Co/Cu多层纳米线阵列的制备与磁性能

利用双槽直流电沉积技术在阳极氧化铝(AAO)模板的纳米孔中获得调制波长为50 和200 nm 的Co/Cu多层纳米线, 多层纳米线的调制波长由电沉积时间控制. 运用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)表征纳米线的形貌, Co/Cu多层纳米线的长度约20 μm, 直径约80 nm; 用X射线衍射(XRD)研究多层线的结构; 用振动样品磁强计(VSM)测试纳米线阵列的磁性能; 利用可变磁场结合高灵敏度恒流装置研究巨磁电阻(GMR)特性. 结果表明, Co/Cu多层纳米线具有磁各向异性. 当磁场与纳米线平行和垂直时, 调制波长为50 nm的多层线的矫顽力分别为87500 和34200 A·m-1, 而调制波长为200 nm的多层线阵列的矫顽力分别为28600 和8000 A·m-1. 调制波长为50 nm的多层纳米线的磁电阻变化率高达-%, 而调制波长为200 nm的多层线未产生明显的GMR效应.     

热处理对[NiFe/Cu/Co/Cu]_n多层纳米线磁性能的影响

采用双槽控电位法在阳极氧化铝(AAO)模板中制备了有序均一的[NiFe/Cu/Co/Cu]n多层纳米线阵列,并在不同温度下进行了热处理.利用X射线衍射(XRD)对热处理前后多层线的晶体结构进行了测试.考察了不同退火温度对多层线矫顽力、剩磁比、巨磁电阻(GMR)效应、磁灵敏度的影响.随热处理温度升高,多层纳米线中磁性微晶晶型取向越来越明显,晶体结构更均匀;多层纳米线的矫顽力和剩磁比先增大后减小.300°C下多层纳米线矫顽力达到最大值,GMR最大值可达59%,对应的磁电阻灵敏度(SV)为0.233%Oe-1.     

电结晶铜/钴纳米多层膜结构与磁性能研究

以n型Si(111)为基底, 在硼酸镀液体系中采用双槽法电结晶制备Cu/Co纳米多层膜, 确定了工艺条件. 用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对纳米多层膜的结构和形貌进行了表征, 显示多层膜具有良好周期性和超晶格结构. 并用物性测量系统PPMS测试了不同结构 Cu/Co纳米多层膜的磁性能. 磁滞回线表明: 不同周期数的纳米多层膜其矫顽力均较小. 巨磁阻(GMR)性能与纳米多层膜结构有关. GMR值随Co磁性层厚度增长先增大后减小, 有一极值; 随着Cu非磁性层厚度的增加GMR值发生周期性的振荡; 随周期数N的增大, GMR值先增大, 在N为60时达到了90%, 随着N的继续增加而减小, 当达到80周期时, GMR值趋于稳定.     

自旋阀多层膜的电化学制备及其巨磁电阻效应

采用双槽控电位电沉积法在n-Si(111)基体上以NiFe 薄膜为缓冲层制备了[Ni80Fe20/Cu/Co/Cu]n自旋阀多层膜, 并确定了电沉积的工艺条件. 利用X射线衍射(XRD)表征了自旋阀多层膜的超晶格结构, 研究了NiFe缓冲层对自旋阀生长取向的影响. 采用四探针法研究了各子层厚度对自旋阀巨磁电阻效应的影响, 通过振动样品磁强计(VSM)测试了自旋阀的磁滞回线. 自旋阀的巨磁电阻(GMR)值最初随着铜层厚度的变化并发生周期性振荡, Cu 层厚度为3.6 nm时, GMR 达到最大值,随后逐渐减小. 随着Co层和NiFe 层厚度的增大, GMR 值的变化趋势均为先增大后减小. 当自旋阀的结构为NiFe(25 nm)/[Cu(3.6 nm)/Co(1.2 nm)/Cu(3.6 nm)/NiFe(2.8 nm)]30时, GMR 值可达5.4%, 对应的磁电阻灵敏度(SV)为0.2%·Oe-1, 饱和磁场仅为350 Oe.     

双槽法电沉积Cu/Ni多层纳米线有序阵列

以多孔阳极氧化铝（AAO）为模板，采用双槽法电沉积工艺制得高度有序的Cu/Ni多层纳米线阵列。利用扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）对Cu/Ni多层纳米线进行了表征，观察到纳米线表面平滑，多层结构清晰，各子层厚度均匀，直径约为 100 nm，与AAO模板孔径基本一致。由选区电子衍射（SAED）照片可知，多层纳米线中Cu层和Ni层均为单晶结构。振动样品磁强计（VSM）测试结果表明，Cu/Ni多层纳米线阵列具有明显的垂直磁各向异性，外加磁场垂直和平行于AAO模板表面时，磁滞回线的矩形比分别为 0.701 和 0.101 ，矫顽力分别为 589 Oe和 202 Oe。通过控制铝阳极氧化工艺及电沉积时间，可获得不同直径、不同子层厚度的Cu/Ni多层纳米线阵列。     

纳米金属多层膜与多层纳米线的电化学制备及其表征

分别采用单槽法和双槽法电沉积Cu/Co多层膜.研究了两种电沉积方法制备多层膜的工艺条件,利用电化学方法、XRD和SEM对多层膜进行表征,并对Cu/Co多层膜的巨磁阻性能进行了测试. 采用电沉积多层膜的方法，以多孔铝阳极氧化膜（AAO）为模板,在纳米孔内沉积Cu/Co多层线,采用TEM对多层纳米线进行了表征.     

Cu/Co/Fe水滑石衍生的复合氧化物催化高氯酸铵热分解的研究

以Cu/Co/Fe水滑石(Cu/Co/Fe-LDHs)为前驱体经过焙烧制备了Cu/Co/Fe复合氧化物(Cu/Co/Fe-MOs)。利用DTA和TG-MS研究了Cu/Co/Fe-MOs作为新型催化剂对高氯酸铵热分解的催化性能。结果表明,Cu/Co/Fe-MOs呈现为CuFe2O4和(CoFe2)O4晶相,具有70~110 m2.g-1的比表面积。晶粒大小均匀,尺寸在20~30 nm。添加4wt%的400℃焙烧得到的Cu/Co/Fe-MOs催化剂使高氯酸铵热分解反应的温度降低了139℃。Cu/Co/Fe-MOs是通过吸附在金属氧化物表面的超氧离子(O2-)来加速高氯酸铵热分解的。     

微波热解法制备Cu/Cu2O纳米材料

在二乙二醇溶剂体系中利用微波介电加热分解醋酸铜前体,进一步还原得到Cu2O和Cu纳米粒子以及Cu/Cu2O核壳结构。 采用X射线衍射、透射电子显微镜、扫描电子显微镜和紫外吸收光谱测试技术对产物的形貌、结构和组成进行了研究,结果表明,得到的Cu/Cu2O核壳结构直径为500 nm左右。 对比实验研究了不同聚合度乙二醇系列溶剂、反应时间以及表面活性剂或配位剂对产物形貌、组成的影响,表明低聚合度乙二醇和长的反应时间有利于醋酸铜还原形成铜。     

ZnSe;Cu纳米晶/聚电解质多层膜制备和结构研究

采用分子沉积方法制备了ZnSe;Cu纳米晶/聚电解质多层膜,通过X射线光电子能谱(XPS)和透射电镜(TEM)等方法对薄膜的组成及结构进行了表征.XPS结果证实了回流处理对ZnSe;Cu微粒的表面结构以及铜离子价态的影响,从而很好地解释了经表面修饰后,微粒荧光增强的现象.TEM结果确定ZnSe;Cu的平均尺寸为3nm.X射线粉末衍射结果进一步确认ZnSe;Cu具有纤锌矿晶体结构.     

ZnSe∶Cu纳米晶/聚电解质多层膜制备和结构研究

采用分子沉积方法制备了 Zn Se∶Cu纳米晶 /聚电解质多层膜 ,通过 X射线光电子能谱 ( XPS)和透射电镜 ( TEM)等方法对薄膜的组成及结构进行了表征 . XPS结果证实了回流处理对 Zn Se∶ Cu微粒的表面结构以及铜离子价态的影响 ,从而很好地解释了经表面修饰后 ,微粒荧光增强的现象 .TEM结果确定 Zn Se∶Cu的平均尺寸为 3nm.X射线粉末衍射结果进一步确认 Zn Se∶Cu具有纤锌矿晶体结构 .     

Cu含量对以水滑石为前驱体的Cu/Co/Mn/Al催化剂高级醇合成性能的影响

A series of Cu/Co/Mn/Al catalysts derived from hydrotalcite precursors with different Cu/Co molar ratios (0, 0.1, 0.5, 1.0, and 2.0) were prepared and used for the synthesis of higher alcohols from syngas. N₂ physical adsorption desorption, inductively coupled plasma atomic emission spectrometry (ICP-AES), X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), hydrogen temperature-programmed reduction (H₂-TPR), thermogravimetry (TG), and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) techniques were employed to investigate the physical and chemical properties of the Cu/Co/Mn/Al catalysts. The results show that the optimum Cu content can increase specific surface area, improve reducibility, and form regular layered structure to provide more uniform distribution of active sites, thereby enhancing catalytic activity and alcohol selectivity. When the Cu/Co molar ratio was 0.5, the yield of alcohol and the alcohol selectivity reached the maximum values of 0.071 g·g^-1·h^-1 and 35.9%, respectively.     

半导体硅上电沉积Cu/Co层状薄膜

由磁性层和非磁性层组成的人工调制层状结构多层膜,其物性和磁性都表现出与其它结构的多层膜显著不同的特点,如巨磁阻效应［’,‘l、易磁性方向的改变等”］．其性能的研究不但在磁性理论上具有重大意义,而且有望应用于高性能的磁阻敏感设备及提高磁记录密度等．因而近年来有关这方面的研究越来越引起人们的重视．目前,磁性多层膜的制备主要采用气相沉积、磁控溅射、分子束外延等真空技术．由于电沉积技术具有设备简单、操作方便等特点而成为制备多层膜的颇具活力的工艺．CO／Cll多层膜在C。层厚度较薄时具有较高室温巨磁阻（GMR）…     

花状Cu2O/Cu的水热合成及其光催化性能

以硝酸铜为前驱体, 不采用任何模板, 通过逐步水热法合成了花状Cu2O/Cu复合纳米材料. 用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和紫外-可见漫反射光谱(DRS)对样品进行表征. 结果表明, 花状纳米Cu2O/Cu材料是由长为300-500 nm, 宽为30-70 nm的带状花瓣构成, 在可见光区域有很强的吸收. 复合材料中Cu的含量可以通过反应时间进行调控. 对染料Procion Red MX-5B(PR)的可见光催化降解, Cu能明显提高Cu2O的光催化性能. 当Cu质量分数为27%-71%时, 复合材料Cu2O/Cu的催化活性明显高于单相Cu2O. 与立方体形貌的Cu2O/Cu复合材料相比, 花状纳米Cu2O/Cu复合材料对染料PR有更高的催化降解性能. 且该复合材料有较高的循环回收利用率.     

Characterization of CuInS2 Thin Films with Different Cu/In Ratio

Thin films of CuInS₂ were grown on glass substrate by successive ionic layer adsorption and reaction method with different [Cu]/[In] ratios and annealed at 400 °C for 30 min. The crystal structure and grain sizes of the thin films were characterized by X-ray diffraction method. Atomic force microscopy was used to determine surface morphology of the films. Optical and electrical properties of these films were investigated as a function of [Cu]/[In]ratios. The electrical resistivity of CuInS₂ of thin films was determined using a direct current-two probe method in the temperature range of 300—470 K. It is observed that, the electrical resistivity values show a big decreasing with increasing [Cu]/[In] ratio. Hence, the [Cu]/[In] ratio in the solution can drastically affect the structural, electrical, and optical properties of thin films of CuInS₂.