1983年国际固体电路会议

<正>1983年际固体电路会议(以下简称ISSCC)于2月23至25日在美国纽约召开.一年一次的固体电路会议是IEEE组织内所有专业会议中规模最大的一个全球性学术会议.它是世界范围内半导体技术,尤其是固体电路技术最新研究成果和未来发展趋势的一个标志.第一次     

1985年国际固体电路会议上发表的1M位动态存储器概况

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一九八五年国际固体电路会议述评

一年一度的报导最先进大规模集成电路的国际固体电路会议今年(ISSC′85),业已闭幕。1兆位动态随机存贮器、256k位静态随机存贮器,二万门级的CMOS门阵等高集成度的大规模集成电路的研制报告引人注目。面向各种信号处理大规模集成电路,通信用大规模成电路,图象存贮等用途的大规模集成电路发展动向,也引起了人们的注意。在模拟-数字并兼容大大规模集成电路及固体摄象元件,工业及民用模拟集成电路方面,取得了卓有成效的成果。     

参加81年国际固体电路会议拾零

本届会议在美国纽约市召开,为期三天,共提交91篇报告,它们反映了近一年来在固体电路方面取得的新成绩。现分几个部分概述于下: 一、超大规模集成技术 会议特邀斯坦福大学梅特尔教授作了“超大规模集成技术极限”的报告。他指出了五个限制因素。 (1)基本因素:从热力学原理导出数字系统中每一次开关瞬变所需要的能量至少为E_s,E_s=4KT=1.65×10~(-20)焦耳。 (2)材料因素:在硅材料中,一个电子通过电信号ΔV=1V)所需要的渡越时     

93国际固体电路会议概览

第40届国际固体电路年会(ISSCC)于今年2月24日～26日在美国旧金山市举行。会议集中反映了当今固体集成电路领域所取得的前所未有的的进步。会议所涉及的技术领域非常广泛,从存储器、微处理器、通讯电路、视频与信号处理器、数据转换器到神经网络芯片都有论文。会议设16个专题,收到来自13个国家的IC专家的93篇论文,另外还组织了8个专家讨论会。     

1972年度国际固体电路会议简况

今年2月16日至18日,在美国费城召开了1972年度国际固体电路会议,资本主义世界的一些主要厂家在会上介绍了一些器件的研制水平与情况。在微波放大器方面,日本富士通公司研制的碰撞雪崩渡越时间二极管放大器在11千兆赫连续波输出0.5瓦;     

一九八五年国际固体电路会议述评(续)

逻辑大规模集成电路 规模大和多样化的门阵电路 在逻辑门阵列领域,正在向着大规模集成和品种多样化的方向发展(表Ⅲ)。CMOS门阵芯片的集成规模已超过二万门。随着门阵电路的大规模集成化,芯片内设置存贮器和测试用电路的门阵电路也日益盛行起来。基本单元结构的构成方法也是多种多样。较为引人注目的方法是采     

一九七九年国际固体电路会议及美国集成电路发展概况

1979年国际固体电路会议于2月14日至16日在美国召开,中国电子学会派出固体电路小组赴美参加此次会议,会后应邀进行了参观。本文就会议和参观的主要情况作一介绍,供有关同志参阅。     

MOSVLSI的新进展——参加1980年国际固体电路会议笔记

近年来,由于超精细加工技术和计算机辅助设计技术的发展,MOSLSI取得了长足的进展,出现了超大规模MOS集成电路MOSVLSI,使集电路高性能和低成本的特点更为突出。这些超精细加工技术主要包括:电子束制版,电子束直接光刻,投影光刻,全离子注入,全干法腐蚀,薄层介质和薄层外延,它使三维的(平面的及纵向的)超微细加工成为可能。最近5年中,NMOS已经从6u,1100(?)的栅减小到2μ,     

国际固体电路会议(ISSCC)评述

现今已步入第四十二个年头的国际固体电路年会(ISSCC)向人们展示了世界范围内实验室IC设计的最高水平,而且这些设计最终将成为上市的产品.这次会议于2月15日至17日在美国加州旧金山召开,展示了多种多样的数字IC、模拟IC和通信IC的开发成果.《Electronic Design》对这次会议的报道一开始由半导体编辑Dave Bursky评述主要的数字技术的发展.他探讨了首批Gb级DRAM、高速SRAM、三维图形、非易失与铁电体存储器和存储器宏结构的细节.同时,他还仔细研究了降低存储器功率的方法.其他数字技术的发展有最新的64位RISC与CISC CPU、DSP IC、乘法器、线路驱动器、时钟缓存、FP- GA及多媒体IC.     

’2000ISSCC国际固体电路会议拾零

’2000ISSCC国际固体电路会议于2000年2月7日～9日在美国旧金山市举行,共发表学术论文176篇。所涉及的方面主要为:微处理器、信号处理器、接口电路、A-D转换器、通信用集成电路、存储器等。现将会议中引人注目的信息作一介绍。1美国SUN微系统公司开发的第3代RISC(精简指令)型64bit微处理器。工作频率600MHz,可同时下达4个指令,集成2300万个晶体管。采用0.18μmCMOS技术和7层金属布线工艺。芯片尺寸为370mm2,电源电压+1.8V,功耗80W。2加拿大NortelNetworks公司开发的10Gbit/s光通信应用的单片接收机。采用SiGe技术,集成AGC(autog…     

1983年SPIE~*国际技术会议

1983SPIE 国际技术会议于4月18～22日在瑞士日内瓦举行。会议由美国 SPIE、国际光学工程学会主办并由欧洲各国有关学会协助组织的。这是一次大型国际光学工程会议,有八百多名科学家和工程师参加,其中论文作者400多人,大会分8个分会场;红外探测器技术、激光扫描和记录、数字象处     

超大规模集成电路的新发展——参加1980年国际固体电路会议随记

每年一度的国际固体电路会议,在三十余名代表的热烈讨论和交流之后,于二月十五日在美国旧金山结束,人们互相告别并期待着明年二月在纽约再次相聚。 这次会议是标志着超大规模集成电路已经到来的会议,是对80年代作出展(?)的会议。它宣布,集成电路已经发展到了这样的阶段,即把电子系统集成到一个芯片上;把数字电路和模拟电路结合起来集成在同一个芯片上。     

2000年国际光学会议动态

美国SPIE协会计划在2000年1月22日至28日在加里福尼亚洲圣约瑟(SanJose)召开一次国际性光电会议。其内容主要包括: 1.激光2000年专业组: 大功率激光器及其应用 2.光电2000年专业组: 各种光电集成器件 3.生物医学与光学2000年专业组 4.电子图像2000年科学与技术(sPIE第12届年报) 在国际会议召开的同时,还有500多家专业公司参加的展览会。 会议组织者欢迎世界各国的优秀学者不失时机参加这次盛会。报名地址:P.O.BOX 10.Belligham,WA98227—0010.IJSA.SPIE(No.59)2000年国际光学会议动态~~…     

从1982年国际固体电路年会看VLSI的进展

美国1982年国际固体电路会议于2月10日至12日在美国旧金山召开。会上分十七个专题发表了101篇报告。其中美国68篇,日本28篇,西欧共5篇。本届会议的报告内容主要围绕着有关VLSI课题,可以看到VLSI技术在各个领域不断扩大应用是明显趋势。现就有关专题摘要汇报于下。     

1983年——国际通信年

<正> 根据联合国决定,1983年为国际通信年(World Communication Year)并公布了线花状年徽。人部分国家特别重视。像日本还成立了以内阁总理大臣为首的,包括文部大臣、通商产业大臣、邮政大臣以及20名     

1983年国际激光会议(ICL′83)简记

由美国光学和量子电子学学会组织的第六届国际激光会议于1983年12月12～16日在美国旧金山举行。这次会议除半天大会报告外,其余时间共组织了42次分组会议,涉及的内容极其广泛。主要包括非线性光谱学、激光材料加工、二极管激光器、激光驱动的加速器、激光与大气科学、激光辅助的碰撞、固体激光材料、红外与分子激光器、自由电子激光器、纤维光学技术、微微秒现象、色心激光器、兰绿光和金属蒸汽激光器、激光化学、非线性效应、高能激光器、准分子激光器、激光用于分析化学、光腔和传输、激光同位素分离、激光用于生物     

1988年IEEE国际微波会议动态

一、概况会议于1988午5月25—27日在美国纽约市举行。据传参加人数达7500人。有214篇论文,作者来自十多个国家与地区。我国出席会议的代表来自四所大学和二所研究所,被录用的学术报告有八篇。同时还举行了IEEE微波·毫米波单片集成电路学术会议有35篇报告。会议之前安排下列五个小组讨论会以及八个专题讨论会,专题讨论会题目如下:     

1984年国际电子器件会议上的议题

1984年电子器件领域规模最大的学术会议IEDM(International Electron Device Meeting)于12月10日～12日在美国旧金山市召开。与会者达2800人以上。这次发表的204篇论文选自22个国家的524篇所投稿的论文。各国发表的论文数是;美国119篇,日本53篇,其他国家32篇,这样,日本发表的占26％。其中有关硅集成电路专业的论文有118篇;而美     

国际洁净会议动态

国际洁净室教育委员会（ICEB）会议 2010年9月3日在东京会展中心召开了国际污染控制学会联盟的国际洁净室教育委员会（ICEB）全体会议。8个成员组织,代表11个国家（荷兰、中国、日本、爱尔兰、法国、意大利、韩国、瑞典、挪威、芬兰、丹麦）,和来自美国、德国、巴西的3个观察员组织出席了会议。