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对c轴择优取向的熔融织构样品(Nd0.33Eu0.33Gd0.33) Ba2Cu3O7-δ(含Gd(211)相)的磁通跳跃现象进行 了系统研究.结果表明,在外加磁 场平行于样品c轴条件下,在2到3K的温度范围内明显观测到了部分磁通跳跃现象,而 在5K及以上温区并未出现.在磁场垂直于样品的c轴情况,在2K到Tc的整个温 区都没有观察到磁通跳跃现象.这种各向异性磁通跳跃现象可归因于各向异性钉扎力和几何 退磁因子的结果.随着温度的增加,磁通跳跃数目减少,且M(H)曲线的第三象限是磁通 跳跃的最不稳定过程.最后,研究了磁通跳跃对磁场扫描速率的依赖关系,并讨论了磁通蠕 动对磁通跳跃的影响.
关键词:
0.33Eu0.33Gd0.33)Ba2Cu3O7-δ超导体')" href="#">(Nd0.33Eu0.33Gd0.33)Ba2Cu3O7-δ超导体
OCMG方法
磁通跳跃 相似文献
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通过测量不同温度的磁滞回线和不同温度、不同磁场下的磁驰豫,对熔融织物YBa2CuOx样品的钉扎各向异性及211含量钉扎力的影响进行了研究(外加磁场分别平行和垂直于C轴),发现熔融织构样品的钉扎力具有强各向异性,这是由钉扎中心形状的各向异性导致的、临电流随211含量的增加反而降低,表明在这些样品中211相颗粒及其周围的缺陷对磁通钉扎起负作用,仅当外场平行于C轴时,才能观察到鱼尾效应,表明这些样品中至 相似文献
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本工作用氦Ⅰ和氦Ⅱ紫外光电子谱对高温超导材料(T_c=89.5K)——钇钡铜氧化合物价态附近的电子结构进行了分析。 结果表明随着样品从室温(300K)冷却到80K,除了二个能量位置分别在费米能级以下4.6ev和9.6ev的谱峰向较高的结合能方向有0.4ev的微小移动以外,没有观察到其它的变化。该二个谱峰随温度下降的移动是连续的。本工作对不同烧结工艺的同种材料样品进行了分析,紫外光电子谱的结果表明:价态附近的电子结构有明显的不同。在弗米能级附近的光电子谱表明,样品整体来说是半导体性的。 相似文献
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高性能滤波器、低相位噪声振荡器以及加速器研究的需要促进人们对更高Q值微波谐振腔的探索。X波段铜微波谐振腔在室温下的Q值只能约10^4;低温超导铌腔在X波段和4.2K温度时的Q值为106-107,在X波段和1.25K温度时Q值约10^11,用高Q值(10^9)低温超导微波谐振腔在X波段可以实现了10^-17频率稳定度。但由于需要工作在液氦温区而限制了它们的应用:因为液氦非常昂贵,并且液氦的保存系统机构复杂;在1.25K温度下的超流特性和极高的渗透性,对低温腔的真空密封提出了非常严格的要求。 相似文献
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Ba1-xKxBiO3(BKBO)超导体之所以令人感兴趣,其原因除了BKBO不含铜和它是立方钙钛矿结构外,更是由于它具有相干长度长(约5-7nm),制备温度低,导电性和超导性各向同性等优点。最近的研究还表明BKBO对于环境介质(如水)的稳定性明显好于含铜超导体.这些优点对于BKBO超导体走向实用化是重要的.BKBO的超导性与钾含量有关。当钾含量x在0.37<x<0.5范围时BKBO才超导,当x=0.4时,Tc为30-32K,晶格常数为4.283A°.晶格常数随钾含量增加而减少,二者有线性关系.因… 相似文献
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在涡漩玻璃理论的基础上,我们推导出了交流磁化率的虚部峰值温度和频率的标度方程,可表示为Tp=Cf^1/(v(z-1)).实验结果表明我们的标度方程和实验符合得很好.利用标度方程可以确定样品在磁场下的涡漩玻璃转变温度Tg和指数v(z-1)的数值. 相似文献
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利用X射线衍射、扫描电镜和SQUID磁强计研究了粉末熔化(PMP)YBa\-2Cu\-3O\-y和掺Gd 的YBCO超导体的微结构,超导性能、磁通钉扎特性及鱼尾效应等,发现在掺杂Gd的样品中当 温度低于70?K时出现鱼尾现象(H⊥c),而在纯YBCO中无鱼尾出现.添加Gd有助于提高 J\-c,增强钉扎,并认为由掺Gd所引起的Y\-2BaCuO\-5粒子尺寸的减小,应力场钉扎和 磁性钉扎是J\-c增加的原因.
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在Y-Ba-Cu-O系超导材料中有两个Y-Ba-Cu的氧化物,一个是超导正交相,经微区X射线能谱分析,该相钇与钡的原子比约为1:2。晶体沿c方向的超结构周期是畸变钙铁矿型亚结构的三倍。从晶体沿α方向的高分辨电子显微象可看到在钇原子周围的铜原子在c方向的距离略小于钡原子周围的铜原子间距,这是由于在垂直于c方向的钇原子层上没有氧原子,从而造成Y-Cu-O亚晶胞的畸变。另一个Y-Ba-Cu的氧化物也属正交晶系,晶胞参数α=7.12A,b=12.2A,c=5.56A。钇与钡的原子比约为2:1。在La-Ba-Cu-O化合物中,超导相有四方晶胞,晶胞大小类似于上述超导相。晶体中有大量90°晶畴,晶畴大小约百埃数量级。这是由于材料中La原子过剩,多余的La原子集中于畴界处而造成的。 相似文献