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相似文献
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1.
王子群  刘星元等 《光子学报》2000,29(Z1):396-398
本文以有机薄膜Perylene:PS为增益介质,在透明导电薄膜ITO衬底上,实现了在光泵浦条件下光增益放大。观察到的放大自发发射峰位于478nm,光谱半高全宽为7nm。  相似文献   

2.
有机及高分子薄膜电致发光   总被引:1,自引:0,他引:1  
张志林  蒋雪茵 《物理》1995,24(10):582-587
有机薄膜电致发光,因其具有低压直流驱动、高亮度、高效率、多色、能制成大面积等优点,有可能制产板显示,成为当前研究的特点,本文介绍了有机及高分子电致发光发展的历史、器件结构、发光原理和它的未来。  相似文献   

3.
本文在总结近几年来国内外文献和专利报道的最新研究成果基础上,简要阐述了新一代高密度可录光盘的数据存储机理以及激光器工作波长与有机材料薄膜最大吸收波长相匹配的要求,介绍了在蓝(紫)光波段内(350~400nm)具有显著吸收的有机材料研究概况,并讨论了这些有机材料作为新一代高密度可录光盘数据存储介质的可能性。最后,对有机材料用于新一代高密度可录光盘数据存储介质的研究重点以及今后的发展前景进行简要讨论和展望。  相似文献   

4.
有机薄膜电致发光的稳定性   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
解决有机电致发光的稳定性是这一领域的重要课题。我们在相继报道了高亮度的蓝色及绿色器件后[1,2]。  相似文献   

5.
刘星元  李文连 《发光学报》1996,17(4):376-378
近些年,有机薄膜电致发光(Organic Thin Film Electroluminescent-OTFEL)器件的发展非常迅速[1,2,3]。由于它易于实现大面积彩色显示,成为发光研究中的热点。目前研究工作面临的最大问题是器件的稳定性。通常,OTFEL器件在空气中的老化速度很快。连续工作时,器件发光的时间约几个小时。在恒定电流驱动下,器件的亮度从快到慢持续下降,同时驱动电压逐渐上升,说明器件的老化伴随着电阻的增大。在研究OTFEL器件老化机制的过程中,我们发现了一种非常有意义的现象:器件在恒定脉冲电压驱动下,随驱动时间的增加,初始亮度经过一个短暂上升的过程。  相似文献   

6.
7.
王子君  刘星元等 《光子学报》2000,29(Z1):256-258
本文研究了有机发光二极管(OLED)中的有机薄膜在光泵浦情况下的受激发射行为。发现在比常规结构厚的OLED样品中,器件电致发光亮度较弱,但可观测到放大的自发发射(AES)现象。而在常规结构的OLED样品中,器件亮度较高,但在光泵浦下,观察不到ASE现象,表明金属电极对激子的猝灭作用导致ASE受到抑制。  相似文献   

8.
白色有机薄膜电致发光   总被引:3,自引:1,他引:2  
198 7年柯达公司 C.W.Tang发表的有机薄膜电致发光[1] 因其在平板显示技术中的巨大应用前景而成为当前研究的热点。白色发光因是实现全彩色平板显示的重要方案之一 ,而倍受人们的关注。目前已有一些有关白光的报道 ,J.Kido[2 ,3]利用多层结构及三种染料掺杂的polymer实现白光 ,S.R.Forrest[4 ] 利用叠层实现白光 ,Y.Sato[5] 用了一种新的掺杂剂得到白光 ,M.Granstrom[6 ]和 Y.Yang[7]报道了polymer的白色发射。在这篇文章中 ,将报道一种利用锁定层中掺杂染料来实现白色有机电致发光的器件 ,其最高亮度达 863 5 cd/ m2 ,最大效率为1 .3…  相似文献   

9.
有机薄膜电致发光器件结构与发光特性的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
李方红  刘旭 《光学学报》1998,18(2):17-222
从有机电致发光薄膜的发光机理出发,通过以Alq薄膜器件、PVK为空穴传输层和Alq为发光层的双层 及PVK掺荧光材料Perylene的双层薄膜器件的研制,从器件的电致姚谱、电流密度-电压特性、亮度-电压特性的曲线的测试结果,计算分析了器件的流明效率、量子效率,并对有机薄膜电致发光器件的结构与发光特性之间的关系进行研究,利用能级理论分析了器件的姚特性随器件的结构不同所具有的规律。实验表明,加入PVK  相似文献   

10.
有机薄膜场效应晶体管   总被引:4,自引:0,他引:4  
胡文平  刘云圻 《物理》1997,26(11):649-653
从有机薄膜场效应晶体管的结构,原理以及用作场效应管的有机材料种类等几个方面对这种新型的电子器件作了扼要的论述。  相似文献   

11.
由于依靠不断缩小存储单元尺寸来提升单位面积存储能力的传统方法将会面临着器件尺寸的物理极限等瓶颈,人们逐渐将目光投向了能够在单一器件上实现高密度存储的多级存储器件。本文利用有机薄膜晶体管中存在的持续光电导率(PPC)效应制备了一个光写入操作的多级存储器件,有效地避免了电写入操作对器件的接触破坏性和较大功耗问题。研究了在不同功率(60,100,150μW/cm2)和不同持续时间(50~1 000 ms)700 nm光写入脉冲作用下的器件存储状态,器件在光功率为60μW/cm2、持续时间为100 ms的光脉冲下展现出了低至0.189 nJ的极低工作功耗。通过对器件施加16个连续光写入脉冲证实器件具有16个有效的存储状态,实现了存储容量为4 bits的多级光写入存储功能。  相似文献   

12.
近场记录光盘的写入能量的研究   总被引:5,自引:2,他引:3  
黄浩  裴先登  黄俊 《光学学报》1999,19(2):91-195
近场记录光盘是一种新的光盘记录技术,它有二个特点:(1)极高的记录密度;(2)很高的寻道速度。本文介绍了近场光盘技术的特性;提出了近场光盘记录技术中动态条件下读写中的写入能量地头盘间的能量传输问题进行了仿真计算。  相似文献   

13.
有机薄膜电致发光器件的光学微腔效应   总被引:2,自引:0,他引:2  
刘祖刚  唐春玖 《光学学报》1998,18(6):93-798
制备了以铝掺杂氧化锌(AZO)透明导电膜为阳极的有机薄膜电致发光微腔器件,研究了垂直的光学法布里-珀罗微共振腔对有机器件的自发发射的微腔效应,发出了光谱窄化、发光强度增加及发射的角度依赖关系等现象。具有微腔结构的器件发射谱将高宽只有14display status  相似文献   

14.
通过采用在并五苯薄膜与源漏电极之间插入10 nm 并五苯掺杂的N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺薄膜的方法研究了基于并五苯有源层的底栅错面型有机薄膜晶体管的电学特性。研究发现:N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺的引入可以有效改善有源层和源漏电极接触界面的表面形貌,利于形成欧姆接触,从而改善器件性能,最终使优化器件的迁移率由(0.1±0.01)cm2/(V·s)提升至(0.31±0.02)cm2/(V·s),阈值电压由(-34.6±1.3)V 降至(-30.1±1.2)V。  相似文献   

15.
通过采用在并五苯薄膜与源漏电极之间插入10 nm并五苯掺杂的N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺薄膜的方法研究了基于并五苯有源层的底栅错面型有机薄膜晶体管的电学特性。研究发现:N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺的引入可以有效改善有源层和源漏电极接触界面的表面形貌,利于形成欧姆接触,从而改善器件性能,最终使优化器件的迁移率由(0.1±0.01)cm2/(V·s)提升至(0.31±0.02)cm2/(V·s),阈值电压由(-34.6±1.3)V降至(-30.1±1.2)V。  相似文献   

16.
刘旭  王滨 《光学学报》1995,15(6):14-818
根据薄膜沉积过程等离子体对光学薄膜膜蒸气分子或原子的作用,建立低压等离子体离子镀设备,并对常规光学薄膜、如硫化物、氧化物薄膜以及多层膜器件进行了系统的研究,对所制备薄膜样品的透射光谱、吸收、散射以及膜层的聚集密度等进行了全面的测试分析。实验研究表明,低压等离子体离子镀可大大提高常规光学薄膜的光机性能。  相似文献   

17.
We report on the reversible, electrical and optical switching on silver 3-phenyl-1-ureidonitrile complex thin films. The films can switch from a high impedance state to a low impedance state with an applied electric field at the threshold of 3.5×107V/m. Furthermore, the films can be switched back to the original state by treating the samples at about 80℃. The optical recording is fulfilled using a semiconductor laser with a wavelength of 780 nm. Erasure can be accomplished by bulk heating or by the laser working with the power beneath the threshold. No loss of the organic was found in the experiments. This material may have a potential application in ultrahigh data density storage.  相似文献   

18.
亚酞菁薄膜的光谱和光存储性质研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
王阳  顾冬红  干福熹 《光学学报》2001,21(8):48-951
利用真空蒸镀法制备了一种新的三硝基溴硼亚酞菁(BTN-SubPc)薄膜。在室温下测试了该亚酞菁染料在溶液和薄膜态的吸收光谱、薄膜态的反射和透过光谱,发现该薄膜在500nm-650nm波长范围内具有优良的吸收和反射特性。在632.8nm光盘静态测试仪上测试了覆盖有金属反射层的BTN-SubPc薄膜的静态光存储性能,结果表明,用较小功率和较窄脉宽的激光辐照膜片时,可获得大于30%的反射率对比度,显示出该材料用作短波长光存储介质(特别是用于可录型数字多用光盘)的巨大潜力。  相似文献   

19.
有机活性材料的低载流子迁移率使得有机光伏电池的电极收集到的电荷较少。增加活性层光吸收能够增加激子的产生数从而增加电极收集到的电荷,提升器件的性能。通过对器件模拟的方法,研究以P3HT:PCBM为活性层的薄膜太阳能电池的光学性能。 在此基础上,提出采用镀多层高反射膜的方法改善电池器件的光学性能。结果表明:活性层厚度对电池器件的光吸收起到主导作用;镀多层高反射膜在活性层厚度小于160 nm、Ag厚度小于20 nm时能大幅度改善电池器件的光学性能,光生激子总数随活性层厚度的增加而迅速增多,并且在活性层厚度约为150 nm时为一个最佳值。  相似文献   

20.
相变光盘介电薄膜ZnS-SiO2 的微结构和光学特性   总被引:2,自引:2,他引:0  
刘波  阮昊  干福熹 《光子学报》2003,32(7):834-836
采用射频磁控溅射法制备了ZnS-SiO2 介电薄膜,利用透射电镜和椭偏仪研究了溅射条件对ZnS-SiO2薄膜微结构和折射率n的影响.研究表明,ZnS-SiO2薄膜中存在微小晶粒,大小为2~10 nm的ZnS颗粒分布在SiO2基体中,当溅射功率和溅射气压变化时,ZnS-SiO2薄膜的微结构和折射率n发生显著变化,微结构的变化是导致折射率n变化的主要原因,通过优化溅射条件可以制备适用于相变光盘的高质量ZnS-SiO2介电薄膜.  相似文献   

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