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Ni掺杂ZnO薄膜的荧光特性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用脉冲激光沉积技术(PLD)在单晶Si 衬底上制备了Ni掺杂的ZnO薄膜,通过VARAIN Cary-Eclips 500型荧光光谱仪研究了样品的荧光特性。观察到360和380 nm左右2个荧光峰。通过Ni掺杂,研究了360 nm左右荧光峰的起源。结果表明,随着靶材中Ni掺杂量的不同,荧光峰峰位不变,而相应的发光强度发生了明显的变化。当靶材中Ni∶ZnO的摩尔比Xs为5%时,样品中360 nm紫外荧光峰的发光强度最佳,表明360 nm左右荧光峰并不是重掺杂后杂质能级深入到导带的结果,有可能是起源于分裂的价带与导带间的复合跃迁。 相似文献
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ZnO薄膜的掺杂特性 总被引:8,自引:4,他引:4
通过MOCVD方法生长的ZnO薄膜一般为富锌生长,呈n型电导,要想得到高阻或低阻p-ZnO薄膜需要对其进行掺杂施主或受主杂质.主要研究在生长过程中通过NH3对ZnO薄膜进行氮掺杂的情况,利用优化生长条件,即生长温度为610℃,Ar气(携带DEZn)流量为4sccm,O2流量为120sccm,N2流量为600sccm,得到在NH3流量为80sccm时生长样品的结晶质量最高,在掺杂薄膜中NH3流量高于或低于80sccm时,样品的表面形貌都将变差,只有在80sccm时表面粗糙度最低晶粒最小,表明该流量下获得的样品表面较光滑致密.所以80sccmNH3流量为在R面蓝宝石上生长<110>取向ZnO薄膜的最佳掺杂流量.Hall测量结果表明,NH3流量为50sccm的样品电导呈弱p型,电阻率为102Ω·cm,空穴载流子浓度为+1.69×1016cm-3,迁移率为3.6cm2·V-1·s-1;当NH3流量增加时样品的电导呈n型,电阻率最高达108Ω·cm,我们认为与进入ZnO薄膜的H的量有关,并对其变化机理进行了详细的分析. 相似文献
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提出了以改变半导体薄膜的掺杂浓度来调节它的等离子体频率ωp,使它的高透射区移至可见光带.选择本征吸收频率在近紫外区的金属与之构成最佳的D/M光谱透射-反射膜系,同时结合掺杂半导体膜与金属膜的最佳厚度组合以形成较理想的透明隔热复合膜.
关键词: 相似文献
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在具有电致发光(EL)的有机整合染料8-羟基喹啉铝(Alq3)中接以染料罗丹明6G(R6G),用真空热蒸发的方法制备器件,获得了峰值波长575nm的黄色直流薄膜电致发光,从而通过掺杂改变了发光颜色.并在Alq3发光层不同区域插入一掺杂薄层(Alq3:R6G),利用其发光波长与未掺杂部分(Alq3)的不同,以此作为“探测层”,通过对器件光谱及电学特性的测量与分析,探讨了有关发光区域,发光机理,界面对发光影响等基本问题. 相似文献
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铁电薄膜、多层膜及异质结构研究 总被引:10,自引:0,他引:10
综述了铁电薄膜,多层膜和异质结构研究的新进展,分析了铁电薄膜不同制备方法的优缺点,重点介绍了铁电薄膜在铁电存储器,微电子机械系统及热释电红外探测器方面的应用,指出了目前铁电薄膜及器件设计研究需要重点解决一些问题。 相似文献
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本文报导了不同浓度的金属铒和氟化铒掺杂的硫化锌薄膜交流电致发光(ACEL)的特性,并进行了比较。实验结果表明:ZnS:ErF3薄膜ACEL的最佳浓度(5×10-3g/g)低于ZnS:Er3+薄膜ACEL的最佳浓度(1×10-2g/g)。在ZnS薄膜中掺入稀土离子,随着浓度的增加,稀土离子之间发生交叉弛豫,这一过程与稀土离子周围环境有关,这正是ZnS:ErF3和ZnS:Er3+薄膜ACEL具有不同的最佳浓度的主要原因。 相似文献
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对硫化锌未灼烧的原粉、灼烧两次的粉料及分舟热蒸发研制的掺铒硫化锌电致发光薄膜器件,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和发光亮度测试技术、测量硫化 的粉、粉料、薄膜的表面及内部构态,获得微晶薄膜态与发光中心攻发光亮度关系的信息,江膜多晶的沉积有择优陬向的趋势;对(311)、(400这些高指数的晶面,能量相对较小,稀土较容易置换这些晶粒格点上的Zn^2+,形成稀土发光中心;高指数的晶面 相似文献
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钇,钡,铜超导薄膜的非破坏测定 总被引:1,自引:0,他引:1
本文配合阶段性薄膜制备工艺,用有限厚度范围内的转换因子法及模拟薄膜标样的基本参数法,X-射线荧光光谱非破坏测定钇、钡、铜超导薄膜。经我们实验,它们与破坏法ICP相比,A_((Ba/Y))克原子比的平均绝对偏差分别为0.15与0.065,A_((Cu/Y))克原子比的平均绝对偏差分别为0.14与0.088,模拟薄膜标样的基本参数法优于转换因子法。作者还对薄膜试样非破坏测定中的标样选用进行了探讨。 相似文献
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高温超导薄膜无源微波器件的应用 总被引:4,自引:0,他引:4
高温超导薄膜在微波器件中的应用,与常规导体相比可以减小器件的体积,重量,功率消耗和插入损耗,并且可以在液氮沸点附近工作,接近于卫星的环境温度100K,微波器件是在几个平方厘米的高温超导薄膜上制备的。这些薄膜必须要有最高的超导性能,如临界温度,临界电流密度以及微波表面电阻,因此高温度超导薄膜的应用受到制备大面积,高质量薄膜的限制,美国高温超导空间实验在1999年5月已经获得成功,使高温超导薄膜在微波器件中的应用成为现实。 相似文献