电子型超导体Pr1.85Ce0.15CuO4-δ中Cu位V替代对超导电性的影响

本文研究了Pr1.85Ce0.15CuO4-δ(PCCO)中V4 离子替代Cu2 离子后对其超导电性的影响.Pr1.85Ce0.15Cu1-xVxO4-δ(x=0～0.10)电阻率测量结果显示:微量(x≤0.04)V4 离子替代Cu2 离子可以改善样品的超导电性;随着替代量的增加,体系的超导电性逐渐被抑制,x=0.08时超导电性消失.我们主要从样品的微观结构和载流子浓度两个方面的变化分析了V4 替代Cu2 对PCCO超导电性的影响机制.霍尔系数实验结果表明,替代量较少时,体系中载流子浓度随着x的增加而增加,有助于超导电性的改善,但是当替代量增加到一定程度时,晶格畸变程度的增大和顶点氧的出现,抑制了超导电性.     

电子型超导体Sm1.85Ce0.15CuO4单晶样品的制备和品质鉴定

本研究了助溶剂法生长了Sm2-xCeXCuO4单晶的可行性，制备出x=0.15,Sm2-x=CexCuO4单晶，并作了品质鉴定，为了研究坩埚中的Al掺入的情况，对电阻率和热电势进行了测量。     

La1．89Ce0．11CuO4／La0．7Ca0．3MnO3异质结的原位制备及输运性质研究

采用脉冲激光沉积方法，在SrTiO3（STO）基片上原位制备了电子型掺杂高温超导体La1．89Ce0．11CuO4（LCCO）与超大磁电阻（CMR）材料La0．7Ca0．3MnO3（LCMO）异质结．使用X射线衍射和透射电镜分析，表明异质结是c轴取向外延生长．LCCO层的超导转变温度了TC0是18．5K，LCMO层的金属一绝缘转变温度为195K．我们研究了这种异质结的界面微分电导，得到LCCO的能隙大小是4．2meV．     

铜位锌替代对DyBa_2Cu_3O_(7-δ)体系超导电性的影响

利用X射线衍射(XRD)技术对DyBa2Cu3-xZnxO7-δ(x=0.0~0.4)系列样品的晶体结构进行探测,研究体系相结构的掺杂效应。结果发现,在整个掺杂范围体系保持了正交相的晶体结构。采用四引线法对掺杂样品DyBa2Cu3-xZnxO7-δ的超导电性能进行了系统测量,发现随着Zn掺杂量的增加,样品的超导转变温度总体呈明显降低趋势,分析了铜位锌掺杂对超导电性抑制的原因。     

电子型掺杂超导体Pr0.88 LaCe0.12 CuO4(Tc=24K)中明显的玻色激发模式

如何理解掺杂铜氧化合物中高温超导电性的机理仍然是凝聚态物理领域里最容易让人气馁的问题之一.     

样品制备过程中不同冷却速率对Nd1.85Ce0.15CuO4±δ单晶正常态和超导态输运性质的影响

通过原子力显微镜(AFM)对Nd_(1.85)Ce_(0.15)CuO_(4±δ)(NCCO)单晶样品的微结构进行分析,发现样品在制备和热处理过程中存在分解反应Nd2-xCexCuO4→(Nd,Ce)2O3 NdCeO3.5 Cu2O发生的证据,控制样品冷却速率可得到(Nd,Ce)2O3分解物含量不同的单晶样品.ab面电阻率测量结果表明,降低冷却速率可有效减少分解过程的发生、减少有效载流子浓度的降低和减少对Cu2O上Cu2 -Cu2 反铁磁关联的破坏,有利于保持体系结构上的均匀性和稳定性,是制备高品质电子型超导体Nd2-xCexCuO4单晶的关键.     

薄膜厚度对La1.85Sr0.15CuO4薄膜结构和超导电性的影响

使用直流同轴磁控溅射法,在SrTiO3(STO)衬底上成功制备出c取向的La1.85Sr0.15CuO4(LSCO)超导薄膜.通过电输运测量系统和X射线衍射仪研究了薄膜厚度对LSCO(x＝0.15)薄膜电学性质和晶体结构的影响.实验证明随着膜厚增加,(006)衍射峰的半高宽(Full Width at Half Maximum,FWHM)逐渐减小,薄膜的取向性增强,与此同时,薄膜的超导转变温度TC逐渐提高.     

热处理对C掺杂MgB2/Nb/Cu单芯线材微观结构及超导电性的影响

采用原位法粉末装管工艺(In-situ)制备了MgB2/Nb/Cu单芯线材,通过X射线衍射(XRD)、能谱分析(EDS)和物性测试仪(PPMS)等手段研究了热处理温度对线材微观结构及超导电性的影响.结果显示,随着热处理温度的提高,衍射图谱中的(110)峰向高角度偏移,说明掺杂元素C进入晶格的量也在增加;烧结温度对C掺杂...     

3d金属离子Bi位替代对新型层状超导体Bi_4O_4S_3超导电性的影响

文章报道了3d金属离子X(X=Fe3+,Co3+,Mn4+)少量掺杂对新近发现的超导体Bi4O4S3结构及超导电性的影响.粉末X射线衍射数据表明,少量3d金属离子X的掺杂对晶格结构几乎没有影响.观察发现随着掺杂离子X半径的减少,超导转变宽度△Tc变窄,也就是少量3d金属离子X的掺入提高了Bi4O4S3的超导电性.3d金属离子X的部分掺入提高了Bi4O4S3超导转变温度是一个非常值得关注的现象.     

Eu替代浓度对Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ体系电子结构和超导电性的影响

利用正电子湮没和X-射线衍射技术,对Eu替代Y位的Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.8,1.0)超导体系进行了系统研究,分析了体系的电子结构和正电子寿命参数的变化特征.给出了超导转变温度Tc与Eu替代浓度x之关联.结果表明:所有Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ样品均保持与YBa2Cu3O7-δ(Y-123)样品相同的单相正交结构;正电子平均寿命τm随Eu替代浓度x的增加而增加,反映了Eu替代Y位引起晶胞结构参量的变化不仅改变了Y位的电子密度,同时也影响了Cu-O链周围的电子密度分布及Cu-O面的层间耦合.     

钡位Mg掺杂对YBa2Cu3O7-δ晶体结构和超导电性的影响

利用XRD对系列样品YBa2-xMgxCu3O7-δ的晶体结构进行研究,给出了体系相结构的掺杂效应,结果发现,随着掺杂量的增加(x=0～0.2),样品的晶体结构由正交相向四方相转变.同时采用四引线法对掺杂样品YBa2-xMgxCu3O7-δ的超导电性能进行了系统测量,结果表明随着Mg掺杂量的增加超导转变温度总体呈明显降低趋势.初步分析了Ba位Mg掺杂所引起的晶体结构变化对超导电性的影响.该研究结果为高温超导机理的进一步研究提供了实验资料.     

La1．85Sr0．15CuO4纳米线阵列的微结构与超导电性

采用溶胶凝胶结合多孔氧化铝硬模板约束的方法，成功制备出直径约30nm的La1．85Sr0．15CuO4纳米线阵列，用XRD与X-ray EDX测定了所制备纳米线的物相与成分；FE-SEM与TEM表征了其形貌特征；由HRTEM与SAKD测量分析了其微结构；磁化强度的测量结果表明样品具有L-30K的超导电性，比块材La1．85Sr0．15CuO4的Tc稍低．分析表明所制各的样品中存在一种α，b轴拉伸，c轴压缩的结构畸变，减弱了铜氧面内Cu3d和O2p轨道的杂化程度，减小了α，b面内的态密度，从而压制了体系的超导电性．     

Eu(Pr)替代Ba位对EuBa2Cu3O7-δ晶体结构及其超导电性的影响

采用X射线衍射、直流输运和拉曼光谱法分别研究了Pr和Eu替代EuBa2 Cu3O7 δ的Ba位对晶体结构及其超导电性的影响。实验结果表明 ,随着Pr和Eu替代浓度的增加 ,晶体结构发生了从正交相到四方相的结构转变 ,超导临界温度Tc 迅速降低 ,拉曼光谱表明 ,随着替代含量的增加 ,Cu(1)—O(4 )的拉伸振动 5 0 4cm- 1 和Cu(2 )—O(2 ,3)反相弯曲的振动模 30 4cm- 1 系统地向高波数移动。     

高压对大块（PrNd）xAl0．6Nb0．5Cu0．15B1．05Fe97．7-x合金微观结构和性能的影响冰

经配料、熔炼、制粉、成型和烧结后制备了（PrNd）xAl0．6Nb0．5Cu0．15B1．05Fe97．7-x（质量百分比）合金,将该合金分别采用1．5GPa和3．0GPa的压强进行压制,研究了此高压对其显微结构和磁性能的影响．分析发现,该块状合金承受的压强越高,其外观和微观结构破坏越严重,抗弯强度也会降低,但高温抗氧化性能却有一定程度的提高．与没有经过高压处理的磁体相比,经过1．5GPa和3．0GPa高压的样品最大磁能积分别提高了7．69kJ．m^-1和0．94kJ．m^-1,剩余磁通密度分别提高了0．02T和0．01L内禀矫顽力分别提高了20．06kA．m-1和30．33kA．m^-1．结果表明,高压对块状NdFeB烧结磁体的显微结构和力学性能及磁性能均有一定的影响．     

Y2Ba4CuMoOy的添加和Mo替代Cu位对YBa2Cu3O7-δ超导体性能的影响（英文）

本文用固相反应法制备了YBa2(Cu1-xMox)3O7-δ+x mol Y2Ba4CuMoOy(x=0.00～0.08)的一系列多晶样品.利用X射线衍射法、标准四端引线法分别对样品的物相进行了表征和超导转变温度进行了系统的测量,发现随着掺杂量的增加,样品的晶体结构有从正交相向四方相转变的趋势,超导转变温度呈金属状态到半导体状态转变的趋势,并伴有两步转变过程;同时也观察到了超导转变温度降低且转变宽度增加的现象.然而,导致低Tc和宽T的可能原因是逐渐出现的非超导相Mo2411和样品的微观结构不均匀性.通过进一步的比较观察得到,样品超导转变温度出现两步转变最可能的原因不仅与非超导相Mo2411的增加有关而且与低Tc相的形成有关.