新型功率器件MCT的研究

本文探讨了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的结构设计、工艺设计及实施方法。通过计算机工艺模拟,采用SDB(硅片直接键合)、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术,在实验室制成了MCT样品.测试结果表明.在-12伏的栅偏压下能在5μs内关断42A/cm~2的阳极电流.     

10A/500V MCT器件的研制

本文叙述了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的结构设计、工艺流程及实施方法。西安徽电子研究所采用扩散、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术制成MCT样品。测试结果表明，其在20V的栅压下能在4μs内关断50A／cm^2的阴极电流。     

美国近期激光武器发展现状与研制计划

综述了美国九十年代中期激光武器发展现状与研制计划，分析了几种激光武器的基本技术特点及技术关键。     

MOS型硅功率器件的发展

本文介绍了以MOS技术为基础的新型MOS型硅功率器件的特点,性能水平,发展状况及面临的课题。     

采用LDMOS的HVIC的研究

LDMOS (Lateral Double Diffused MOS)是1972年由H.J.Sing等人首先提出来的,是目前所有功率MOS器件的基础.与双根型器件相比,它具有普通MOS器件的优点,如输入     

横向高压功率器件的进展

由于横向高压功率器件在功率集成电路及智能功率电路中具有极其重要的用途，近年来，各种各样的横向功率器件层出不穷。文章讨论了近年来横向功率器件的发展及其主要特性，并对它们进行了详细的分类，以期对各种横向功率器件的特性及其优缺点有一个全面的了解。     

新型功率器件MCT的研究

探讨了新型功率器件ＣＭＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的参数设计和工艺设计及实施方法，通过计算机工艺模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接健合），硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术，在实验室里制成了ＭＣＴ样品。测试结构表明，在－１２伏的栅偏压下能在５μｓ内关断４２Ａｃｍ＾２的阳极电流。     

美国激光武器的发展与分析

介绍了美国激光武器的发展历程以及装备的研制、改进情况,指出了在现代战争中发展激光武器的优势和重要性,重点探讨了几种激光武器的性能及其特点,最后论述了美国激光武器的研制计划与发展分析。     

SDB／MCT新型功率器件的研究

本文探讨了新型功率器件ＭＣＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的电参数设计和工艺设计，通过计算机模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接键合）材料，在实验室制成了ＮＭＣＴ样品。测试结果表明，在－１２Ｖ的栅偏压下能在５μｓ内关断４２Ａ／ｃｍ＾２的阳极电流。     

设计高频高压场效应晶体管的一些考虑

高频高压场效应晶体管(LDMOS)是功率MOS器件中同时具有高频高压性能的一种器件,也是目前广泛用于HVIC(高压集成电路)及PIC(功率集成)电路的器件之一。本文从结构上描述了器件的高频、高压特性,并提出了一些可提高这些性能的措施和设计思想。     

双极MOS复合器件及其发展动向

微电子技术与电力电子技术相结合,不但使电力电子领域为控制部分向数字化、小型化和高性能方向发展,而且使功率半导体器件自身向高耐压、大容量和高频化方向发展.功率半导体器件中,作力电力电子学基石的晶闸管具有大电流特性,但无自关断能力;广泛使用的双极晶体管需较大的基极驱动电流;可关断晶闸管GTO能在比双极晶体管更大的电流密度下工作,但开关速度低且门极关断电流大;     

VDMOS功率场效应器件的设计与研制

VDMOS功率场效应器件是八十年代迅速发展起来的新型功率器件,由于它比双极型功率器件具有许多优良性能:如高输入阻抗、低驱动电流、开关速度快、工作频率高、具有负的电流温度系数、热稳定性好,安全工作区大,没有二次击穿及高度线性的跨导等,已广泛地应用于各种电子设备中,如高速开关电路、开关电源、不间断电源、高功率放大电路、高保真音响电路、射频功放电路、电力转换电路、电机变频调速、电机驱动、固体继电器、控制电路与功率负载之间的接口电路等。     

高压功率MOS器件终端结构计算机模拟的物理模型

对高压ＭＯＳ功率器件的设计而言，结终端结构的设计是至关重要的一环。由于电压不断提高，终端结构亦更加复杂、传统的设计方法已不再适用。因此，本文对新的设计手段－计算机模拟进行了详细地研究。首先建立了一套适用于终端结构模拟的物理模型。然后讨论了离散化的形式，并分析了所得大型稀疏线性方程组的迭代收敛性及稳定性。文中还提出了对于耗尽层分布及场限环浮置电位的一种新的处理方法－多重迭代法，从而克服了以往处理方法