封装的基本功能与层次,微电子坟技术发展的三个阶段,并综述了微电子封装技术的历史、现状、发展及展望。 相似文献
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AT&T公司在开关、信号传输产品中大量使用了混合集成电路,以提高集成度和可靠性,简化大系统的组装和测试。AT&T公司的新系统产品将采用一些I/O接头比现行设计多得多的混合集成电路,这些电路主要采用表面组装形式封装。我们正在为这些新的混合IC应用开发符合JEDEC标准的塑封系列产品。我们提供的混合IC在封装的外形和性能上都与分立IC相同,希望我们的用户能得到较大的好处。由于可用一些标准CAD库来确定部件布位、布线、焊接点尺寸和封装的电气特性,因此、系统设计可得到简化。由于可用工业标准设备进行电气测试、元件安放、回流焊、清洗和检查,因此可提高工艺性。总之,整个系统的可靠性得到了提高,因为在制造电路板时使用了标准元件、设备和优化工艺。AT&T公司还研究了68和124引线、1.27mm间距和132引线、635um间距的四方形封装的机械可靠性。结果表明,这三种封装都能承受几百次-40℃~+130℃的温度循环试验,而机械性能没有下降。目前正在做进一步的工作,就这些封装在厚薄膜金属化、厚薄膜、电阻、CBIC和CMOS丝焊IC、芯片电容和电阻、厚膜穿接、多层聚合物介质等方面进行全面考核。 相似文献
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三维(3—D)封装技术 总被引:5,自引:0,他引:5
3-D多芯片组件(MCM)是未来微电子封装的发展趋势。本文介绍了超大规模集成(VLSI)用的3-D封装技术的最新进展,详细报导了垂直互连技术,概括讨论了选择3-D叠层技术的一些关键问题,并对3-D封装和2-D封装及分立器件进行了对比。 相似文献
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本文介绍了在模拟专用集成电路封装设计中的封装可靠性、技术可行性及其电性能和热性能等,概述了ASIC的主要封装形式:无引线陶瓷芯片载体、阵列式封装、多层封装和大腔体封装以及采用的主要封装技术。最后,简要介绍了我所模拟专用集成电路封装方面的工作。 相似文献
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集成电路封装技术常用术语(续Ⅱ)丁一45QFJ(quadflatJ-leadedpackage)四侧J形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出,向下呈J字形。是日本电子机械工业会规定的名称。引脚中心距1.27mm。材料有塑料和陶瓷两... 相似文献
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集成电路封装技术常用术语(续Ⅲ) 总被引:1,自引:0,他引:1
集成电路封装技术常用术语(续Ⅲ)丁一66SOJ(SmallOut-LineJ-LeadedPackage)J形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J字形,故此得名。通常为塑料制品,多数用于DRAM和SRAM等存储器LSI电路,... 相似文献
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阐述了集成电路封装的作用和要求,从集成电路封装材料和封装形式两个方面对集成电路封装可靠性进行了初步的探讨;并对新工艺、新技术下的新型封装及其可靠性进行了介绍. 相似文献