意法半导体（ST）推出新的防潮射频功率晶体管

近日,意法半导体推出两款新的防潮射频（RF,radio—frequency）功率晶体管,以提高目标应用在高潮湿环境内的耐用性和可靠性。     

射频和微波功率晶体管的发展与建议

本报告是在调查的基础上综合国内外发展的概况，提出我国发展功率管的建议和设想。     

ST推出两款新的防潮RF功率晶体管

正意法半导体推出两款新的防潮射频(RF,radio-frequency)功率晶体管,以提高目标应用在高潮湿环境内的耐用性和可靠性。这两款50VRFDMOS器件的封装腔内填充凝胶,以防止裸片发生电迁移现象,例如银枝晶迁移。这是标准陶瓷封装受高温、偏压和潮湿结合影响的情     

射频功率晶体管发射极宽度的设计研究

本文以发射极电流集边效应理论的精确解为出发点,通过计算有效发射区宽度Seff,提出了射频功率晶体管发射极宽度的设计。作为应用实例,给出了工作频率分别为30MHz、108MHz、400MHz和1000MHz四个系列产品的发射极宽度优化设计的典型数据。     

英飞凌推出射频功率LDMOS晶体管

正英飞凌科技推出用于商业航空电子设备和雷达系统的脉冲应用和其他类型工业放大器的高功率晶体管。基于全新的50 V LDMOS工艺技术,全新推出的器件具备高能效、适用于小型化系统设计的高功率密度和称雄业界的可靠性。PTVA家族的首批产品包括两套成对的驱动和输出晶体管一具备400 W和500 W输出功率,适用于L频段和UHF频段雷达系统一和一个适用于965MHz至1215 MHz商用航空电子设备频率的应用的1000 W器件。每个器件最低都能承受10:1 VSWR(电压驻波比)负载失配,其可靠性是同类器件的两倍。     

晶体管发射极电流集边效应理论的实验研究与射频功率晶体管版图系列化

在晶体管发射极电流集边效应理论及其应用[4]～[7]的基础上,研究了射频功率晶体管版图的系列化设计。通过理论和实验结果的对比分析,实现了射频功率晶体管版图的系列化设计和优化设计,在工业化大生产的实际应用中,收到了本课题研究的实际效益。     

功率晶体管安全工作区测试仪的研制

本文介绍了在功率晶体管可靠性研究领域中安全工作区测试的概念、重要性以及国内安全工作区测试的现状,并着重介绍了该测试项目所需的重要设备“功率晶体管安全工作区自动测试仪的研制思路、特色及重点解决的一些问题,最后给出了仪器所达到的技术指标.结果表明,仪器技术指标达到或部分超过了国际同类仪器(日本TS—8212)的先进水平.这种安全工作区测试仪测试快速准确、操作方便,更适合国情,有较好的应用前景.     

RF和微波晶体管功率增益测量

通过微波调谐器、匹配线和器件特性的了解可以帮助设计人员更好地了解RF和微波晶体管。     

飞思卡尔WiMAX基站射频功率晶体管

飞思卡尔半导体公司（Frecscale Semiconductor）成功取得了．在3.5GHz频段运行的符合WiMAX基站所需的射频功率放大器性能。这一成功标志着制造商的射频横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术获得重大突破。通过提供采用射频LDMOS和GaAsPHEMT技术的功率晶体管，飞思卡尔的射频解决方案能够真正支持任何高功率无线基础设施应用，     

金刚石微波功率晶体管

本文概述了金刚石的材料特性，金刚石晶体管的结构和工艺，预计金刚石微波功率晶体管可在10GHz下，连续输出功率200W，在100GHZ下，连续输出1W。     

面向无线宽带应用的LDMOS射频功率晶体管

这两款LDMOS射频功率晶体管主要面向无线宽带应用,例如在2．5～2．7GHz频段上运行的WiMAX应用。在WiMAX信号条件下,提供16W平均输出功率时,PTFA260851E／F 85W可实现14dB增益（典型值）和22％效率（典型值）。在WiMAX信号条件下,提供32W平均输出功率时,PTFA261 702E 170W可实现15dB增益（典型值）和20％效率（典型值）。     

飞思卡尔推出新款Airfast射频功率LDMOS晶体管

飞思卡尔半导体日前推出了两款全新的Airfast射频功率解决方案,覆盖了主要的蜂窝基础设施频段,这两款解决方案均采用小巧的封装,却具有业界领先的增益性能。AFT27S006N的峰值功率为6W,是继广受欢迎的MW6S004N产品后推出的新一代器件。此外,飞思卡尔还为该系列添加了一个称为AFT27S010N的大功率器件,其峰值功率为10W。     

4.2GHz2W硅功率晶体管

<正>硅平面双极晶体管自问世以来,其频率和功率性能不断提高,发展迅速。但是,当频率提高到C波段以上时,由于其频率性能的提高与输出功率、散热性能和寄生参数等都发生了尖锐的矛盾。因此,硅微波功率管在C波段以上频段发展缓慢,并且渐渐被GaAs FET功率管所替代。然而,硅双极晶体管具有比GaAs FET低得多的相位噪声,所以,C波段硅功率管在卫星通讯等微波整机系统中仍有广泛的用途,国内的需求也非常迫切。 南京电子器件研究所硅工艺线采用先进的T形电极新结构、掺砷多晶硅发射区、BF_2。离子注入形成极薄的基区、反应等离子刻蚀技术和局部氧化等技术,用Ф75mm硅片研制成功C波段硅功率管。器件的典型微波参数是: