基于LTCC工艺的定向耦合器的设计理论与方法

本文主要介绍了定向耦合器的基本模型、分类和技术指标;分析了常见耦合器结构的特点;最后着重讨论了基于LTCC工艺的单节带状线定向耦合器的设计方法,包括设计的理论基础、LTCC工艺、设计与仿真方法、设计与优化的指导准则;最后,设计实例的测试结果表明了该方法的有效性。     

一种紧凑型LTCC差分分支线耦合器

为满足微波电路高集成度以及抑制电磁串扰的需求,通过在低温共烧陶瓷(low temperature co-fired ceramic,LTCC)不同层分布具有特定奇模特性阻抗耦合线的方式实现了一种紧凑型差分分支线耦合器.一方面,耦合线在保证差模传输的基础上具有相对集中电场分布的特性,因此可以在LTCC中相互重叠,从而有效减小尺寸;另一方面,耦合线与单条带状线相比可以减少接地层的使用,从而降低损耗.为验证理论预期可行性,设计了一个工作在1.84 GHz频率下,尺寸为0.07λg×0.07λg(λg为中心频率的导波波长)的LTCC差分分支线耦合器.实测结果表明,最小插入损耗为0.6 dB,15 dB回波损耗的相对带宽和隔离带宽分别为18.2％、18.0％,±10°相位差的相对带宽为40.0％.本文设计具有尺寸小、损耗低、带宽增强和易于与差分芯片连接等优点,可以作为一种实用的微波器件.     

用于微波组件的LTCC 3 dB耦合器

低温共烧陶瓷(LTCC)技术是实现机载、星载、舰载相控阵雷达小型化、轻量化、高性能、高可靠、低成本的有效手段。文中论述了LTCC技术在微波集成器件应用中所具有的技术优势,并介绍了用于微波组件的LTCC 3dB耦合器的构成、关键制造工艺技术以及性能参数等,为LTCC技术在微波集成器件中的应用进行了有益的探索。     

LTCC抽头式交指型滤波器的研制

本文介绍了一种基于LTCC工艺的抽头式交指型滤波器的设计技术，该滤波器采用以综合设计为主的集总参数低通原型滤波器电路设计法，用分布参数的谐振元件代替LC回路，采用低温共烧陶瓷（LTCC）工艺制作。利用抽头式交指结构形式，改善了性能，提高了可靠性。产品具有体积小、指标高、易于集成等显著特点。     

基于LTCC技术超小型宽带巴伦的设计与实现

介绍了一种基于LTCC（低温共烧陶瓷）技术的超小型宽带巴伦的设计与实现。该巴伦由Marchand微带巴伦改进而来,综合采用LTCC多层立体三维集成结构,螺旋线宽边耦合带状线结构（SBCS）和带状线末端电容加载技术来实现宽带巴伦的小型化。最终设计出了一款频带0.9~2.3GHz,尺寸仅为1.8mm×1.2mm×1.0mm,插损小,幅度平坦度好,相位一致性高,各项性能均优的宽带巴伦。讨论了该款巴伦的设计思路、工作原理、三维结构,最后给出了该款巴伦的仿真和测试结果,两者一致性较好。     

C 波段LTCC 无通孔微型Lange 耦合器的研究

研究了一种C波段LTCC无通孔微型Lange耦合器,其结构紧凑,尺寸小。LTCC叠层技术是实现高性能、高可靠、微型化微波元件的主流技术之一,尤其是在提高电路集成度方面。Lange耦合器由于其特殊的结构使得其可以实现宽频带、高性能。设计、制作了一种中心频率为4GHz的宽带3dB Lange耦合器,尺寸仅为7.0mm×2.2mm×1.4mm。在2.0～6.0GHz频带内测试结果如下:插入损耗<0.3dB,反射损耗<21dB,隔离>27dB,相位平衡<90±3°,最大承受功率<40W(连续波)。测试与仿真结果较吻合,验证了研究结果的一致性。     

LTCC材料在微波电路中的应用

本文主要介绍了Au,Ag,Cu等低温共烧陶瓷材料,这些较低电阻率金属材料作导电材料时可以极大地降低插入损耗,并且介电常数比高温共烧陶瓷（HTCC）低,因此可以提高微波信号传输速率,减小信号延迟时间。本文还介绍了低温共烧陶瓷（LTCC）目前的发展现状,MCM封装技术的状况以及低温陶瓷性能。     

一种LTCC芯片天线研制

研制了一种新型的频率范围适用于GSM800/CDMA Cellular(824～960MHz)的全向芯片天线.该天线将曲折导线嵌入在LTCC介质中,采用通孔连接各层形成立体结构.通过分析天线的结构,给出了芯片天线的等效电路,并且进行仿真对比.该天线外形小巧,设计尺寸只有20.0mm×4.0mm×1.5mm.该芯片天线具有带宽大,全向性好,电气特性稳定等优点,适合应用于各种高灵敏度、低剖面的无线通信收发模块及移动通信终端.     

LTCC双波段定向耦合器设计与分析

文中介绍了双频手机前端用的LTCC定向耦合器的工作原理及其结构形式，并就其设计要求从LTCC微带结构和微波耦合特性两个方面进行系统分析。     

LTCC基板通孔金属化研究

低温共烧多层陶瓷（ＬＴＣＣ）基板是微电子先进产品ＭＣＭ的重要组成部分。这种基板的通孔金属化是制作成功基板的关键。本文重点分析了形成稳定金属化通孔导体的固有应力和热应力产生的原因,以及如何采取对策来解决。     

LTCC工艺技术的重点发展与应用

本文主要介绍LTCC工艺制造技术在目前和将来一段时间内的重点发展与应用情况,包括平面零收缩LTCC基板、空腔制作、精密细线条加工、带敏感结构LTCC基板,以及LTCC集成组件与模块、MCM用标准化封装外壳、LTCC用于微系统和传感器等。     

LTCC埋置衰减器的实验研究

本文根据LTCC埋置衰减器的实验，阐明了LTCC工艺制作的埋置衰减器在射频/微波领域应用的突出优点，并从便于推广的角度介绍了简便的推算设计方法。     

LTCC基板与封装的一体化制造

介绍LTCC一体化基板／外壳封装的设计、制作与性能检测。     

基于LTCC基板的薄膜微带线制作技术

本文对厚、薄膜多层互连基板的发展进行了简单的分析，对基于LTCC基板的薄膜50Ω微带线的设计、制造、测试进行了介绍。结果表明LTCC基板表面实施薄膜工艺与厚膜工艺相比有利于获得更好的微波一致性。     

SOI定向耦合器研制

本文根据大截面单模脊形波导条件和有效折射率法，在硅片直接键合后背面抛光减薄的ＳＯＩ材料上，通过氢氧化钾各向异性腐蚀的方法，成功地研制出ＳＯＩ定向耦合器，在波长为１．３μｍ时，其平均插入损耗为４．８ｄＢ，平均串音小于－１８．６ｄＤ．     

LTCC应用于大功率射频电路的可能性研究

通过介绍低温共烧陶瓷（LTCC）技术工艺及其优势，研究其在微电子工业特别是大功率RF电路中应用的可行性。     

低温共烧陶瓷(LTCC)工艺的研究

低温共烧陶瓷（LTCC）技术是近年发展起来的令人瞩目的整合组件技术,已经成为无源集成的主流技术,成为无源元件领域的发展方向和新的元件产业的经济增长点。叙述了低温共烧陶瓷技术（LTCC）的制备工艺以及未来应用前景。     

基于LTCC的一体化频率源研制

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术,设计并实现了一款Ku波段的频率源。该频率源将滤波器集成在LTCC基板内,并采用共晶焊和平行缝焊工艺,实现了频率源的小型化和一体化封装,经测试满足国军标检漏标准。该频率源的输出频率为13.6GHz,相位噪声为-88dBc/Hz@1kHz,其体积为12mm×15mm×3mm。     

LTCC高速热切速度控制方法研究

低温共烧陶瓷（LTCC）实现微波多芯片组件（MMCM）的一种理想组装技术．论述了制造微波多芯片组件的LTCC基板工艺,分析了LTCC基板生瓷材料在热切过程刀体运动流程以及其控制特点,研究了刀体在高速热切过程中的速度控制特点,提出了在确定结构下实现LTCC热切刀体的高精度和高速度控制方法,实验证明,在切割精度不受影响的情况下该方法提高了切割效率,减小了在高加减速情况下对机械系统造成的冲击。