Ni—50wt%Ti合金的择优溅射

用卢瑟福散射技术测定了Ｎｉ－５００ｗｔ％Ｔｉ合金在３０ｋｅＶ Ａｒ＾＋离子轰击时的组分原子溅射角分析。结果表明，Ｎｉ原子和Ｔｉ原子的角分布存在差别；Ｎｉ原子在靶表面法线方向择优发射，而Ｔｉ原子则在大发射角区域发射较Ｎｉ强。根据元素在靶点表面按形貌特征局域富集情况的观测，对实验结果进行了讨论。     

离子引出收集的沉积与溅射研究

研究离子引发收集过程中的沉积和溅射特性,给出了离子沉积和溅射的数理模型,其中重点分析了结合能、捕获概率和溅射系数这几个参数的物理意义和计算公式,给出了收集板总收集量和损失量.并且用计算机模拟了收集板的收集,给出不同的离子入射能量下入射离子元素沉积厚度和不同元素靶对各入射离子溅射特性的影响.得出以下的结论:随着离子沉积在收集板表面涂层厚度的增加溅射率也增加;离子的引出电压不是越高越好;轻质量离子的总收集率比较小;入射离子沉积和溅射特性和收集板靶原子质量有关,质量轻的金属材料作收集板,有利于提高离子的收集率. 关键词： 溅射 捕获概率 溅射概率     

快中子引起的背向溅射

描述了用实验方法测量快中子引起的背向溅射,测量了Mg、Al、Sc、V、Fe、CO、Cu、Zr、Au和316型不锈钢等10种材料的背向溅射产额,并与正向产额进行了比较,发现背向和正向溅射产额的比值与核反应的类型有关.本实验的结果同其它小组的结果进行了比较,并用溅射理论对实验结果进行了解释.     

高电荷态离子与SiO2表面相互作用的研究

高电荷态离子(Pbq ,Arq )由兰州近代物理研究所的ECR实验平台所产生,轰击非晶态SiO2表面.用微通道板测量溅射粒子产额的角分布.用公式拟合实验溅射角分布得到了较好的结果,并给出了初步的理论解释.由此得出了高电荷态离子与SiO2表面作用的微分溅射截面.实验结果表明高电荷态离子能够增加动能溅射;同时高电荷态离子入射能够引起势能溅射.在大角度入射时,溅射产额主要是由碰撞引起的;在小角入射时势能溅射所占比重会增大.     

磁控溅射Al膜的AFM性能分析及其制备工艺研究

用原子力显微镜(AFM)对直流溅射和射频溅射制备铝膜的表面粗糙度及颗粒大小进行了分析比较.实验结果表明:溅射功率和溅射时间对铝膜表面粗糙度有影响,通过延长溅射时间或提高溅射功率可使膜的平均颗粒直径增大.     

FeCl+轰击Ag靶的溅射产额非线性增强效应

报道了用FeCl⁺、⁵⁶Fe⁺和³⁵Cl⁺轰击Ag靶的溅射原子角分布和产额测量结果.发现FeCl⁺轰击Ag的原子溅射产额与⁵⁶Fe⁺和³⁵Cl⁺轰击的溅射产额之和相比有大的增强.这种溅射产额增强现象可以用热峰蒸发(thermal spike-evaporation)加上表面拓扑效应(surface topography effect)的理论模型进行解释.     

阳极氧化实验法测多层薄膜的厚度

本文报导了阳极氧化谱图技术，并以此为工具测量多层结构薄膜的厚度。     

Al-50wt% Sn合金的离子溅射研究

用捕获膜技术和卢瑟福背散射(RBS)分析,测定Al-Sn多相合金在30keV Ar⁺离子轰击时Al和Sn的溅射原子角分布。溅射后的样品用扫描电子显微镜(SEM)进行观察,并用电子微探针分析仪(EPMA)对轰击样品(靶点)和未轰击样品作成分分析。结果表明,Al的溅射原子角分布近于cosine形状,而Sn却是over-cosine型角分布。本文给出一个按不同表面形貌特征划分的各元素富集区i进行叠加的产额表达式,Y(θ)=∑Y_i(θ),解释了实验结果。 关键词：     

离子轰击入射角对溅射参数的影响

本文用基于两体碰撞近似的蒙特-卡罗模拟方法研究离子轰击入射角对溅射参数的影响,讨论了入射角与溅射产额、溅射粒子能谱、角分布和阈能的关系,并把计算结果与某些半经验公式和实验数据进行了比较。 关键词：     

溅射的同位素迷惑

影响多元材料溅射的机制是复杂的．在多元材料溅射中,同位素溅射是最简单的．虽然仅有质量效应在同位素溅射中起优势作用,但是在离子轰击溅射中,至今仍然是个“同位素迷惑”．争论的焦点有:（１）在零剂量时,同位素富集度是与出射角无关,还是与出射角有关？（２）同位素角效应是一次溅射效应,还是二次溅射效应？如何理解碰撞级联中的动量不对称性对同位素溅射的作用？文中综述了这些争论,并阐明了本小组的观点． Mechanisms affecting multicomponent material sputtering are complex. Isotope sputtering is the simplest in the multicomponent materials sputtering. Although only mass effect plays a dominant role in the isotope sputtering, there is still an isotope puzzle in suputtering by ion bombardment. The major arguments are as follows:(1) At the zero fluence, is the isotope enrichment ejection angle independent or ejection angle dependent? (2)Is the isotope angular effect the primary or the ...     

退火温度和溅射时间对磁控溅射法制备Mg2Si薄膜的影响

采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备 Mg2Si 薄膜。首先在钠钙玻璃衬底上交替溅射沉积两层Si、Mg 薄膜,冷却至室温后原位退火4 h,制备出一系列 Mg2Si 薄膜样品。通过 X 射线衍射仪(XRD) 、 扫描电子显微镜(SEM)对所得薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征, 讨论了退火温度和溅射Si/Mg/Si/Mg 时间对制备 Mg2Si 薄膜的影响。结果表明,采用磁控溅射法在钠钙玻璃衬底上交替溅射两层Si、Mg 薄膜, 通过原位退火方式成功制备出单一相的 Mg2Si 薄膜,溅射Si/Mg/Si/Mg 的时间为12.5/9/12.5/9 min,退火温度为550 ℃ 时,制备的 Mg2Si 薄膜结晶度最好,连续性和致密性最强。这对后续 Mg2Si 薄膜器件的设计与制备提供了重要的参考。 积两层Si、Mg 薄膜, 冷却至室温后原位退火4 h, 制备出一系列 Mg2Si 薄膜样品. 通过 X 射线衍射仪(XRD) 、 扫描 电子显微镜(SEM)对所得薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征, 讨论了退火温度和溅射Si/Mg/Si/Mg 时间 对制备 Mg2Si 薄膜的影响. 结果表明, 采用磁控溅射法在钠钙玻璃衬底上交替溅射两层Si、Mg 薄膜, 通过原位退火 方式成功制备出单一相的 Mg2Si 薄膜, 溅射Si/Mg/Si/Mg 的时间为12.5/9/12.5/9 min, 退火温度为550 ℃ 时, 制 备的 Mg2Si 薄膜结晶度最好, 连续性和致密性最强. 这对后续 Mg2Si 薄膜器件的设计与制备提供了重要的参考.     

MeV Si离子轰击SiO2溅射行为研究

关键词：     

同位素择尤溅射角分布研究

本文从理论和实验两个方面探讨了同位素溅射角分布问题。从实验上得到的同位素溅射角分布曲线表明,在垂直靶面方向轻同位素择尤溅射,而在倾斜方向,则重同位素择尤溅射。在理论上考虑了原子级联碰撞过程中的能量和动量传输的不对称性,给出了一个与实验结果相符的同位素溅射角分布表达式。 关键词：     

多层溅射制备Wsix/Si薄膜的电阻率特性研究

利用多层溅射技术制备了ＷＳｉ_x／Ｓｉ薄膜，然后测量其平面电阻的退火行为，发现平面电阻在６００－７００℃之间退火后有陡降，这对应于非晶ＷＳｉ_x薄膜中Ｗ₅Ｓｉ₃四角相的形成。ｘ射线衍射和慢正电子湮没测量也证实了这一点。认为薄膜电阻率的突变反映了导电机制的变化，它和薄膜结构的变化有很好的对应关系。 关键词：