场离子显微镜(FIM)简介

场离子显微镜（ＦｉｅｌｄｉｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）是由美国宾夕法尼亚国立大学已故的Ｅ．Ｗ．Ｍｕｌｌｅｒ教授在１９５１年发明的一种具有高放大倍数、高分辨率的,并能直接观察表面原子的研究装置．早在１９３７年,Ｍｕｌｌｅｒ曾发明了场发射显微镜．他在一个金属针尖上加了负的高电压之后,观察到在尖端产生冷电子发射．将其表面状况扩大并投影到荧光屏上,但是这种因隧道效应而产生的冷电子发射,由于发射电子具有?...     

场离子显微镜(FIM)实验技术介绍

场离子显微镜的实验技术是随着超高真空技术的发展而不断完善的．Ｅ．Ｗ．Ｍｕｌｌｅｒ［１］早期使用的实验装置是结构十分简单的密封式全玻璃系统,真空度为１０－６Ｔｏｒｒ,而且是离子直接成像,因此像的亮度和清晰度都较差．目前国际上已有的场离子显微镜装置如本刊［２］曾介绍过的那样,其真空室除观察窗、真空规及冷指外,全由不锈钢加工制成．真空系统由扩散泵、离子泵、升华泵、吸附泵或涡轮分子泵等组成．真空室经?...     

场致发光理论(三)

C)场致发光过程的机理 根据前面对缺陷边界区的分析,作者认为,在场致发光材料中存在着n—p—n结构,用它可以说明发光的产生及其特征。 图12a)是结在热平衡下的能带相互关系,这时没有外加电场。图12b)是加了电场,使电子流向缺陷边界(p型区)的左端。这种情况和加正向偏压的n—P二极管相似。不过在这里注入缺陷区(P区)的大量电子被断裂键所俘获,不能和空穴复合,这是和一般的n—P二极管不同之处。另一方面,空穴不能大量流入n型区,因为价带顶倾斜度太大(P型区和n型区价带顶的能     

场致发光理论(二)

(三)建议模型 α)晶体缺陷对场致发光的作用 作者首先介绍了ZnS点阵的结构特征。S原子的外层电子组态是3S~23P~4,Zn原子的外层电子组态是4S~2。用Zn~((--))离子的四个4SP杂化轨道和S~((++))离子的四个3SP杂化轨道,就可能形成共价四面体的键。然而,这种结构与Zn~((++))和S~((--))之间的离子键相竟争。实际上,在ZnS点阵     

场致发光理论(一)

1936年,Destriau发现悬浮在绝缘介质中的ZnS—Cu粉末在交变电场作用下发光,这称为Destriau效应,或本征场致发光。这篇报告的作者总结了自1936年以来对这一现象所观测到的二十种比较重要的实验结果,并简单回顾了对这一现象所作的一些比较典型的理论解释。作者认为,当前对场致发光过程的物理解释仍然是很不清楚的。     

场离子显微镜

 一、历史的回顾场离子显微镜FieldIon Microscopc(FIM)是一种具有高放大倍数、高分辩率并能在原子级水准上直接观察表面原子的研究装置.它是由比它出现早15年的场发射显微镜Field Electron EmissionMicroscopc(FEM)的发明者E.W.Müller本人改进而成的.     

粉末材料的场致发光(3)——场致发光的应用

一、场致发光屏的制作 粉末场致发光应用的器件形式,就是做成各种不同类型的发光屏。这种屏的结构类似于一个平板电容器,所以有时候遇到场致发光电容器的称呼。它是由透明导电膜、发光粉和粘结剂、金属电极等主要部分组成的。目前已经实用的有两种,一种是以有机介质作粘结剂、导电玻璃作衬底的玻璃屏,一种是以无机介质作粘结剂、钢板作衬底的搪瓷屏。本文只就有机介质的玻璃屏作一初步介绍。 1.常用制屏工艺。在实验室和工厂中比较常用的制屏方法是刮印法和喷刷法。所谓刮印法,就是把发光粉和粘结剂(如发光     

粉末材料的场致发光(1)

1.场致发光的基本现象及一般原理 (1)交流激发下的场致发光 用于交流激发的粉末场致发光材料主要是ZnS:Cu之类材料。 交流场致发光的亮度和所加电压的关系符合经验公式: B=B_0exp[-(V_0/V)~(1/2)] 其中B为亮度,V为外加电压,B_0和V_0为和电压无关的常数。从这个经验公式可以知道,亮度是随电压的增大超线性增加的。B_0和V_0与温度、电压的频率,所用的发光粉,发光屏的结构有关。频率越高,温度越     

ZnS_(0.6)Se_(0.4)晶体中的绿色场致发光

在组分为ZnS0.6Se0.4的硫化锌和硒化锌固溶晶体上,制成了电极面积为1mm2的绿色发光二极管。在11V偏压下亮度达到200呎-朗伯,相应的能量效率为0.06％。室温下的发射峰值为5450A(2.27ev)的宽阔谱带。用ZnS晶体进行了初步试验,在1 mm 2面积上得到在20V偏压下,功率消耗为600mW,亮度为90呎-朗伯的蓝色发光(4800A,2.58ev)。     

ZnS:Mn,Cu粉末直流场致发光(DCEL)屏的交流场致发光(ACEL)特性

众所周知,ZnS:Mn,Cu粉末DCEL屏在直流激发和低占空比的直流脉冲电压激发下具有非常好的发光特性。利用这些特性,DCEL屏在显示显像技术中已初露头角,前景十分喜人。但是,这些优良特性还不能完全反映出DCEL屏的可贵之处。     

原子探针场离子显微镜技术

原子探针场离子显微镜具有原子分辨率,放大倍数约为10~6。可直接观察正空间固体表面原子的排列,并可分析包括轻元素在内元素的原子成分。质量分辨率△m/m为1/100到1/5000,元素探测极限达到0.2at％。是强有力的表面分析手段之一,也是迄今为止能从一个个原子的角度分析成分唯一的仪器。其应用领域十分广泛。本文将对此技术作一简介。     

场致发光ZnS:Er~(3 )薄膜的激发机理

在掺杂稀土离子的ZnS薄膜中,其发光中心为电场所激发的机理,过去认为可能有以下两种:(1)经由热电子直接碰撞激发;(2)基质晶格的碰撞离化产生了电子空穴对,继而发生从电子空穴对到发光中心的能量谐振迁移。 最近,Krupka证实了在ZnS:Tb~(3 )薄膜中的场致发光是由热电子直接碰撞而发生的。他观测了作为加在ZnS:Tb~(3 ),Ta_2O_5多层结构上的外加电压函数的荧光强度比     

ZnS(Cu,Mn,Cl)场致发光二极管的记忆效应

人们知道,在ZnS(Cu,Mn,Cl)薄膜夹层式场致发光元件中,每当改变外加电压方向时,就产生一“形成”过程(formingprocess),不过,对形成过程的具体机理还不完全了解。目前我们提出了SnO_2—ZnS (Cu,Mn,Cl)—Al二极管的Ⅰ—Ⅴ特性曲线,它与伴有场致发光的极化记忆二极管的开关过程有关。最近Hamakawa等人报导了SnO_2—ZnS—Au二极管,有类似的     

扫描近场拉曼显微镜中“热点”处场增强的数值模拟(英文)

在本文中我们提出了一种近场扫描光学拉曼显微镜的数值模型,其中,用一个银粒子来模拟扫描尖,一个薄的银膜层来模拟样品的衬底。我们模拟了这种模型在p极化的隐失波的照射下,其热点处的场增强。通过变化银粒子的半径,银膜的厚度以及银粒子与银膜之间的距离,我们得出了产生最强场增强的三个参数     

光子扫描隧道显微镜的探测场

通过修改光子扫描隧道显微镜探测场的计算模型，推导出比较符合实际的探测场及透射系数的计算公式，并利用这一新计算公式在微机上进行了模拟计算，得到了一些过去未曾发现的现象，对光子扫描隧道显微镜的实际探测具有一定的指导意义。     

(Zn.Cd)(S.Se)的场致发光性质

本文提出以(Zn,cd)(S,Se)为基质的具有红色場致发光的发光材料的研究结果。 研究了辐射光谱分布和发光亮度与发光材料基质组分的数量比和发光材料的使用条件(激发場的频率和温度)的关系。     

STM的同胞兄弟--原子力显微镜(AFM)

介绍了在扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）基础上发展起来的原子力显微镜（ＡＦＭ）的工作原理、关键部分、工作模式及其应用。     

从电子技术(实物)到光子技术(场)

当前，人类正进入信息化时代；这是微电子技术、光电子技术、通信技术、计算机科学与技术、自动化、精密机械等应用性很强的科学技术综合发展的结果．在迈人信息化社会的进程中，光电子技术起着十分重要的作用．它是继微电子技术之后，近十几年来迅速发展的新兴高科技，集中了固体物理、导波光学、材料科学、微细加工和半导体的科研成就，成为电子技术与光子技术的自然结合与扩展，是具有强烈应用背景的新兴交叉学科．这些都说明了从电荷-电子-电子学-电子工程-电子技术到光-光子-光子学-光子工程-光子技术发展的必然趋势，也是从量子力学（实物）到量子电动力学、量子场论（场）发展的必然结果：信息技术的发展在20世纪是由电子学向光电子学发展的阶段；     

场致发光显示

1.引言 虽然今天对场致发光显示器件很感兴趣,然而在过去几年里,对它的重视程度是有过很大起落的。早在1937年,Destriau在磷光体粉末上进行了实验,发现直接施加电场可以产生发光。遗憾的是,在科学     

场致发光器件

场致发光屏作为大面积屏或显示器,由于种种原因,没有获得广泛的应用。一个主要的原因是,要获得命人满意的亮度,就要很大的功率。卽使功率损耗不是重要问题,但大量的功耗产生大量的热,就使得屏的各种成分迅速老化,因而使寿命缩短。所以除了一些像夜间光源一类的低功率、低亮度的器件外,其他器件未能成为市售商品。 把发光屏当作一个电容来处理,把它和正好匹配的电感接成谐振回路,并调到谐