高Tc氧化物La2CuO4+δ低频弛豫内耗峰的激活能研究

采用全自动多功能内耗测试仪（ＭＦＩＦＡ），对高Ｔｃ氧化物Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ的低频内耗作了细致的研究。发现Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ在１６０Ｋ－４３０Ｋ温区有三个弛豫峰ｐ１、ｐ２、ｐ３，并由变频实验求出它们的驰豫激活能。在激活能分析基础上，我们认为：ｐ１、ｐ２峰源于氧空位的驰豫跃迁，ｐ３峰则源于氧间隙原子的驰豫跃迁。     

掺杂的高温超导体的自旋晶格弛豫率

本在赝隙和剩余态密度基础上对ＹＢａ２（Ｃｕ１－ｘＺｎｘ）３Ｏ７及Ｔｌ２Ｂａ２ＣｕＯ６＋ｙ（Ｔｃ＝４０Ｋ）在超导态下的自旋晶格弛豫行为进行了研究，在低于Ｔｃ的整个温区内计算值与实验符合较好。研究表明在稍低于Ｔｃ的温区赝隙导致了ＢＣＳ理论预言的相干峰消失，而在低温，剩 余态密度对体系的自旋晶格弛豫率的贡献起了主要作用。     

La1.85Cr0.15Cu1—xFexO4—y的窄能带行为与超导电性关系的研究

用ＳＱＲＩＤ直流磁强研究了Ｌａ１．８５Ｃｒ０．１５Ｃｕ１－ｘＦｅｘＯ４－ｙ（ｘ＝０．０，０．００２，０．００４和０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝０．０１，０．０３，０．０５Ｔ）正常态的直流磁化率与温度关系和超导转变温的关系呈宽峰行为。随着Ｆｅ掺杂的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为迅速转变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｉｓｓ行为。与此同时，超导转变温度也由不掺Ｆｅ的３１．０Ｋ增加到３３．６Ｋ（ｘ＝０．     

钛酸钡陶瓷中氧缺位的组态变化对弛豫过程的影响

研究了热历史对四方相钛酸钡陶瓷弛豫性质的影响。结果表明，不同热历史的钛酸钡试样在四方相温区都出现弛豫内耗峰，但不同热历史的试样具有不同性质的弛豫过程。从立方相降温测得的四方相陶瓷的弛豫激活能为0．61eV；而从单斜相升温测得的四方相陶瓷的弛豫激活能为1．12eV，相差几近一倍。用氧缺位的分布和弛豫热力学选择定则提出了四方相的弛豫机理，计算了不同热处理后处于不同对称位置氧缺位的浓度。     

衬底对YBa2Cu3O7-δ单晶超导膜荧光光谱的影响

本文报道的在Ｚｒ（Ｙ）Ｏ２和ＬａＡＩＯ３两种衬底上制备的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ单晶膜的荧光光谱。样品用原位中空柱状阴极直流磁控溅射法制备。结果表明,随衬底材料的不同呈现不同的荧光光谱分布。沉积在Ａｒ（Ｙ）Ｏ２上的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜的主峰位于２．８５ｅＶ,而沉积在单晶ＬａＡＩＯ３衬底上ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜的主峰位于２．１２ｅＶ处,前者由３．０ｅＶ和２．８０ｅＶ两个峰组成,改变激发能可以使它们分离;升高衬底温度出现低能峰,后者为单峰,峰值位置不胡激发能的变化而改变,地结果进行了讨论。     

Y_(1-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-δ)膜1/f噪声的研究

我们在８０～３００Ｋ温区测量了电阻随温度变化行为十分不同的Ｙ１－ｘＰｒｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０，０．２，０．５，１）膜的１／ｆ噪声，发现Ｐｒ含量对样品噪声水平没有明显的影响．我们还将实验结果与Ｄｕｔａ－Ｈｏｒｎ热激活模型进行了比较．发现ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜符合较好，ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜定量上有较大差别．     

La_（1．85）Sr_（0．15）Cu_（1－x）Fe_xO_（4－y）的窄能带行为与超导电性关系的研究

用ＳＱＵＩＤ直流磁强计研究了Ｌａ（１．８５）Ｓｒ（０．１５）Ｃｕ（１－ｘ）ＦｅｘＯ（４－ｙ）（ｘ＝０．００２，０．００４和０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝０．０１，０．０３，０．０５Ｔ）正常态的直流磁化率与温度关系和超导转变温度与Ｆｅ掺杂含量的关系．实验结果表明，不掺Ｆｅ的样品其直流磁化率与温度的关系里宽峰行为，随着Ｆｅ掺杂的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为迅速转变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ行为．与此同时，超导转变温度也由不掺Ｆｅ的３１．０Ｋ增加到３３．６Ｋ（ｘ＝０．００２），然后再单调降低．这清楚地表明，载流子浓度才是影响超导的最重要的因素。对于掺Ｆｅ的样品，其正常态直流磁化率Ｘ与温度Ｔ的关系可以用Ｘ＝ａ＋ｂＴ＋ｃ／（Ｔ一Ｔ０）很好地表示．我们认为，式中ａ＋ｂＴ项是由于Ｃｕｄ带泡利硕磁的贡献．增加磁场时，对于同一个接Ｆｅ样品，居里常数Ｃ增大而常数项ａ减小．这是由于掺Ｆｅ的样品在Ｆｅｒｍｉ面存在不满的窄带（ｄｘ２上Ｈｕｂｂｒｄ带），它是产生居里硕磁的原因．增加磁场时，它往高能量方向移动，窄带的电子空得更多，这些电子移向较宽的Ｃｕ杂化带．这样一来，增加磁场时，每个Ｃｕ离子的磁矩增大．而Ｃｕｄ带的Ｆｅ     

液氦温区La2/3Ca1/3Mn1-xCuxO3(x=0.15)体系的磁电阻弛豫效应

实验上研究了液氦温区Ｌａ２／３Ｃａ１／３Ｍｎ１－ｘＣｕｘＯ３（ｘ＝０－１５）单相多晶样品给定磁场下的电阻随时间的变化,发现磁电阻随时间变化并非遵从对数规律而是呈指数型变化行为．对这一指数型磁电阻弛豫行为的可能起因进行了讨论,指出这是与Ｍｎ位上Ｃｕ掺杂将额外磁性杂质引入到样品中有关 关键词：     

海洛因的傅里叶红外吸收谱

给出海洛因和鸦片的傅里叶红外吸收实测谱。根据吸收峰的位置，计算出海洛因的基本声子能量：ＥＬＯ＝０．０４８６ｅＶ，ＥＴＯ１＝０．０５５５ｅＶ，ＥＴＯ２＝０．０６１６ｅＶ，ＥＬＡ＝０．０２５７ｅＶ，ＥＴＡ１＝０．００９７ｅＶ，ＥＴＡ２＝０．０１３４ｅＶ。这些声子按照不同的组合方式，形成海洛因的全部傅里叶红外吸收峰。     

纳米复合超硬薄膜中与界面有关的弛豫现象

利用内耗技术研究了TiSiN系列纳米复合超硬薄膜的结构弛豫和硬化机理。当共振频率大约在100Hz时在230～280℃范围内观察到一个弛豫型的内耗峰。计算出激活能为0．7～1．0eV，弛豫时间指数前因子为10^-10～10^-12秒。对比一系列样品。发现硬度越高内耗峰越低，在硬度高于50GPa的薄膜中没有内耗峰。内耗峰随退火温度升高而不断降低，直至600～750℃退火时消失，并且杨氏模量开始增加，这跟样品退火后硬度增长是一致的。结果表明内耗峰来源于样品中界面的弛豫过程。     

Cs3Cu2I5晶体薄膜吸收谱的研究

本文测定了Ｃｓ３Ｃｕ２ Ｉ５ 晶体薄膜在室温及液氮温度下的吸收谱,并依此计算出该材料的激子参数,即激子束缚能ΔＥ（１）ｅｘ ＝ （０．５３±０．０７）ｅＶ,激子半径ａｅｘ ＝ ０．３２６ ｎｍ ,禁带宽度Ｅｇ ＝ （５．００±０．０７）ｅＶ。在谱分析的基础上,论证了Ｃｓ３Ｃｕ２Ｉ５ 的电子和激子激发定域在该晶体的ＣｕＩ亚晶格之中,同时,揭示了在低温下Ｃｓｘ Ｃｕ１－ ｘ Ｉ系列化合物的第一激子峰位置随其摩尔组分变化的规律。     

钛酸钡陶瓷中氧缺位的组态变化对弛豫过程的影响

研究了热历史对四方相钛酸钡陶瓷弛豫性质的影响.结果表明,不同热历史的钛酸钡试样在四方相温区都出现弛豫内耗峰,但不同热历史的试样具有不同性质的弛豫过程.从立方相降温测得的四方相陶瓷的弛豫激活能为0.61 eV;而从单斜相升温测得的四方相陶瓷的弛豫激活能为1.12 eV,相差几近一倍.用氧缺位的分布和弛豫热力学选择定则提出了四方相的弛豫机理,计算了不同热处理后处于不同对称位置氧缺位的浓度.     

Si(Li)谱仪测量X射线荧光谱中CrK_β谱线化学位移的探索

采用放射源２４１Ａｍ５９．６ｋｅＶγ射线分别激发金属Ｃｒ、Ｃｒ２Ｏ３和Ｋ２ＣｒＯ４，用Ｓｉ（Ｌｉ）谱仪比较测量其Ｋｘ射线的能量。实验表明Ｋ２ＣｒＯ４中ＣｒＫβ能峰相对于金属Ｃｒ有２．１２±０．２７ｅＶ的位移。     

Si（Li）谱仪测定X射线荧光谱中CrKβ谱线化学位移的探索

采用放射源＾２４１Ａｍ５９．６ｋｅＶγ射线分别激发金属Ｃｒ、Ｃｒ２Ｏ３和Ｋ２ＣｒＯ４，用Ｓｉ（Ｌｉ）谱仪比较测量其Ｋｘ射线的能量。实验表明Ｋ２ＣｒＯ４和ＣｒＫβ能峰相对于金属Ｃｒ有２．１２±０．２７ｅＶ的位移。     

In0.49Ga0.51P中缺陷的俘获行为

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和瞬态光电阻率谱（ＴＰＲＳ）研究了利用金属有机物化学汽相沉淀（ＭＯＣＶＤ）生长的未有意掺杂的Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ中缺陷对载流子的俘获过程和发射过程．利用ＤＬＴＳ测量观测到了一个激活能为０．３７ｅＶ的缺陷,该缺陷的俘获势垒值介于１８０ｍｅＶ到２４０ｍｅＶ之间．该缺陷的俘获势垒值的大的分布被解释为缺陷周围原子重组的微观波动．在研究中发现研究这些缺陷的俘获过程比发射过程更有效,俘获势垒为０．０６ｅＶ和０．４０ｅＶ的两个缺陷在俘获过程中被观测到,而在发射过程中并没有观测到     

La_（2－x）Sr_xCu_（1－y）Fe_yO_4正常态的反常磁性

研究了Ｌａ２－ｘＳｒｘＣｕ１－ｙＦｅｙＯ４（ｘ＝０．１３，０．１５，０．１７和ｙ＝０．０，０．００２，０．００４，０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝１，３和５Ｔ）正常态直流磁化率与温度的关系和超导转变温度与Ｆｅ掺杂含量的关系．结果表明，不掺杂样品的正常态直流磁化率呈宽峰行为．随着Ｆｅ掺杂量的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ行为．与此同时，超导转变温度随Ｆｅ掺杂含量的变化而变化．这表明载流子浓度是影响超导的重要因素．对Ｆｅ掺杂样品，其正常态直流磁化率与温度的关系可以用Ｘ＝ａ＋ｂＴ＋ｃ／（Ｔ－Ｔ０）很好的表示．我们认为，其中ａ＋ｂＴ项是带Ｐａｕｌｉ顺磁的贡献．对同一掺Ｆｅ样品，增加外磁场时，居里常数ｃ增大而常数项ａ减小．这是由于在Ｆｅｒｍｉ面存在不满的窄带（ｄｘ２上Ｈｕｂｂａｒｄ带），它是导致居里顺磁的原因．增加磁场时它往高能方向移动，窄带的电子空得更多，这些电子移向较宽的杂化带，导致每个Ｃｕ离子的磁矩增大，而带的Ｆｅｒｍｉ面电子态度减小．我们的实验结果也表明，超导电性与能带结构密切相关．     

Y1—xPrxBa2Cu3O7—δ体系的内耗研究

本文系统地研究了Ｐｒ掺杂在Ｙ位对ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导体内耗的影响，随Ｐｒ对Ｙ的掺杂量增加，１１０Ｋ内耗峰逐渐减小，而８７Ｋ附近的内耗峰基本不变，因Ｐｒ的掺入主要引起电子结构的变化，１１０Ｋ附近内耗峰应的电子结构有关，而和ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ的附近的９０超导转变无直接的联系。     

同位旋相关的Boltzmann—Langevin方程及新核素^19Na产？…

介绍了一种同位旋相关的输运方程,研究了在入射能量为２８．７和６０．０ＭｅＶ／ｕ时＾１２Ｃ＋＾１２Ｃ的反应,对模型进行检验,发现计算结果较好地符合实验结果,说明了方程的可靠性,利用该模型研究了在入射能量为２８．７ＭｅＶ／ｕ下反应系统＾１７－２０,２２Ｎｅ＋＾１２Ｃ中核素＾１９Ｎａ的产生截面,发现缺中子核引起的反映,具有更大＾１９Ｎａ的产生截面,为新核素的探测找到了理论依据。     

用同步辐射光研究CO在Cs/Ru(100)表面的吸附

（ＣＯ＋Ｃｓ）／Ｒｕ（１０１０）共吸附的体系中,ＣＯ分子由于受Ｃｓ原了强烈影响,分子轨道发生重新杂化组合,ＣＯ分子原来在清洁Ｒｕ（１０１０）表面上结合能位于７．５７ｅＶ处相重叠的５σ和１π轨道对应谱峰分裂为两峰结合能分别位于６．３和７．８ｅＶ处,其中６．３ｅＶ处的谱峰来自ＣＯ分子１π轨道的一支,它显示出该分子轨道沿衬底〈００１〉晶向的镜面反对称性,ＣＯ分子１π轨道的另一支和５σ轨道在结合能７．８ｅ     

Ni掺杂YBa2Cu3O7-δ的内耗研究

制备了Ｎｉ掺杂浓度为０，０．００２，０．００５，０．０１，０．０２，０．０５，０．１的系列ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ样品。在液氦至室温范围，采用双端共振簧方法测量了它们在千赫兹范围的内耗。