STRUCTURE AND MORPHOLOGY OF CARBON NANOTUBES GROWN ON ZEOLITE-SUPPORTED CATALYSTS BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

The zeolite-supported catalysts were prepared in nickel and cobalt nitrate aqueous solutions by ion exchange method. After reducing these substrates by hydrogen, we grew carbon nanotubes on them by chemical vapor deposition under different conditions. The results reveal that nickel/zeolite, cobalt/zeolite and nickel+cobalt/zeolite have different optimal conditions. When nickel+cobalt/zeolite was used as the catalyst, we can get straight carbon nanotubes. The Raman spectrum of the straight nanotubes shows they have fewer defects. We propose a growth mechanism for the growth of these nanotubes.     

金属有机化学气相沉积法制备钛酸铅铁电薄膜

利用低压ＭＯＣＶＤ工艺分别在（００１）取向的ＬａＡｌＯ_３，ＳｒＴｉＯ_３和重掺杂硅单晶衬底上制备ＰｂＴｉＯ_３铁电薄膜，并通过Ｘ射线衍射谱对薄膜的微结构进行分析．Ｘ射线θ－２θ扫描显示硅衬底上得到了ＰｂＴｉＯ_３多晶薄膜，另两种衬底上得到了择优取向的ＰｂＴｉＯ_３薄膜．ＬａＡｌＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜有ａ和ｃ两个取向，也就是薄膜中存在着９０°畴结构，而生长在ＳｒＴｉＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜中只存在ｃ方向的择优取向．由于薄膜的尺度效应，发现ｃ轴晶格常数与块材相比均缩短．Ｘ射线的φ扫描验证了后两类薄膜的外延特性，利用同步辐射的高强度和高能量分辨率用摇摆曲线方法研究了这两种外延薄膜的品质，进一步证明了ＳｒＴｉＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜的单畴特性．利用重掺杂的硅衬底作底电极，测量显示直接生长于硅衬底上的ＰｂＴｉＯ_３多晶薄膜具有良好的铁电性能 关键词：     

PECVD纳米晶粒硅薄膜的可见电致发光

在用等离子体增强化学汽相淀积的嵌有纳米晶粒硅薄膜中观测到电致发光．发光谱处在500—800nm之间，它有两个分别位于630—680nm和730nm附近的峰，两个峰的强度与薄膜的电导率有密切关系．根据这种材料的结构特性对载流子的传导通道进行了讨论，并且对发光机制进行了初步解释 关键词：     

射频等离子体辅助化学气相沉积方法生长碳纳米洋葱

用射频等离子体辅助化学气相沉积方法生长碳纳米洋葱.电子显微镜观察表明,产物中无碳纳米管等伴随生成,因而制得了较高产率、较高纯度的纳米洋葱.尤其是Co-SiO₂催化剂生长的碳纳米洋葱,实心、光滑,且内无催化剂颗粒,其外层由未闭合的、呈波浪状的石墨片构成,显示出与众不同的微观结构和性能.提出了该方法中碳纳米洋葱的生长机理为碳笼由里向外嵌套形成球形粒子.对波浪状、非闭合结构的形成过程进行了讨论. 关键词： 射频等离子体 化学气相沉积 碳纳米洋葱     

化学气相沉积制备MgB2超导薄膜

本文报道了利用化学气相沉积技术制备MgB2超导薄膜.首先在MgO(111)基片上化学气相沉积一层B膜,然后在Mg蒸气环境下对B膜进行后退火处理.退火后得到的MgB2薄膜在MgO(111)基片上呈随即取向生长,Mg、B原子比接近于1∶2.4;薄膜表面光滑致密,晶粒粒度约为0.5μm.电阻测量和直流磁测量表明薄膜超导转变温度为38K,转变宽度仅为0.1K.毕恩公式计算结果显示MgB2薄膜的临界电流密度在0T、10K时高达2×107A/cm2.     

不同厚度的MgB_2超薄膜的制备和性质研究

本文报导了利用混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapor deposition,HPCVD)在SiC(0001)衬底上制备干净的MgB2超薄膜.在背景气体压强、载气H2流量等条件一定的情况下,改变B2H6流量及沉积时间,制备不同厚度的MgB2超薄膜样品,并研究了超导转变温度Tc、剩余电阻率ρ(42K)、上临界场Hc2等与膜厚的关系.这系列超薄膜生长沿c轴外延,随膜厚度的变小Tc(0)降低,ρ(42K)升高.膜在衬底上的生长遵循Volmer-Weber岛状生长模式.对于10nm厚的膜,Tc(0)~32.4K,ρ(42K)~124.92μΩ·cm,其表面连接性良好,平均粗糙度为2.72nm,上临界磁场Hc2(0K)~12T,零场4K时的临界电流密度Jc~107A/cm2,为迄今为止所观测到的10nm厚MgB2超薄膜的最高Jc值,这也证明了10nm厚的MgB2膜在超导纳米器件上具有很强的应用潜力.     

电子助进热丝化学汽相沉积金刚石薄膜

以CH₄和H₂为源反应气体，利用电子助进热丝化学汽相沉积（CVD）技术，在Si（100）晶面衬底上成功地得到了织构生长的金刚石薄膜．用扫描电子显微镜、Raman光谱、X射线衍射等多种技术对薄膜的形貌、成分、晶态等特性进行了分析，得到了在热丝CVD实验条件下织构生长金刚石薄膜的最佳工艺条件． 关键词：     

GROWTH OF PREFERENTIALLY ORIENTED CUBIC BORON NITRIDE FILMS BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Preferentially oriented cubic boron nitride films on nickel substrates have been grown using hot-filament-assisted rf plasma chemical vapor deposition method. X-ray photoelectron spectroscopy shows that the cubic boron nitride films are stoichiometric. Scanning electron microscopy and X-ray diffraction show that the films are of high quality with well-faceted and (220) preferentially oriented grains, without X-ray diffraction detectable hexagonal boron nitride phase. The nucleation and growth process has been investigated. After 40min deposition, well aligned, well faceted cubic boron nitride nuclei can be seen on the substrnies, and after 2 h deposition, the rectangular grains can be seen on the substrate with their corresponding edges parallel to each other in scanning electron microscopic images. The ratio of the diffraction peak height of (220) face to that of (111) face is about 5.2 in the X-ray diffraction pattern, but the corresponding value of the random cubic boron nitride crystallites is only 0.06.     

CRYSTALLINE CARBON NITRIDE THIN FILMS DEPOSITED BY MICROWAVE PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

The crystalline carbon nitride thin films have been prepared on Si (100) substrates using microwave plasma chemical vapor deposition technique. The experimental X-ray diffraction pattern of the films prepared contain all the strong peaks of α-C₃N₄ and β-C₃N₄, but most of the peaks are overlapped.The films are composed of α-C₃N₄ and β-C₃N₄. The N/C atomic ratio is close to the stoichiometric value 1.33. X-ray photoelectron spectroscopic analysis indicated that the binding energies of C 1s and N 1s are 286.43eV and 399.08 eV respectively. The shifts are attributed to the polarization of C-N bond. Both observed Raman and Fourier transform infrared spectra were compared with the theoretical calculations. The results support the existence of C-N covalent bond in α- and β-C₃N₄ mixture.     

负偏压热灯丝CVD金刚石膜核化和早期生长的研究

利用扫描电子显微镜、Raman谱和X射线光电子能谱，研究了Si衬底上热灯丝CVD金刚石膜的核化和早期生长.在-300V和100mA条件下预处理15min，镜面抛光的Si(100)表面上金刚石核密度超过了10⁹cm^-2，但是核的分布极不均匀且可分为三个区域：A区，边缘处以锥体为主；B区，位于边和中心之间过渡区是纳米金刚石；C区，中心处有SiC层.无偏压下生长4h后，A区形成许多大而弧立的金刚石颗粒，B区成为织构金刚石膜，而C区变为含有大量缺陷的连续金刚石膜.衬底负 关键词：     

电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积a-CFx薄膜的化学键结构

使用CHF₃和C₆H₆混合气体做气源,在一个电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积装置中制备了氟化非晶碳(a-CF_x)薄膜.利用发射光谱研究了等离子体中形成的各种碳氟、碳氢基团随放电宏观参量的变化规律,对薄膜做了傅里叶变换红外光谱和X射线光电子能谱分析,证实等离子体中的CF₂,CF和CH基团是控制薄膜生长、碳/氟成分比和化学键结构的主要前驱物 关键词： 氟化非晶碳薄膜 电子回旋共振等离子体     

电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积a-CF_x薄膜的化学键结构

使用CHF3 和C6H6混合气体做气源 ,在一个电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积装置中制备了氟化非晶碳 (a CFx)薄膜 .利用发射光谱研究了等离子体中形成的各种碳 氟、碳 氢基团随放电宏观参量的变化规律 ,对薄膜做了傅里叶变换红外光谱和X射线光电子能谱分析 ,证实等离子体中的CF2 ,CF和CH基团是控制薄膜生长、碳 /氟成分比和化学键结构的主要前驱物     

等离子体化学气相沉积TiN中参数的研究

一、引言 等离子体化学气相沉积(PCVD)薄膜是广泛应用的新技术。它沉积温度低,可沉积薄膜种类多,包括各种作为功能材料和结构材料的无机非金属薄膜。刘大明等对PCVD的动力学过程进行过研究。PCVD设备及工艺较简单,绕镀能力强,并且利用非平衡电离     

MICROSTRUCTURE OF SiOx:H FILMS PREPARED BY PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

The micro-Raman spectroscopy and infrared (IR) spectroscopy have been performed for the study of the microstructure of amorphous hydrogenated oxidized silicon (a-SiO_x:H) films prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition technique. It is found that a-SiO_x:H consists of two phases: an amorphous silicon-rich phase and an oxygen-rich phase mainly comprised of HSi-SiO₂ and HSi-O₃. The Raman scattering results exhibit that the frequency of TO-like mode of amorphous silicon red-shifts with decreasing size of silicon-rich region. This is related to the quantum confinement effects, similar to the nanocrystalline silicon.     

热丝法制备纳米晶硅薄膜结构及沉积机制的研究

用热丝法制备了纳米晶硅薄膜．通过Raman散射谱及X射线谱，系统地研究了沉积气压P_g、高H₂稀释及衬底与钨丝之间距离对沉积速率、纳米硅薄膜的形成和结构等的影响．计算了沉积过程中的温度场分布．讨论了沉积过程中反应基元的输运和相关的气相反应，以及H在薄膜生长中的作用，由此分析了沉积参量对薄膜结构的影响，得到了与实验相一致的结果． 关键词：     

初探混合物理化学气相沉积法(HPCVD)制备不锈钢衬底MgB2超导厚膜样品

介绍用混合物理化学气相沉积法(HPCVD)制备的不锈钢衬底MgB2超导厚膜样品.该样品的Tc(onset)=38K,Tc(0)=27K.X光衍射图形表明它是(101)方向织构的致密厚膜.这种膜具有较强的韧性,同时和衬底有高度的结合性.当其被弯曲到约200微米半径的弧度时,膜面会出现条状裂纹,但仍有少部分膜面未被破坏,保持完整,表现出较好的韧性.     

微波等离子体化学气相沉积法制备C3N4薄膜的结构研究

采用微波等离子体化学气相沉积法,用高纯氮气（99．999％）和甲烷（99．9％）作反应气体,在单晶Si(100)基片上沉积C3N4薄膜,利用扫描电子显微镜观察薄膜形貌,表明薄膜由密排的六棱晶棒组成,X射线衍射和透射电子显微镜结构分析说明该薄膜主要由β－C3N4和α－C3N4组成,并且这些结果与a-C3N4相符合较好,由虎克定律近似关系式计算了α－和β－C3N4的傅里叶变换红外光谱和Raman光谱,实验结果支持C－N共价键的存在。     

在多晶Al2O3衬底上化学气相沉积MgB2超导薄膜

报道了制备MgB2超导薄膜的一种新方法和测量结果，MgB2超导薄膜的制备采用的是两步异位退火方法，但在现有报道的方法不同的是，制备硼（B）先驱膜采用的是化学气相沉积方法，在460℃温度下热分解乙硼烷（B2H6）沉积的，然后镁（Mg）蒸气中分别在730℃、780℃和830℃条件下退火，生成MgB2超导薄膜，扫描电子显微镜观察表明制备薄膜是多晶的，MgB2晶料小于2μm。X衍射分析发现所生长的薄膜是随机取向的。800℃条件下退火生成的MgB2超导薄膜起始转变温度和零电阻温度分别达到35K和24K，结果表明，采用B2H6热分解化学气相沉积B先驱膜的方法在优化的沉积条件和退火条件下可制备高质量的MgB2超导薄膜，我们这种化学气相沉积MgB2超导薄膜方法在大面积的MgB2超导薄膜制备方面较脉冲激光沉积方法具有优势，并且与现有的半导体工艺技术相兼容，有利用实现MgB2超导薄膜在电子器件方面的应用。     

化学蒸汽输运法生长完整硫化锌单晶

用化学蒸汽输运法(VT),以碘为输运剂,在封闭的生长安瓶内,生长温度900℃,蒸发源与生长中的晶体间温差(△T)为5—6℃,在园锥形安瓶顶端以取向的单晶作子晶,可以生长成完整的ZnS单晶.在大管径的安瓶中对流控制的质量输运可以快速长成具有大晶面,中间有空隙的梨晶.用控制对流并适当降低△T值在低蒸气过饱和下可以生出1厘米3以上量级无孪生的单晶.ZnS单晶为立方结构,位错密度104·cm-2n型导电,电阻率8×1012Ω·cm.晶体具有蓝色CRL、PL及EL,用掺有锰的多晶在同样条件下可以生长出ZnS:Mn2+单晶.     

混合物理化学气相沉积法制备不锈钢衬底MgB2超导厚膜样品的韧度研究

我们用混合物理化学气相沉积法(HPCVD)制备了一批不锈钢衬底的MgB2超导厚膜样品,厚度在10～30μm间,Tc(onset)是37.8～37.2K,超导转变宽度ΔT在1.2K左右,是(101)方向织构的致密厚膜,并有少许MgO杂相.对样品进行弯折研究,随着弯曲角度的增加,膜面出现不同程度的条状裂纹,但仍能保持膜面的基本完整;虽然样品的超导起始转变温度降低、转变温区变宽,性能有所下降,但超导特性仍能保持在一个很好的水平上.这个结果表明了采用HPCVD方法制备不锈钢衬底带材将会很好地克服MgB2超导膜由于硬脆的性质而无法绕制磁体的问题,有着十分重要的应用意义.