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用脉冲激光沉积在不同条件下制备非晶碳超硬薄膜,研究了非晶碳超硬薄膜的表面形貌、结构、应力、硬度以及能谱等。原子力显微镜和扫描电镜图像显示,薄膜表面平整、致密且光滑,均方根粗糙度最大为0.877 nm。在高激光重复频率、高激光通量条件下,薄膜有很大的应力,致使膜层褶皱甚至破裂,小角X射线衍射表明薄膜为非晶态且最大残余应力达30 GPa以上,但300 ℃温度的原位退火可以有效降低残余应力;纳米压痕测试表明薄膜硬度大于20 GPa,弹性模量大于200 GPa;X射线光电子能谱表明薄膜中sp3的含量在39%~53%之间变化,并且与激光通量成正比。 相似文献
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采用脉冲激光气相沉积(PLD)法,研究了氢气压强对非晶CH薄膜性能的影响。原子力显微镜图和白光干涉图显示,薄膜表面平整致密,随着氢气压强增大,粗糙度变大。拉曼光谱分析表明,氢气压强增加,G峰和D峰位置都在向高波数方向移动。傅里叶变换红外光谱分析显示,薄膜中存在sp3—CH2和sp2—CH等基团。最后,采用PLD漂浮法在最优参数氢气压强为0.3 Pa下,成功制备了不同厚度(100~300 nm)、满足一定力学强度、无明显宏观缺陷的自支撑CH薄膜。 相似文献
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使用三氟甲烷和苯的混合气体,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备了F/C比在0.11—0.62之间的α-C∶F薄膜.研究了微波功率对薄膜沉积和结构的影响,发现微波功率的升高提高了薄膜的沉积速率,降低了薄膜的F/C比,也降低了薄膜中CF和CF3基团的密度,而使CF2基团的密度保持不变.在高微波功率下可以获得主要由CF2基团和C=C结构组成的α-C∶F薄膜.薄膜的介电频率关系(1×103—1×106Hz)和损耗频率关系(1×102—1×105Hz)均呈指数规律减小,是缺陷中心间简单隧穿引起的跳跃导电所致.α-C∶F薄膜的介电极化主要来源于电子极化
关键词:
氟化非晶碳薄膜
ECR等离子体沉积
键结构
介电性质 相似文献
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本文报道了在同一直流电弧等离子体射流CVD装置上,采用不同的沉积条件高速合成金刚石,类金刚石,高取向热解石墨以及无定形碳等四种碳膜。经X射线衍射(XRD),拉曼散射谱(Raman),扫描电镜(SEM)形貌分析以及显微硬度测试表明,该方法制得的金刚石膜和高取向热解石墨膜具有很高的纯度和良好的晶性,类金刚石具有独特的形貌和Raman散射特征以及可与金刚石膜比拟的硬度。 相似文献
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在电容耦合式PECVD系统中,以CH4和H2为气源,通过控制H2的流量制备了一系列氢化非晶碳膜(a-C:H)样品。利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、光致发光谱(PL)和吸收谱对a-C:H膜的结构及光学性质进行了研究。结果表明:氢稀释可以在一定程度上减少碳的sp^2团簇的形成,增大它的光学带隙,并改变薄的微结构。与此同时,光致发光峰随郑 光学带隙的增大而蓝移;当光学带隙增大2.72eV时,出现了2.4eV(绿光)和2.97eV(蓝光)组成的发光峰。 相似文献
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