外光电效应中深层电子的逸出功

研究了外光电效应实验中表层和深层电子逸出功的实验数据,计算了金属表层电子和相对深层电子的逸出功,并应用经典动力学理论和晶格散射理论对结论进行分析。     

带电金属板所产生的光电效应及其分析

介绍了一种推广的光电效应理论——带电金属板所产生的光电效应,提出了一个"净能量守恒"的光电效应方程,对电子的逸出功做了一定的分析,还对带电与不带电金属板处于温度300 K的情况下对光电效应的影响做了探讨.     

光电效应的逸出功

由于工作的需要，我们查阅了一些物理教材，希望了解光电效应中各种金属的逸出功、截目频率及与之对应的波长，结果却发现了许多矛盾：同—种金属，各个教材所提供的数据各不相同；有的问题，甚至同—个教材所提供的两个数据也不能取得一致．下举几例（为了叙述方便，表和习题均按本文的顺序编号）：     

光电效应法测普朗克常数仿真实验数据处理中的替代方法及教学实践

在采用光电效应法测普朗克常数仿真实验的操作环节的基础上,在其数据处理环节提出使用Excel数据处理功能进行处理的替代方法。在绘制反向伏安特性曲线方面Excel法能达到仿真实验输出结果的同样水准,在增添测量数据、精确读取拐点数值等方面,Excel更灵活、更准确;在计算普朗克常数、电子逸出功、红限时,使用Excel工具能让学生对物理概念了解得更充分,更透彻。     

微通道板及其应用(Ⅰ)

一、微通道板的工作原理和发展历史 微通道板是从光电借增管、通道电子倍增器发展而来的.什么是光电倍增管(Photomul-tiplier简称为 PM)、通道电子倍增器(channeldectron multiplier 简称为 CEM) 和微通道板(microchannel　plate简称为MCP) 的工作原理呢?这必须从1905年爱因斯坦[1]提出的光电效应讲起,著名的爱因斯坦光电方程是:式中hv是光子能量,P是电子的逸出功, 是电子离开金属表面后所具有的能量.也就是说,入射光子的能量大于电子逸出功时,就有一个具有能量为的1/2mv2光电子从金属表面跑出来.爱因斯坦的光电效应理论曾被著名的物理…     

普朗克常量测定系统中实验数据的采集和处理

介绍了在光电效应实验系统改造中,关于实验数据的采集和处理方法。     

光电效应测普朗克常数实验单片机数据采集装置

介绍了一种配合光电效应普朗克常数测定仪进行实验数据的自动采集和处理的８０９８单片机装置     

光电效应中金属与光电子的分析

用费米-狄拉克统计方法分析计算光电效应现象中光电子的热运动能量,并与经典物理方法进行了比较,根据光学和固体物理学的方法,对光子进入金属表面内深度的问题进行了分析,得出光电效应中多数金属中的光电子只能从靠近金属表面内的浅层(小于微米)逸出,不能从金属内深层逸出的结论.提出光电子逸出金属表面的初动能只与它吸收的光子能量和逸出功有关,逸出时它们的动能相等.本文还对光电效应现象中的一些物理问题提出了新的观点.     

逸出功计算之进展

电子通过材料表面逸至真空所需之能量——逸出功是材料的一个重要特性.实际工作中往往要对材料的逸出功值提出一定要求.例如,为适应电真空器件功率加大、频率提高的趋势,希望热电子阴极的逸出功尽可能降低;为了改进光电发射休,尤其是近年广泛研究的负电子亲合阴极,也必须设法使     

电子束蒸发沉积六硼化镧薄膜的逸出功(英文)

六硼化镧(LaB6)具有电子逸出功低、高熔点和高化学稳定性等优点,是制作热阴极和场发射阴极的理想发射体材料。而且在常规场发射尖锥表面涂敷一层LaB6薄膜能够大幅度提高场发射尖锥的发射能力。为了测量LaB6薄膜的逸出功,采用电子束蒸发技术沉积LaB6薄膜,并对薄膜进行了X射线衍射分析和X射线光电谱分析。通过测量薄膜的热电子发射特性和敷LaB6薄膜的硅尖锥阵列的场致电子发射特性确定了LaB6薄膜的逸出功,与块状LaB6多晶材料的逸出功大体相同,说明电子束蒸发沉积技术适合于制备高纯度、低逸出功的LaB6薄膜。     

Origin软件在光电效应实验中的应用研究

研究了用Origin软件在光电效应实验中的应用,以截止电压与入射光频率的关系和不同频率时光电管的伏安特性为例,研究了该软件处理实验数据处理的过程。研究结果表明,用Origin软件可清晰地得出普朗克常数和金属的逸出功以及光电管的伏安特性,通过软件拟合,发现截止电压与入射光频率呈良好的线性关系。     

阴极氧化对逸出功的影响

为了探索阴极的氧化程度对环形He-Ne激光器引燃特性的影响,利用光电减速场法研究阴极材料的逸出功随阴极氧化的变化情况.在高真空条件下,用自制的卢基尔斯基球形光电测试平台和平行电极光电-放电器件,通过实验测出了铝作为放电器件的冷阴极在氧化工艺处理前后的逸出功及逸出功的值随氧化程度的变化情况.实验测得铝阴极在自然氧化后的逸出功为2.60±0.2 eV,此时被测铝阴极表面氧的质量百分比为3.2%.经不同时间氧化工艺处理的铝阴极,其逸出功随氧化时间的增长而降低.解释了铝阴极逸出功测量值可能处于2.5~4.3 eV之间的原因.由实验结果得到在一定范围内,氧化时间越长,材料的逸出功越小,越有利于环形He-Ne激光器的点燃.但阴极氧化也会影响气体放电过程的着火点压和阴极位降,因此对最佳氧化时间的选择要综合考虑这两方面的因素.     

光电效应与光电器件的应用

 一、光电效应及其理论解释著名物理学家赫兹为了验证麦克斯韦预言的电磁波,于1887年发现当光照射在金属表面时,电子可以从金属中脱出这一物理现象。这一现象叫做光电效应,可以从金属中脱出的电子叫光电子。光电效应可以分为两类。一类是当光照射在金属表面时,电子从金属中脱出,叫做外光电效应。另一类是当光照射在某些半导体材料上时,被半导体材料吸收,并在其内部激发出导电的载流子(电子-空穴对),从而使得材料的导电率显著增加(所谓“光电导”);或者由于这种光生载流子的运动造成的电荷积累,使得材料两面产生一定的电位差(所谓“光生伏特”),这两种情况叫做内光电效应。光电效应的实验规律是光的波动理论无法解释的。     

金属钨电子逸出功的实验测定与第一性原理计算

金属电子逸出功的测定，等效于对电子势能的测定，其对于了解微观原子结构，特别是修正相关原子结构理论和计算方法有较为重要的意义^[1]。逸出功实验过程巧妙结合金属钨晶胞各个能级之间的关系，灵活利用线性拟合特性简化数据关系，在近代物理实验的学习中有着指导性作用。由于不同实验者所测的逸出功之间存在差异，可以合理猜测逸出功的值与实验所用金属钨的晶面有关。因此基于第一性原理，也可直接对不同晶面的金属钨电子逸出功进行理论计算。将实验操作和第一性原理计算所得的金属电子逸出功进行对比，直观地分析不同晶面对金属电子逸出功的影响，为物理实验的学习提供新的思路和方式。     

光电效应伏安特性实验改进研究

光电效应实验及理论解释,为量子理论的建立奠定了基础,在光电效应伏安特性实验中,如何有效减少实验影响因素,提高测量结果的精确度,成为光电效应伏安特性实验改进的一个关键点。本从光电效应实验测量的伏安曲线出发,分析理论与实验结果上的差异,提出了影响实验结果的因素以及相应的实验操作办法,为光电效应伏安特性实验的改进,获得更加精确的实验数据以及光电效应实验的应用奠定了基础。     

金阴极的选择性光电效应

提出了一种测量金阴极的紫外光谱响应特性的方法.利用微通道板(microchannel plate,简称MCP)对电子的高增益特性,通过直接测量金阴极MCP探测器输出电流表征金阴极的紫外光响应.测量金阴极MCP探测器在200—340 nm波段的光谱响应,得到金阴极的谱响应特性:金作为逸出功较大的金属,也具有碱金属才有的选择性光电效应. 其选择峰值位于5.72 eV处,通过理论验证了该峰值的位置.     

"金属电子逸出功测定"实验数据处理的新方法

介绍了使用EXCEL2000软件中的三个函数,处理“金属电子逸出功的测定”实验数据的新方法,所得数据准确可靠。     

对钙钛矿CsPbX_3的X光波段外光电效应的研究

钙钛矿材料CsPbX_3作为新兴半导体材料,具有X光吸收系数高、制备工艺简单等优点,是一种优秀的X光光电探测材料.为了探索CsPbX_3在X光真空光电器件领域的应用前景,对其在X光波段的外光电效应进行了研究.制备了厚度为230 nm的CsPbI_2Br薄膜样品,并标定了其在2000—5500 eV的响应灵敏度和量子效率,响应灵敏度达到5.1 × 10~(-5) A/W以上,量子效率达到23%以上.采用Monte-Carlo方法对CsPbI_2Br的外光电效应灵敏度和量子效率进行了计算,计算数据与标定数据的一致性较好,表明Monte-Carlo方法适用于CsPbX_3在X光波段外光电效应的模拟.在此基础上计算了不同CsPbX_3钙钛矿材料在X光波段的响应灵敏度和量子效率,其计算值均接近于传统X光光电材料CsI,表明CsPbX_3是很有潜力的X光真空光电发射材料.进一步对CsPbX_3材料厚度与灵敏度的关系进行了研究,其结果显示为获得最佳灵敏度,CsPbX_3的厚度应不低于150 nm.     

关于“普朗克常数的测定”实验数据的处理

在物理实验当中,数据处理是非常重要的环节．对同样的测量数据,采用不同的处理方法,会得到不同精度的结果．下面就“普朗克常数的测定”实验数据的处理进行分析． 根据光电效应原理测量普朗克常数ｈ,其ｈ由下式决定其中Ｕａ为遏止电势差,ｈ为普朗克常数,ｅ为电子电量,ｗ为逸出功．从上式可以看出Ｕａ与ｖ呈线性关系,为直线方程,令 ｋ＝ｈ／ｅ,则 Ｋ就是该直线方程的斜率,因此,只要能准确的确定出斜率ｋ,由ｈ＝ｋ·ｅ就能够求出ｈ．现在的问题是如何准确地确定斜率ｋ． 我们可以用图解法确定斜率九如图１．原始数据如下： 根据…     

图像处理技术在低逸出功印刷型FED中的应用

采用低成本、大面积、低逸出功FED阴极材料及其阴极浆料,研制了大面积印刷式FED(样机),具有自主知识产权,在国内外属首创。介绍了低逸出功可印刷型场致发射显示系统的工作原理、数字视频图像的转换和处理、视频数据的传输、列灰度驱动和行驱动集成电路以及FPGA控制技术等。为了改善场致发射显示器的显示效果,通过理论分析和实际验证提出了亮度非均匀性校正、γ校正、自动功率控制等相应的解决方案。将图像处理技术应用到驱动电路中,改善了图像的亮度均匀性和灰度再现质量,降低了整机的功耗。首次将本技术应用于大屏幕低逸出功印刷型63.5cm(25英寸)VGA级彩色FED驱动系统中,研制出了能显示彩色视频图像的彩色FED显示器样机。亮度达400cd/m2、对比度为1000∶1,电路灰度等级为256级。