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偏振无关的楔型光隔离器插入损耗与反向隔离度分析 总被引:3,自引:1,他引:2
在高斯光束传输理论基础上,推导出求解偏振无关楔型光隔离器插入损耗与反向隔离度的数学解析表达式;得出了采用不同材料隔离器的插入损耗,反向隔离度与双折射晶体倾斜角度及双折射晶体和旋转晶体间距的关系曲线,分析了影响光隔离器插入损耗,反向隔离度的因素,实际测量结果与理论分析相吻合。 相似文献
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与偏振无关光隔离器的插入损耗和隔离度的理论分析与实验研究 总被引:9,自引:0,他引:9
在理论上用琼斯矩阵法得到了与偏振无关的Walk-off型光隔离器的插入损耗及反向隔离度的表达式,讨论了偏振分束器、法拉第旋转器、1/2波片的参数对其性能的影响。作者设计制作的光隔离器光纤到光纤的插入损耗为1.46dB,隔离度为34.2dB,外型尺寸为13×10×46mm3。 相似文献
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基于阵列永磁体的特点以及光隔离器对磁场的需求设计了两种适用于高功率隔离器的永磁系统,分析了其磁场分布、磁场非均匀性对隔离度的影响,研究了磁体装配误差对磁场的影响。研究结果表明:通过引入斜向磁化永磁体,选择合适的磁化角度和磁体长度,可以提高永磁体的磁场强度,大幅度减小旋转器所需磁光晶体长度;受磁场非均匀性影响的隔离度与磁光晶体的孔径、长度以及入射激光的光斑半径有关,当晶体长度一定时,减小晶体半径和入射光的半径可以显著提高隔离度。在入射光半径为1.5 mm、磁光晶体半径5 mm时,对应的隔离度分别为105.8 dB和45.4 dB。 相似文献
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基于Halbach阵列永磁体的特点以及光隔离器对磁场的需求,设计了两种适用于高功率隔离器的永磁系统,分析了其磁场分布、磁场非均匀性对隔离度的影响,研究了磁体装配误差对磁场的影响。研究结果表明:通过引入斜向磁化永磁体,选择合适的磁化角度和磁体长度,可以提高永磁体的磁场强度,大幅度减小旋转器所需磁光晶体长度;受磁场非均匀性影响的隔离度与磁光晶体的孔径、长度以及入射激光的光斑半径有关,当晶体长度一定时,减小晶体半径和入射光的半径可以显著提高隔离度。在入射光半径为1.5mm、磁光晶体半径5mm时,对应的隔离度分别为105.8dB和45.4dB。 相似文献
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为满足星间激光通信对高隔离水平光学天线的要求,实现对光学天线隔离度的仿真分析和优化,提出了一种将红外系统冷反射的特征控制量YNI值作为衡量光学元件表面后向反射能量强度,并控制光学天线优化以提高隔离度水平的方法。在Light Tools软件中为某激光通信终端的卡塞格林天线创建了实体模型,通过仿真分析得出了各元件表面的后向反射率。在ZEMAX软件中以增大各元件表面的YNI值为目标优化天线结构。对比优化前后的结果,系统的后向反射率从3.068 8×10~(-4)减小到1.075 5×10~(-5),隔离度从-35.13 d B减小到-49.68 d B。优化后的卡塞格林天线具备较高的隔离度水平,可用于星间激光通信。 相似文献
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We theoretically investigated InGaAsP/InP evanescent mode waveguide optical isolators and proposed their application to InGaAsP/InP/Si
hybrid evanescent optical isolators. InGaAsP/InP evanescent optical isolators are composed of semiconductor optical amplifier
(SOA) waveguides having InGaAsP multiple quantum well (MQW) active layer and upper InGaAsP waveguide layer with ferromagnetic
layer. Optical isolation is obtained for evanescent optical mode in the InGaAsP waveguide layer. InGaAsP/InP/Si hybrid evanescent
optical isolators are theoretically proposed based on the idea of InGaAsP/InP evanescent optical isolators. InGaAsP/InP/Si
hybrid evanescent optical isolators are composed of ferromagnetic metal loaded silicon evanescent waveguides with wafer-bonded
InGaAsP/InP optical gain material. The optical isolation and propagation loss are discussed with the structure of silicon
evanescent waveguides, and optical isolation of 8.0 dB/mm was estimated. The concept of semiconductor evanescent mode optical
isolators is feasible with InP based photonic integrated circuits and advanced silicon photonics. 相似文献
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Isolation of a new structured acousto-optic switch based on an integrated optical polarization-independent quasi- collinear acousto-optic tunable filter is studied in detail. The factors that influence the isolation of the optical switch are analysed, the expressions of the isolation are educed, and the isolation of the device is measured in experiment. It is found that the isolation mainly depends on the TE/TM mode intensity ratio, the mode-splitter extinction rate, and the conversion efficiency. 相似文献
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介绍了采用位相平衡设计法设计优化的二元微透镜阵列,并应用于工作波长为1.536 ̄1.564μm,通信间隔4nm的8通道光栅型密集波分复用器。设计并计算了二元微透镜各单元的位相结构和接收光纤端面上的衍射远场分布,最后讨论了当采用单模和多模接收光纤时,二元微透镜阵列部分引入的损耗及其在多模接收光纤中激起的基模比例。 相似文献