准单模掺锗硅芯光纤的受激喇曼散射中的模竞争

本文报道了准单模掺锗硅芯光纤的受激喇曼散射中的模竞争实验研究。观察到了喇曼竞争现象和喇曼跳级现象。较详细分析了受激喇曼模的竞争。     

钡蒸气的受激喇曼散射及碰撞诱导受激辐射

在宽带XeCl激光泵浦的钡蒸气中,观察到波长分别为472.6nm,582.6nm和648.3nm的碰撞诱导受激辐射以及波长为475nm的受激喇曼散射.碰撞锈导受激辐射脉宽为3ns左右的自终止型短脉冲,其强度随缓冲气体压力的升高而上升.喇曼光脉冲前沿与泵浦光脉冲前沿之间有长20ns的时间延迟,喇曼转换效率随缓冲气体压力的升高而下降     

准分子激光束的喇曼组束

受激喇曼散射可以将紫外准分子激光辐射频移到特定的近紫外或可见光波长,采用喇曼整形技术可以改善斯托克斯光的光束质量,本文报道喇曼组束提高喇曼整形效率的实验结果.     

宽频带聚焦泵浦准稳态受激电子喇曼散射的增益因子和能量转换效率

本文采用Raman-Maxwell-Bloch方程,计算了宽频带聚焦泵浦准稳态受激电子喇曼散射的增益因子和能量转换效率.在计算中考虑了泵浦抽空、喇曼介质对泵浦光的吸收和喇曼介质的泡和效应.计算结果与XeCl激光在钡蒸汽中的受激喇曼散射实验基本上符合.     

准分子激光束的喇曼整形

受激喇曼散射可以将紫外准分子激光辐射频移到特定的近紫外和可见光波长.采用喇曼整形技术还可以获得衍射极限发散角的斯托克斯输出.本文研究了注入光束质量对喇曼整形的影响,并求得不同氢压力下的喇曼增益系数和饱和参量.     

光纤中的受激喇曼散射及泵浦脉冲和斯托克斯脉冲的分离

本文报道在单模光纤中的受激喇曼散射的实验结果,用条纹相机测量了泵浦脉冲和喇曼斯托克斯脉冲时间上的相对延迟;结果表明,受激喇曼散射的喇曼斯托克斯脉冲大约在距光纤输入端一个分离距离的位置上形成。     

CBrCl3液芯光纤中的受激喇曼散射

以1.06μm调Q-锁模激光泵浦CBrCl_3液芯光纤,观察到11级受激喇曼散射,测量了各级受激喇曼散射的相对峰值功率及第9、10和11级的频谱.这种液芯光纤中的受激喇曼散射可作为获得2μm以上波段红外相干光的手段.     

部分离化激光等离子体的受激喇曼散射不稳定性

由于部分离化激光等离子体中存在束缚电子，它可显著改变其参量不稳定性。本文分析了部分离化激光等离子体的受激喇曼散射的非线性色散关系，计算了钕玻璃倍频和三倍频激光受激喇曼散射的增长率，结果表明，前向受激喇曼散射显著增强，后向受激喇曼散射影响不大。     

光孤子脉冲在光纤放大器中的传播

本文建立了包括增益色散,受激喇曼散射,双光子吸收效应的理论模型,讨论了光孤子脉冲在光纤放大器中的传播.数值计算结果表明:在反常色散范围内,光孤子的放大是不稳定的.增益色散导致光脉冲对称分裂,而受激喇曼散射则导致不对称的分裂.在增益色散和受激喇曼散射的共同作用下可获得新的时域和频域特征.有限带宽的放大能抑制受激喇曼散射引起的自频移.本文对有啁啾的光孤子脉冲的放大也进行了分析.     

光纤中的紫外受激喇曼散射

用YAG∶Nd激光的三次谐波作激励光,我们在光纤维中观测了紫外受激喇曼散射。测定了受激喇曼散射的峰值波长,它们是3610(?)、3722(?)和3791(?)。指出了各受激喇曼线相应的散射元.     

钠蒸气中受激电子喇曼散射

本文报道了钠原子3S-4S跃迁的受激电子喇曼散射的首次观测。获得了2.38μm～2.65μm的可调谐红外输出;计算了受激电子喇曼散射的功率增益系数并测量了红外输出随染料激光频率调谐的变化,其结果符合较好;给出了泵浦功率阈值随钠蒸气压变化的实验曲线;测得光子转换效率约为30％。在此同时,观测到了钠原子4S-3P跃迁的放大自发辐射。     

鉴别CS2介质受激喇曼散射和受激布里渊散射阈值的微小差异的实…

本文提出一个测试ＣＳ２介质受激喇曼散射和受激布里渊散射阈值的微小差异的实验方法，并成功地获得阈值稍低的受激喇曼散射，而抑制了受激布里渊散射。     

后向泵浦高功率掺镱光纤放大器的非弹性散射效应

 在考虑受激布里渊散射和受激喇曼散射效应的基础上,数值求解了双包层掺镱光纤放大器的速率-传输方程,分析了后向泵浦高功率掺镱光纤放大器在不同信号光线宽、光纤长度和纤芯直径下的输出特性,研究了受激布里渊散射和受激喇曼散射的抑制条件。计算结果表明:在后向泵浦方式下,若掺镱光纤长度小于0.68 m,纤芯直径大于26 μm,信号光线宽大于0.04 nm,则放大过程中的受激布里渊散射和受激喇曼散射能同时得到有效抑制。     

SiC纳米晶须的光致发光研究

纳米碳化硅晶须作为一维半导体,其光学性质一直受到关注。研究结果显示,在Ar^ 激光（514．5nm)激发下,纳米碳化硅晶须室温下发出极其强烈的红光,这种发光导致喇曼光散射消失,瑞利弹性散射极度减弱,由于低维半导体的体表面大,对称平移受到一定程度的破坏,应该产生大量的缺陷,其发光也应该是表面发光或缺陷发光,但分析表明这可能是低维半导体碳化硅室温下首次发现的极其稳定的强束缚激子或表面发光现象。对其发光机制给予讨论。并且探讨了合适条件下出现喇曼受激辐射,初步认为喇曼散射截面的增大会促进喇曼受激辐射的产生。     

旋光纤喇曼放大器中ASE噪音模型及仿真计算

通过分析旋光纤喇曼放大器中信号光、抽运光的非线性薛定谔波动方程及放大自发辐射噪音特性,提出一种能同时在旋光纤喇曼放大器中产生预计波形放大自发辐射噪音,又方便计算的方法.根据放大自发辐射噪音时域特性,建立并在波动方程中加入放大自发辐射非高斯噪音模型.在考虑旋光纤双折射的非线性效应同时,通过分步傅里叶法对波动方程求解,计算了旋光纤喇曼放大器中的放大自发辐射噪音,并与实验结果吻合.     

旋光纤喇曼放大器中ASE噪音模型及仿真计算

通过分析旋光纤喇曼放大器中信号光、抽运光的非线性薛定谔波动方程及放大自发辐射噪音特性,提出一种能同时在旋光纤喇曼放大器中产生预计波形放大自发辐射噪音,又方便计算的方法.根据放大自发辐射噪音时域特性,建立并在波动方程中加入放大自发辐射非高斯噪音模型.在考虑旋光纤双折射的非线性效应同时,通过分步傅里叶法对波动方程求解,计算了旋光纤喇曼放大器中的放大自发辐射噪音,并与实验结果吻合.     

单模石英光纤中受激喇曼散射的研究

利用连续光纤激光器为泵浦源,对单模石英光纤中的受激喇曼散射进行了实验研究.在较低功率泵浦下,观察到由自发喇曼散射向受激喇曼散射演化的过程中,光谱不断变窄;当Stokes波信号功率较强时,观察到光谱峰值相对于泵浦波的频移量从440 cm－1转化到490 cm－1.在改进耦合系统后,不仅观察到一级喇曼频移,并且观察到了高阶Stokes光.在产生多级喇曼光谱时能量移动比较复杂,每两级的喇曼频移间隔并不完全相同.     

基于两步混合激发Na_2-Na系统的可调谐红外受激辐射

本文报道了与两步混合激发Na_2-Na系统相联系的受激电子喇曼散射过程产生了在3.38—3.46μm范围内连续可调谐的红外受激辐射的研究结果。对这种可调谐红外受激辐射的产生机制和实验结果作了仔细的分析和讨论。 同时,还计算了该红外受激辐射的相对强度并与实验结果进行了比较。最后指出这一工作与前人所做工作的不同之处及所具有的显著特点。     

LiIO_3晶体内谐波相干喇曼混频

用1.06μm微微秒激光脉冲序列按一定角度激励LiIO_3晶体,在4896～6119(?)可见光区内获得8种波长相干喇曼混频辐射,这个复杂受激喇曼散射过程可解释为:在满足位相匹配的条件下,1.06μm强光束一方面与其散射光按非共线型产生二次谐波;另一方面又在晶体形成激元的相干激发,后者对倍频光散射而得到一阶以及高阶的斯托克斯辐射和反斯托克斯辐射,这是二阶与三阶非线性光学过程的综合效应.此外,我们观察到反向的受激散射,其光谱成分与正向的成分不同.并证明,与普通的后向散射也不同,它是1.06μm入射光在晶体出射端面的反射光所产生的谐波相干喇曼混频.     

过热铷蒸汽中的受激电子喇曼散射

采用一个特殊设计的热管炉,我们观测了过铷蒸汽中的5S_(1/2)→6S_(1/2)受激电子喇曼散射(SERS)和有关的放大自发辐射(ASE).实验结果表明:ASE过程有某些新的特性.对调谐SERS红外输出显示出不利的影响.