低温差分比热的自动化测量系统

本文介绍一种新的差分比热测量方法即差分绝热连续加热量热法．此方法的特点是在绝热的条件下连续升温，升温速率由计算机通过样品架和参考样品架上的主加热器来控制（可事先设定），样品和参考样品间的温差信号经放大后由７０２控温器控制样品架和参考样品架上的副加热器，使其温差在测量过程中总是保持为零．差分比热值是通过同时测量样品升温速率和副加热功率来获得的．绝热条件是计算机控制内外两层辐射屏跟踪样品温度来获得．用该方法可测量小作品的差分比热，经测试表明５００ｍｇ的样品在４．２—３３０Ｋ的温区误差不大于１％．测量过程易于实现完全自动化．     

高分辨差分比热测量方法及在高温超导体研究中的应用

差分比热实验方法是测量两个样品的比热差,具有高达万分之一的比热测量分辨率,适合测量相变时微小的比热变化及宽温区的电子比热.文章介绍了高分辨连续升温差分比热实验的测量原理和测量方法,并以铜氧化物高温超导体Y0.8Ca0.2Ba2Cu3O6+x为例,介绍了差分比热实验手段在宽温区电子比热的获得、正常态赝能隙及超导凝聚能研究等方面的应用.     

高分辨差分比热测量方法及在高温超导体研究中的应用

差分比热实验方法是测量两个样品的比热差,具有高达万分之一的比热测量分辨率,适合测量相变时微小的比热变化及宽温区的电子比热.文章介绍了高分辨连续升温差分比热实验的测量原理和测量方法,并以铜氧化物高温超导体Y0.8Ca0.2Ba2Cu3O6+x为例,介绍了差分比热实验手段在宽温区电子比热的获得、正常态赝能隙及超导凝聚能研究等方面的应用.     

低温绝对比热装置的研究

我们已研制成功了低温绝对比热测量装置。该装置是用连续升温法进行测量，可测温度范围为１０至３００Ｋ。通常测量样品的质量为２００ｍｇ左右，最小可测样品的质量为１５ｍｇ，由于采取了间隔一段温度都检测其漏热情况，并利用漏热数据来修正比热数据，从而大大提高了测量的准确性和精度，通过纯铜样品的标定，在２０－２５０Ｋ范围内其精度为０．８％，该装置采用计算机控温和数据采集，具有自动化程度高，灵敏度高，重复性好，操     

连续绝热法测比热

低温比热的测量,对基础理论和材料性质的研究都有重要意义.低温比热在提供费米面电子态密度和晶格振动的非谐性等信息方面,要求其测量值有较好的绝对精度;而研究结构相变以及缺陷、杂质的影响,则要求有较高的相对精度,特别是研究相变的临界行为,要求在很小温区内提供大量的数据点.因此为适应不同的研究需要.提出并发展了许多测量方法.1979年,Junod首先实现了由PID控制的连续绝热测量[1].与脉冲法比较,这种方法具有速度快和测量简便的优点,因此特别适合于研究物质的相变或比热反常.本文在 Junod工作基础上,通过引入微机控制及增加屏蔽腔和…     

聚丁二烯中的等待时间效应

测量了高聚物材料聚丁二烯的比热,发现在温度T_g=178K出现玻璃转变且转变点附近的比热与降温过程有关。在降温过程中,若控制样品在某一温度T_wg等待时间t_w,则升温比热测量表明,T_g处的比热跃变△c_p存在明显的等待时间效应,即△c_p随t_w的增大而增大。在T_w=169K条件下,△c_p(t< 关键词：     

稳态法测量导热系数实验的温度补偿

在稳态法测量不良导体热导系数的实验中,样品上、下表面的温度值分别通过测量发热盘和散热盘的温度来获得.在实际操作中,通常是测量发热盘(散热盘)中心的温度;而由于发热盘(散热盘)本身具有一定厚度,因此其中心的温度并不能代表它与样品接触面的温度,针对该问题提出了温度补偿的方法,可以减小测量样品上、下表面温差时产生的实验误差.     

TP801单板计算机在热释光和发光温度特性研究中的应用

在热释光(TL)和发光温度特性研究中引入TP80l单板计算机,使其完成对加热系统的温度的实时控制和物理参数的自动测量等工作.该系统除可作一般的恒稳控制以研究样品的发光性能对温度的依赖关系,也可在0℃~160℃范围内给出不同的升温速率以研究不同升温速率下样品的陷阱深度及分布情况.与此同时,计算机将完成测量光强、计算陷阱能级深度和打印热释光曲线的功能.本文对系统的硬件及软件设计作了较详细的介绍.     

液氦温区小样品比热装置

本介绍了一种简单的小样品比热测量法，通过引入一种新的量热器，可以用弛豫法测量几十毫克小样品的热容。测量温区为１．２Ｋ￣１５Ｋ．目前就优于１０％的精度。     

新型气化装置中生物质传热特性研究

基于生物质部分氧化气化动力学参数难于采用热重分析仪进行研究,本文设计了一个移动床实验方案,样品槽携带生物质样品进入具有线性温度分布的炉膛中加热,并配合一定流量的空气与逐步升温的生物质反应,以达到连续稳定的部分氧化气化。求解动力学参数,需要为生物质提供稳定的升温速率,因此,本文着重研究生物质样品在线性温度分布的炉膛中的升温特性,研究了样品厚度、样品槽运动速度对样品升温特性的影响。在生物质进样速率一定的情况下,改变样品槽运动速度,得到生物质有稳定的升温特性,并且升温速率可控,能达到生物质部分氧化气化动力学实验研究的要求。     

熔融织构Y0．8Ca0．2Ba2Cu3Oy的电子比热

采用热驰豫方法在0到9T范围内测量了熔融织构Y0．8Ca0．2Ba2Cu3Oy的比热．零场下，2-180K的比热结果可以用Einstein模型来描述．通过4-Einstein峰拟合声子谱的方法，我们分别处理了不同磁场下超导转变附近的比热，获得了晶格比热和不同磁场下的电子比热，并将实验结果与London模型的计算结果进行对比，发现London模型能够很好地模拟出我们的实验结果．     

氧有序与YBa2Cu3Oy的比热反常

ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ多晶样品正交Ⅱ区域内的差分比热，样品的氧含量分别为ｙ＝６．７３，６．６６，６．６５和６．５７。比热反常峰值和峰所对应的温度均随氧含量的降低而降低。对于ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．５７样品，其比热反常幅度虽小但仍可分辨出来，说明体超导仍存在于该组份（６０Ｋ超导体）。实验结果表明，Ｃｕ－Ｏ链层的氧有序是与９０Ｋ体超导和６０Ｋ体超导相关的。Ｃｕ－Ｏ２面的完整对保持体超导至关重要。     

K0.3MoO3和Tl0.3MoO3派尔斯相变临界行为的比热研究

采用连续绝热加热法测量了K_0.3MoO₃和Tl_0.3MoO₃在100—220K温度范围内的比热。发现K_0.3MoO₃和Tl_0.3MoO₃分别在177.5K和172.3K发生派尔斯相变。对派尔斯相变附近比热临界行为的研究表明,K_0.3MoO₃和Tl_0.3MoO₃的临界区域宽度分别为6K和8K,临界行为属于三维XY模型普适类。 关键词：     

Zr-Ti-Cu-Ni-Be大块非晶低温比热

测量了Zr₄₁Ti₁₄Cu_12.5Ni₁₀Be_22.5大块非晶及不同退火条件的样品在液氦温区的比热.低温下的比热数据可用电子比热和声子比热两部分的贡献来拟合,发现非晶的电子比热系数γ值比其他样品大,德拜温度从非晶到平衡相依次增大,并从电子态密度和德拜理论出发,初步解释了这种差异. 关键词： 低温比热 大块非晶     

螺旋光纤系统中非绝热条件几何相移

由于绝热条件几何相位量子逻辑门存在非绝热差错与退相干差错这一冲突，因此在拓扑量子计算中需要设计非绝热条件几何相门，以克服这一不足.证明螺旋光纤系统内光子有效哈密顿量恰好是一个Wang Matsumoto型哈密顿量，因此螺旋光纤系统能自动产生非绝热条件几何相移.同时还证明在螺旋光纤方案中，由极化光子与螺旋光纤相互作用哈密顿量所导致的动力学相位为零（这正是拓扑量子计算所要求的），以及在螺旋光纤系统中可以通过控制极化光子初始波矢，从而较容易获得条件初始态.总之，螺旋光纤系统方案能自动满足Wang与Matsumoto的核磁共振方案中为实现非绝热条件几何相移所提出的全部条件与要求. 关键词： 几何相位 螺旋光纤系统 Wang Matsumoto型哈密顿量 拓扑量子计算     

对差分光学吸收光谱法的监测数据进行实时预测研究

差分光学吸收光谱法（DOAS）已经成为测量大气中微量气体浓度广泛应用的方法.通过对大气差分吸收光谱的分析可以得到它们的浓度.但在恶劣气候条件下，DOAS系统不能获得连续的实时监测数据，因此不能满足我国环境监测条例对环境监测子站的要求.文中提出了一种利用逐步回归分析的方法，对DOAS系统的监测数据进行实时预测.通过大量的对比实验表明，利用该方法得到的预测结果与实际测量结果一致，目前该技术已经被应用于DOAS监测仪器中. 关键词： 差分光学吸收光谱法（DOAS） 逐步回归分析 预测     

稳态交流加热法小样品低温比热的测量

本介绍了用稳态交流加热法测量小样品低温比热的原理，方法，装置和微机自控的测量系统。作为检测在３０－１５０Ｋ范围内分别测量了两个质量不同的纯铜样品的比热，与现有数据符合很好。估计精度在１％以内。     

高压条件下材料强度测量方法北大核心CSCD

在神光Ⅲ原型激光装置上开展了Al材料在高压（大于10GPa）、高应变率（10^5～10^8s^-1）的情况下材料强度特性实验方法研究。实验采用“有机材料真空间隙一样品”的靶构型（气库靶）对Al样品进行准等熵压缩，从而使Al样品的温度保持在熔点以下，材料仍具有强度特性。为了测量Al样品的RT不稳定性扰动增长，实验采用Ti作面背光材料，通过X光针孔成像获得样品的面向背光照相图像，获得了不同时刻RT不稳定性的增长因子，实验中采用连续相位板（CPP）对激光源进行了优化，提高了背光源和驱动源的均匀性。结果表明在现有高功率激光装置上可进行中z材料的RT不稳定性增长测量，验证了通过RT不稳定性增长测量来研究高压高应变率条件下材料强度的可行性。     

(Lu,Y)2SiO5∶Ce3+与SrSO4∶Dy3+材料低温热释光及其测试仪器的研究

为了分析材料在低温下的陷阱能级,获得更多有关缺陷结构的信息,研制了一套由STM32微控制器为核心的低温热释光发光谱测量系统。设计了低温样品室,采用液氮冷却样品;STM32通过控制加热电流,实现样品以恒定速率升温,从而获得低温热释光发光曲线或三维热释光谱。温度测量范围为85~400 K,升温速率范围为0.1~10 K/s。设计了由STM32控制X射线及紫外光源的驱动电路,用于样品的激发。采用高灵敏度CCD实现对三维热释光谱的测量,采用单光子计数器获取二维热释光发光曲线。利用该系统测试了（Lu,Y）₂SiO₅:Ce³⁺（LYSO:Ce³⁺）单晶闪烁体与SrSO₄:Dy³⁺粉末样品的热释光谱及辐射发光光谱。观察到LYSO:Ce³⁺在108,200,380 K左右的热释光峰,发光波长位于390~450 nm之间,是明显的宽带峰。在低温下由于基质的自陷激子（STE）发射所形成的发射峰在166 K时发生猝灭。在309 K时,Ce³⁺发射峰展宽为单一发射峰;SrSO₄:Dy³⁺发光峰温度为178,385 K,发光波长由Dy³⁺离子的能级跃迁决定,在480,575,660,750 nm处呈现窄带发光峰。结果表明,系统人机交互界面友好,实验数据可靠,智能化程度高,操作简单。     

Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2Cu3Oy的氟掺杂效应

用Ｘ－射线粉末衍射、交流磁化率和差分比热研究了Ｂｉ１．７Ｐｂ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ的氟掺杂效应。在Ｂｉ２２２３样品中氟替代后产生的是体超导而不是丝状超导。由于氟掺杂，样品的超导转变温度升高而晶格参量ｃ减小。比热反常的幅度没有因氟掺杂而减小，说明氟没有占据Ｃｕ－Ｏ２面中氧的位置。它们可能占据Ｃｕ－Ｏ２面之间的其它原子层的位置，这样，会改善Ｃｕ－Ｏ２面间的藕合进而提高Ｔｃ和保持比热反常幅度。