X射线源的真空蒸镀

本文利用超高真空蒸发镀膜技术对ｘ射线双阳极靶进行蒸镀，获得了良好性能的阳极靶．     

蒸镀法制备全有机并五苯薄膜场效应晶体管

以全蒸镀方法在真空室内一次性制备了正装结构的全有机并五苯薄膜场效应晶体管。正装结构全蒸镀法有利于简化工艺制备程序,缩小器件尺寸,提高集成度。制备的绝缘层厚度仅为50nm的全有机薄膜场效应晶体管,器件的工作电压降至10V,相同电压下饱和输出电流有了明显提高。筛选适当的有机绝缘材料,改善全有机薄膜场效应晶体管有源层/绝缘层的界面性能,使阈值电压几乎降至0V,场效应迁移率提高了3倍多,输出饱和电流也有了明显的提高。     

强磁场对真空蒸镀制取Te薄膜的影响

采用强磁场下物理气相沉积方法,在单晶硅、玻璃板和聚乙烯（PET）基片上真空蒸发制取Te膜.结果显示在三种不同的基片上生长Te膜时,4 T强磁场能够加快Te膜的形核长大,增大Te膜的颗粒尺度,使晶粒〈011〉方向取向性增强. 关键词： 真空蒸镀 强磁场 晶面取向 Te薄膜     

Ta_2O_5薄膜的低能离子辅助蒸镀

用低能氧离子辅助蒸镀技术,制备了一系列Ta_2O_5薄膜.观测了薄膜的微结构,测量了薄膜的光吸收和光散射.实验指出,离子束轰击和基片加热同时进行,能够制得透明而匀均的Ta_2O_5薄膜.     

分层蒸镀制备聚酰亚胺自支撑膜及其特性研究

 采用分层蒸镀法,在玻璃基片上依次蒸镀二氨基二苯醚（ODA）和均苯四甲酸二酐（PMDA）两种单体,然后在空气环境中对样品进行不同温度和时间的热亚胺化处理,使二者在交界面上反应生成聚酰亚胺。经加热150 ℃ 1 h然后经350 ℃ 2 h处理的样品,在脱膜后能制备出直径1.8 cm,厚度为100 nm的聚酰亚胺自支撑薄膜。用FTIR测量了自支撑薄膜的红外光谱,特征吸收峰的分析表明薄膜已基本上完全亚胺化。用原子力显微镜分析了浮法玻璃衬底上聚酰亚胺薄膜的表面形貌,结果表明以ODA作为内层制备的膜层表面更光滑平整。     

氧化石墨烯作为共蒸镀掺杂材料在OLED中的应用

通过共蒸镀掺杂的方法,分别用氧化石墨烯和NPB掺杂作为空穴传输层以及氧化石墨烯和Alq3掺杂作为电子传输层和发光层,制备了两种不同的有机电致发光器件。器件性能测试结果表明:相对于未掺杂的参比器件,氧化石墨烯与NPB共蒸镀掺杂的器件性能降低,与Alq3共蒸镀掺杂的器件性能提高。其中,氧化石墨烯掺杂量为Alq3的10%时,器件发光亮度为掺杂前的1.2倍,电流效率为掺杂前的2倍。这一工作为进一步提高OLED性能提供了新的途径。     

溶胶-凝胶-蒸镀法制备高性能FTO薄膜

以SnCl_4·5H_2O为锡源,SnF_2为氟源,采用溶胶-凝胶-蒸镀法制备F掺杂的SnO_2透明导电氧化物薄膜(FTO薄膜).通过正交实验研究确定最佳反应温度、反应时间和蒸镀温度等制备条件.主要研究元素F的掺杂和膜的结构对FTO薄膜性能的影响,并采用傅里叶变换红外光谱仪、热重-差热分析、X射线衍射、高分辨透射电子显微镜和扫描电子显微镜等进行样品的性能表征.研究结果表明,当反应温度50?C、反应时间5 h、烧结(蒸镀)温度600?C、镀膜次数1次、而F/Sn=14 mol%时,FTO薄膜性能指数ΦTC最大,综合光电性能最优,表面电阻为14.7?·cm-1,平均透光率为74.4%.FTO薄膜内颗粒的平均粒径为20 nm,呈四方金红石型结构,F的掺入替代了部分的O,形成了SnO_(2-x)F_x晶体结构.F的掺杂量是影响FTO薄膜的主要因素,F过多或过少均不利于SnO_(2-x)F_x晶体的生长;FTO薄膜的结构、颗粒形状、大小等三维信息也是影响薄膜性能的因素,主要表现为分形维数越小,薄膜表面越平整,势垒越低,导电性能越好.     

热蒸镀法制备Z箍缩用铝镁合金箔材及其性能

厚度低于5 m的AlMg合金箔材可作为带材切割的原材料应用于Z箍缩物理实验。利用热蒸镀方法,通过控制沉积速率在超光滑的NaCl基片上获得了AlMg薄膜,最终在脱膜后获得了厚度低于5 m的无支撑AlMg箔材。实验对该箔材的厚度均匀性、表面粗糙度、衍射峰位、晶粒尺寸及距表面不同距离下的成份进行了分析表征。实验发现,此热蒸镀法制备的AlMg合金箔材的厚度均匀性优于8%,两面的表面粗糙度均小于180 nm,晶粒尺寸约20 nm;不同厚度样品的衍射峰位未明显偏移,箔材内应力很小;不同深度下Mg含量稳定分布,而在箔材表面杂质含量较高,在距表面6 nm以下合金含量达到预期值并趋于稳定。热蒸镀法制得的无支撑AlMg合金箔材具有厚度可控且均匀、成分稳定、内应力小的特点,适用于制备Z箍缩带阵负载。     

光学薄膜的气相混合蒸镀

本文论述气相混合蒸镀的实验方法,介绍了三种控制程序,给出了两种宽带增透膜的实验镀制结果.实验表明,气相混合蒸镀技术具有极大的应用潜力.     

石墨上纳米尺度金岛的形成

用扫描隧道显微镜研究了真空蒸镀在高定向热解石墨上金岛的形成和形状．随着蒸镀量的增加及时间的推移，金原子在表面通过扩散而逐渐合并成越来越大的原子团，以至岛，甚至岛群．虽然几个纳米大小的原子团仍十分可动，但在蒸镀量大于20单层时的岛或岛群已十分稳定．研究发现，同一蒸镀量下，各个金岛具有非常接近的宽度和高度，用薄膜成核的圆柱状模型计算岛的宽度与高度之比表明，金岛非常接近热力学平衡状态．这些形状各异的通过生长而自组装形成的纳米尺度金岛可用来进行介观物理的研究 关键词：     

表面稳定模式铁电液晶分子定向和电光特性研究

通过倾斜蒸镀ＳｉＯ，获得对铁电液晶分子的均匀定向。液晶单池的对比度达１５０１，响应速度达６０μｓ，并具有良好的双稳性能。利用该定向方法制成的６４×６４电寻址铁电液晶空间光调制器，对比度高于８０１，帧数高于３９／ｓ。     

波长渐变滤光片的镀制

采用常规的真空蒸发镀膜技术,利用自行设计制作的膜厚修正挡板机构,分别在1cm×3cm的条形K9玻璃基底和Si基底上镀制出了波长渐变滤光片。滤光片的波段范围从可见光区直至中红外区。阐述了波长渐变滤光片的镀制工艺及其结果,分析了在实际镀制中膜厚偏差产生的原因,提出了修正系统偏差的可行性方法。     

表面增强电输运:研究C60-金属相互作用的一个新尝试

通过在超薄金属层上蒸镀C_(68)时的电阻原位测量,发现在平均厚度约一个C_(68)单层范围内样品电阻有明显可观测的变化,主要表现为电导增强,电阻变化的程度与金属层厚度有关,最多近一个数量级。这一新的现象揭示出有可能利用宏观物理性质测量来间接研究C_(68)-金属界面相互作用,从而对常规喇曼谱和各种电子谱测量的结果给出旁证和补充。 关键词：