冷加工对Tl－1223复银超导带性能的影响

研究了冷加工对Ｔｌ－１２２３／Ａｇ超导带性能的影响，用半熔融法制备（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ０．８Ｂａ０．２）２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ。超导粉，经超导粉灌管（ＰＩＴ）的方法制成复合丝后，研究冷轧之前退火与否及道次变形量对带材临界电流的影响，并对不同直径的复合丝进行轧制变形，找出载流能力随最终轧制厚度的变化规律．结果表明：冷拉以后不退火直接轧制，采用大的道次变形量均有利于提高临界电流，各种不同直径的复合丝轧制成的超导带，都有一临界电流最高的厚度范围．本文还从超导层的致密化、银层与超导层的变形协调性等方面对实验现象进行了讨论．     

热处理对T1—1223超导体的不可逆性的影响

我们用交流磁化率技术研究了热处理对掺杂了Ｐｂ和Ｂａ的ＴｌＳｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ（Ｔ１－１２２３）超导体的不可逆线的影响，发现适当的热处理只提高了样品的起始温度Ｔ５０但并不改变其约化不可逆线，同时我们还讨论了样品的磁通钉扎机制。     

背景磁场下Y系超导带材临界电流的测量

高温超导电力装置一般工作于低磁场情况下,测量超导带材在低场下的临界电流特性非常重要.文中通过自行设计的实验平台,采用四引线法对Y系超导带材低场下的临界电流特性进行了测量,得到了带材临界电流随外加磁场变化的曲线,并与Bi系带材低场下的临界电流特性进行比较.     

Tl—1223超导体及其复Ag带的制备

研究了用产中分熔化法制备Ｔｌ－１２２３超导体的工艺。样品的名义组成为（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ０．８Ｂａ０．２）Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ。经熔化退火的样品，其磁化电流的７７Ｋ和１Ｔ下大于２×１０＾４／ｃｍ＾２。用熔化－退火的超导粉作原料制得的复Ａｇ带短样，Ｊｃ达１．６－１．７×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２（７７ｋ，０Ｔ）。采用烧结后的超导粉作原料，在制备复Ａｇ带的工艺中，如用熔化－退火的热处理制度，可以免除…     

力学性能对Bi-2223/Ag超导带材临界电流影响实验研究

本文主要研究了在77K温度下,拉伸应变和弯曲应变对Bi-2223/Ag超导带材临界电流的影响,得到了超导带材的临界电流随拉伸强度、曲率半径变化规律.实验结果显明,拉伸作用在超导带材上产生的形变对其临界电流(Ic)的影响存在一个临界值εirr=0.3%.形变小于此临界值,Ic变化较小,超过此临界值,临界电流急剧下降.弯曲实验同样存在类似关系.同步辐射光源对超导带材检测表明,在形变情况下,超导氧化物陶瓷芯的微裂纹迅速增加和交织是Ic降低的主要原因.     

T1-1223超导体及其复Ag带的制备

研究了用部分熔化法制备Tl-1223超导体的工艺.样品的名义组成为(Tl_(0.5)Pb(0.5))(Sr_(0.8)Ba_(0.2))Ca_2Cu_3O_y。经熔化退火的样品,其磁化电流在77K和1T下大于2×10~4A/cm~2。用熔化—退火的超导粉作原料制得的复Ag带短样,J_c达1.6—1.7×10~4A/cm~2(77K,OT)。采用烧结后的超导粉作原料,在制备复Ag带的工艺中,如用熔化—退火的热处理制度,可以免除单轴压的冷加工工艺,这对长带的制备将带来很大的便利。     

纳米C和SiC掺杂对MgB2带材超导性能的影响

采用X射线衍射仪,扫描电镜,超导量子干涉仪等仪器对纳米C和SiC掺杂的MgB2带材进行了表征,并采用标准四引线法对样品的临界电流进行了测试. 实验表明,C和SiC掺杂在提高MgB2带材高场下的临界电流密度方面具有显著效果. 在温度为4.2 K、磁场大于9 T条件下,C和SiC掺杂样品的临界电流密度与未掺杂样品相比均提高一个数量级以上. 掺杂样品高磁场下良好的临界电流性能主要归因于C对B的替代所产生的晶格畸变、位错等缺陷和局部成分变化而导致的有效晶内钉扎作用. 实验结果表明,SiC掺杂的MgB2带材之所以具有非常好的高场电流特性,和C掺杂的样品一样, C对B的替代起到十分关键的作用.     

纳米C和SiC掺杂对MgB2带材超导性能的影响

采用X射线衍射仪，扫描电镜，超导量子干涉仪等仪器对纳米C和SiC掺杂的MgB₂带材进行了表征，并采用标准四引线法对样品的临界电流进行了测试. 实验表明，C和SiC掺杂在提高MgB₂带材高场下的临界电流密度方面具有显著效果. 在温度为4.2 K、磁场大于9 T条件下，C和SiC掺杂样品的临界电流密度与未掺杂样品相比均提高一个数量级以上. 掺杂样品高磁场下良好的临界电流性能主要归因于C对B的替代所产生的晶格畸变、位错等缺陷和局部成分变化而导致的有效晶内钉扎作用. 实验结果表明，SiC掺杂的MgB2带材之所以具有非常好的高场电流特性，和C掺杂的样品一样， C对B的替代起到十分关键的作用. 关键词： 2带材')" href="#">MgB₂带材 C掺杂 SiC掺杂 临界电流性能     

电流转移对MgB_2/Fe超导带材失超传播速度的影响

在MgB2/Fe超导带材中,Fe包套与MgB2超导芯的交界处有很薄的反应层,其主要成分为Fe2B和FeB,其电阻率很高,导致当电流在基材和超导芯间转移时存在一个转移长度,在这一长度上会产生电压分布并伴随有焦耳热产生,从而影响到带材的临界电流测量和热稳定性.本文使用分布电阻模型分析了MgB2/Fe超导带材中的电流转移特点,推导出电流转移长度的公式及由于电流转移产生的焦耳热.并把电流转移产生的焦耳热加入到MgB2/Fe超导带材在绝热条件下失超传播的一维分析当中,推导出失超传播速度的公式,对超导带材失超传播速度的传统计算公式进行了改进.本文对研究MgB2/Fe复合超导带材的热稳定性分析及MgB2超导带材的实用化具有参考价值.     

热处理对T1－1223超导体的不可逆性的影响

我们用交流磁化率（ＡＣＳ）技术研究了热处理对掺杂了Ｐｂ和Ｂａ的Ｔ１Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ（Ｔ１－１２２３）超导体的不可逆线的影响，发现适当的热处理只提高了样品的起始温度７ｃ０。但并不改变其约化不可逆线，同时我们还讨论了样品的磁通钉扎机制．     

T1—2212超导薄膜的制备

以铝酸镧晶体为基片，采用两步法制备T1-2212超导薄膜，包括在低温(150℃)下利用激光脉冲沉积(PLD)工艺沉淀Ba2CaCu2Ox非晶前驱体薄膜和在高温(740～830℃)下前驱体薄膜的铊化结晶、取向生长过程，实验结果表明所制得的膜的相组成为T1-2212，表面存在大量均匀分布的成分为T12Ba2CaCu2Ox的亚微米颗粒，其零电阻温度为101K，薄膜与基片之间界面清晰，没有过渡层，薄膜具有良好的c取向外延条纹。     

超导感应加热器中铁芯结构对线圈特性的影响

设计并制作了高温超导直流感应加热器样机。在液氮温度、自场环境下,分别对有无铁芯的带绝缘双饼线圈进行低温实验,测试其V-I特性曲线,并通过0.25Hz频率下的V-I曲线计算线圈电感。实验结果表明,有铁芯双饼线圈的临界电流值相较无铁芯的低,有铁芯的线圈电感约为无铁芯的6倍。同时还采用仿真软件COMSOL,对感应加热器模型的V-I特性进行了仿真,验证了实验测试的有效性。     

超导芯截面形状对Bi-2223/Ag带Jc的影响

磁光图像显示Ｂｉ－２２２３／Ａｇ带材中单根超导芯的宽面两侧边缘分布有较大的超导电流密度，Ｂｉ－２２２３单根超导芯的横截面是纺锤形的，单位宽度上的横截面面积之比与电流密度在横截面上不同部分的分布之比相当，高的电流密度在单根超导芯两则的分布可能是由单芯横截面的形状引起的。     

γ辐照对熔融织构YBa2Cu3Ox的电磁性能的影响

本研究了γ辐照对熔融织构（ＭＴＧ）ＹＢＣＯ的电磁性能的影响，辐照剂量分别为４×１０＾９ｒａｄ，２×１０＾９ｒａｄ。我们观察到当辐照剂量为２×１０＾９ｒａｄ时辐照后样品的Ｊｃ随磁场的增加而下降的速度比辐照前慢，但在我们所测磁场范围内辐照后的临界电流比辐照前低。通过对这些结果分析我们得出：γ辐照在晶界处理产生了缺陷，这些缺陷对磁通钉扎是有利的。     

中子辐照对GdBa2Cu3O7-单畴超导性能的影响

研究了中子辐照对GdBa2Cu3O7-±单畴超导性能的影响，使用的辐照剂量为1015 n/cm2．通过高分辨电镜观察发现中子辐照产生球形的缺陷和小的点缺陷，这些球形缺陷的尺寸在4?7 nm，与高温超导相干长度相当，并且在退火过程中稳定存在，而小的点缺陷在退火过程中消失．磁测量结果显示中子辐照使样品的超导电性严重退化，临界电流密度下降并且鱼尾峰效应几乎消失．然而对辐照的样品退火处理后，其超导电性明显改善，临界电流密度显著提高并超过了未经辐照的样品，鱼尾峰也向高场移动．这些结果表明中子辐照和退火处理使GdBa2Cu3O7-±单畴样品中引入了有效的磁通钉扎中心(即球型的缺陷)从而导致其临界电流密度大幅提高．     

银包套Bi2223多芯带材局部临界电流的变化对整个长样带材性能的影响

本文研究了Bi2223高温超导带材在自场和77K温度下，局部临界电流的统计特性对整根长样带材临界电流特性的影响，一般地，超导带材的Ⅰ-Ⅴ特性由标准的幂指数模型参数Ic和n值来描述，并以1μV/cm作为临界电流的判据；通过测量局部带材的临界电流Ⅰ-Ⅴ特性，得到了整根带材的临界电流特性；并通过统计方法，得到了局部带材临界电流分布的高斯几率分布函数，结果表明，带材局部临界电流分布不均匀，局部临界电流的变化对整个带材的临界电流影响很大；并用统计学的方法对长样带材的临界电流性能进行了分析和讨论。     

氧缺位对YBa2Cu3O7—x超导体中临界电流密度和磁弛豫行为的影响

用梯化曲线和磁驰豫测量研究了缺氧ＹＢａ２ＣｕＯ７－ｘ超导体中氧缺位对磁通行为的影响。实验表明：在低氧缺位时临界电流密度随氧缺位ｘ的增加稍有增加，且随磁场的增加出现一高起的平面，当氧缺位ｘ进一步增加，临界电流密度下降，且随磁场增加单调下降。零场冷却（ＸＦＣ），长场至固定磁场后磁化强度随时间依半对数关系衷减，磁通蠕动的热激活能随氧缺位ｘ的增加而下降。     

Ca掺杂对YBa2Cu3O7-δ超导块材性能影响的研究

用固相反应法制备了掺杂 Ca和不掺杂 Ca的 Y1 - x Cax Ba2 Cu3O7-δ超导块材。主要研究了 Ca掺杂对 Y1 - xCax Ba2 Cu3O7-δ(x≤ 0 .3)超导体性能的影响 ,采用标准四引线法测量了样品的 R - T和 I - V曲线。实验结果表明 :在YBCO超导体中掺杂适量的 Ca后临界温度 TC有所下降 ,样品的临界电流 IC有所增加 ,弱磁场下的 IC- H曲线下降幅度很平稳 ,这表明适量的 Ca掺杂有利于改善 YBCO超导体的临界电流性能