钆-钇-铽磷酸盐的X射线发光

YPO_4中掺Tb(每克分子Y_2O_3中掺以0.01克分子Tb_2O_3),在X射线激发下的发光主要起因于Tb~(3 ) ~5D_3→~7F_J跃迁,其发射光谱主要在3800—4500A范围内。此外,我们还发现可以用钆来敏化这种发光。为研究Y_(0.3)Gd_(0.2)PO_4:Tb~(3 )用于射线照相方面的性能所作的初步试验指出:这种磷光体有希望成为一种高效的射线照相屏磷光体。     

在Y_3O_2S∶Eu中加Al提高亮度

Y_2O_2S∶Eu红色磷光体中加少量Al,增加亮度而不降低发光颜色的纯度。制备方法是:Eu_2O_3—Y_2O_3混合物溶于HNO_3溶液中,加入草酸。加热后所获得的草酸盐分解而形成Y_2O_3—Eu_2O_3的混晶,混晶中加Al(NO_3)_3水溶液,经过干燥,在H_2S气氛     

Y_2O_3·Cr_2O_3复合氧化物热力学性质的研究

在1182—1386K温度范围内,用固体电解质氧浓差电池: Mo|Cr,Y_2O_3,Y_2O_3·Cr_2O_3|ZrO_2(+MgO)|Cr,Cr_2O_3|Mo测定了复合氧化物Y_2O_3·Cr_2O_3的热力学性质。对于反应 Y_2O_(3_(s))+Cr_2O_(3(s))=Y_2O_3·Cr_2O_(3(s)),得到 △G_(Y_2O_3·Cr_2O_3)~0=39160-34.97T(实验误差±350cal/mol)或 △G_(Y_2O_3·Cr_2O_3)~0=163900-146.3T(实验误差±1450cal/mol).因为△G_(Y_2O_3·Cr_2O_3)~0与温度T的关系为直线关系,所以若将△G~0=a+bT与△G~0=△H~0-T△S~0两式比较,a和-b的物理意义可认为分别相当于在公式适用温度范围内△H~0与△S~0的平均值。因此 △H_(Y_2O_3·Cr_2O_3)~0=39160cal/mol或193900J/mol, △S_(Y_2O_3·Cr_2O_3)~0=34.97cal/(mol·K)或146.3J/(mol·K)。 如将化合物写作YCrO_3的形式,各热力学数据为上述各值的一半。     

聚(2-甲氧基-5-辛氧基)对苯乙炔/Y_2O_3:Eu~(3+)纳米复合材料的光致电子转移效应

采用原位脱氯化氢缩合聚合法制备了聚(2-甲氧基-5-辛氧基)对苯乙炔/Y_2O_3:E~(3+)(PMOCOPV/Y_2 O_3:Eu~(3+))纳米复合材料。红外光谱证实了在Y_2O_3:Eu~(3+)表面的包覆层为PMOCOPV。紫外-可见吸收光谱表明与PMOCOPV相比,PMOCOPV/Y_2O_3:Eu~(3+)的最大吸收峰发生红移且强度提高。荧光光谱研究表明PMOCOPV/Y_2O_3:Eu~(3+)的最大发射波长发生红移且强度提高,荧光寿命得到增强,Y_2O_3:Eu~(3+)与PMOCOPV之间形成了光致电子转移体系,使得π电子离域程度增加,并且导致荧光量子效率提高。根据E_g与入射光子能量hv的关系,拟合了PMOCOPV/Y_2O_3:Eu~(3+)薄膜的光学禁带宽度,发现E_g减小。采用简并四波混频方法测试它们的三阶非线性极化率x~((3)),结果发现与PMOCOPV相比,PMOCOPV/Y_2O_3:Eu~(3+)纳米复合体的非线性光学响应逐渐增强,进一步说明PMOCOPV与Y_2O_3:Eu~(3+)之间形成了分子间光致电子转移体系,产生了复杂的分子间离域π电子非线性运动。     

彩色电视和照明用稀土红色荧光粉的制备

彩色电视用阴极射线管屏和照明用高压汞灯制造中所特有的很多问题都直接地与所用荧光粉的特点有关。这篇报告研究了这方面的一些问题,并着重于稀土原材料对Eu~(3 )激活的荧光粉YVO_4、Y_2O_3和Y_2O_2S的影响。介绍了荧光粉合成及鉴定原材料的一些方法。讨论了高纯氧化钇和氧化铕的重要性并提出了今后对其质量要求的合理根据。     

YBa_2Cu_3O_7固相生成反应的历程

以碳酸盐,氧化物为原料,生成 YBa_2Cu_3O_7的固相反应历程,在升温过程(750℃→950℃)及等温过程(956℃)中是不同的.在升温过程为反应历程(Ⅰ):BaCO_3+CuO→BaCuO_2+CO_2↑,BaCuO_2+Y_2O_3→Y_2BaCuO_5,Y_2BaCuO_5+3BaCuO_2+2CuO+(1/2)O_2→2YBa_2Cu_3O_7在等温过程,混合存在着两个反应历程,即如上之(Ⅰ)及(Ⅱ):BaCO_3+Y_2O_3→Y_2BaO_4+CO_2↑,Y_2BaO_4+CuO→Y_2BaCuO_5,Y_2BaCuO_5+3BaCuO_2+2CuO+(1/2)Q_2→2YBa_2Cu_3O_7     

X射线增强屏的量子利用率

本文的目的是对一些稀土硫氧化物X射线屏作一个综合的比较。报导了(Y_2O_2S:Tb,La_2O_2S:Tb和Gd_2O_2S:Tb)在与普通的X光底片以及与实验的(对绿色灵敏)X光底片一起使用时的相对速度和分辨本领。所实验的稀土硫氧化物屏与市售的CaWO_4 屏的性能也作了比较。对于分辨本领差不多的屏,La_2O_2S:Tb和Gd_2O_2S:Tb比YO_2S:Tb和CaWO_4 的速度快得多。La_2O_2S:Tb在管电压低于90kvp时较好。在90kvp以上 Gd_2O_2S:Tb最好。这些特性是同屏的量子利用率有关的。量子利用率被定义为入射在屏上的X射线能量被屏实际吸收的份额。计算了硫氧化物和CaWO_4 屏的量子利用率。     

多色显示器用磷光体

本文介绍的磷光体组成是,每个颗粒内核是Pr激活的Gd_2O_3,Y_2O_3或Lu_2O_3,外面包着一层相应的硫氧或氟氧化物。这种材料很适于沉积在阴极射线管的屏上,用以显示不同颜色的图案。它在用不同电压下的电子束激发时,发出不同颜色的光。对该磷光体的制备方法也做了介绍。     

YBa_(2-x)Pr_xCu_3O_(7-δ)体系中的Pr替代效应

报道了YBa_(2-x)Pr_xCu_3O_(7-δ)(0≤x≤0.15)体系的超导电性和正常态输运性质的测量。实验结果表明随着Pr在Ba晶位替代量的增加,超导转变临界温度T_c和由Hall系数推算的荷电载流子浓度P_H均单调下降。通过与Y_(2-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-δ)和Nd_(1 x)Ba_(2-x)Cu_3O_(7-δ)体系的比较研究,作者发现上述三个体系的T_c变化均与载流子浓度的变化相关联。作者进而提出,在YBa_(2-x)Pr_xCu_3O_(7-δ)体系中Pr的空穴填充效应导致可迁移空穴浓度下降,从而压制T_c;而在Y_(2-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-δ)体系中载流子浓度的下降则是主要来源于Pr替代对空穴的局域作用,T_c同样被压制。Pr的拆对效应不明显。     

Y_(3-x)Bi_xFe_5O_(12)的晶体生长

本文讨论了Y_2O_3-Fe_2O_3-Bi_2O_3-PbO·0.2B_2O_3赝四元系相图的得出与运用;用Bi_2O_3-PbO-B_2O_3做助熔剂,获得了磁性石榴石Y_(3-x)Bi_xFe_5O_(12)单晶(0≤x≤1.2);还论述了Bi-YIG晶体内Bi含量与助熔剂熔液成份的关系。     

增加硫氧化钇掺铕发光材料亮度的方法

现时制作的铕激活的Y_2O_2S磷光体,使用大量的铕激活剂(5分子％)。人们试图减少铕的含量,而保持所希望的亮度和色度,以及降低磷光体的成本,但没有成功。因为发现磷光体在绿光谱范围内(550和535nm)具有强的发射峰,而对所要求的色纯度影响较大。 本发明是有关在较低的铕浓度下,Y_2O_2S:Eu的亮度将增加,而色纯度将改善。 例如,109克Y_2O_3,5.98克Eu_2O_3;80克S,62克Na_2 CO_3·H_2O以及含有1％     

Bi_2O_3-Y_2O_3系高氧离子导体的离子电导和电子电导的研究

用交流电桥法研究了Bi_2O_3 Y_2O_3体系含22.5—30mol％Y_2O_3烧结试样在po_2值由1至10~(-21)atm范围内氧离子的电导率,实验证明该种材料的氧离子电导率比同温度下ZrO_2基固体电解质高若干倍;用这种材料作为固体电解质组成氧浓差电池,电池电动势和理论电动势的比值E/E_0等于1或接近1,说明这种材料几乎为纯氧离子导体,p型电子空穴导电性很小;用库伦滴定抽氧法测定了含Y_2O_3 27.5mol％样品的电子导电特征氧分压,其值为lgpe＇=(-767000/T)+655,电子导电性极小。可期望为一种新型氧离子导体材料。     

YBa2-xPrxCu3O7-δ体系中的Pr替代效应

报道了YBa_(2-x)Pr_xCu_3O_(7-δ)(0≤x≤0.15)体系的超导电性和正常态输运性质的测量。实验结果表明随着Pr在Ba晶位替代量的增加,超导转变临界温度T_c和由Hall系数推算的荷电载流子浓度P_H均单调下降。通过与Y_(2-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-δ)和Nd_(1+x)Ba_(2-x)Cu_3O_(7-δ)体系的比较研究,作者发现上述三个体系的T_c变化均与载流子浓度的变化相关联。作者进而提出,在YBa_(2-x)Pr_xCu_3O_(7-δ)体系中Pr的空穴填充效应 关键词：     

硫氧化钇掺铕的制备方法

美国无线电公司发明一种制造大颗粒的Y_2O_2S∶Eu的方法。把11克Y_2O_3、0.66克Eu_2O_3、0.34克YF_3、12.6克Na_2SO_4、4.5克S加盖灼烧2小时,温度1100℃,冷却后用水洗,干燥。可得粒度为5～8μ的     

Y_1Ba_2Cu_3O_7的维度特性分析

本文中利用变换生成函数的技术计算了在Y_1Ba_2Cu_3O_7晶格上无规行走的逃逸几率,得到了弱耦合极限下的渐近表达式,推算了Y_1Ba_2Cu_3O_7的维度与Cu-O层间的耦合参量的关系,并得到从低维到三维的渡越(crossover)。理论计算表明,Y_1Ba_2Cu_3O_7是一个十分接近三维的体系。     

Y_2O_3∶Eu~(3+)纳米球的可控合成及尺寸效应所影响的发光性质

采用均匀沉淀法,通过改变稀土离子与尿素的量比成功合成了粒径分别为80,55,40 nm的Y_2O_3∶Eu~(3+)纳米球样品。通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)和发光光谱对不同尺寸纳米球的晶体结构、微观形貌和发光性质做了分析,对Y_2O_3∶Eu~(3+)纳米球的生长过程进行了研究。根据Judd-Ofelt理论,利用Eu~(3+)的发射光谱和荧光衰减等数据,计算了5D0→7FJ能级的辐射跃迁速率和荧光分支比,计算得到Y_2O_3基质材料的折射率为1.80以及不同粒径样品的光学跃迁强度参数。最后分析了5D0能级荧光发射与温度之间的依赖关系,结果证明了荧光温度猝灭行为符合Crossover过程,并通过阿伦尼乌斯公式非线性拟合获得了激活能,粒径为80,55,40 nm的Y_2O_3∶Eu~(3+)纳米球样品的活化能分别为0.201,0.193,0.200 eV。     

Local microstructural analysis for Y_2O_3/Eu~(3+)/Mg~(2+) nanorods by Raman and photoluminescence spectra under high pressure

In this paper, we investigate the Raman and photoluminescence spectra of Y_2O_3/Eu~(3+) and Y_2O_3/Eu~(3+)/Mg~(2+) nanorods under high pressures using 514-nm and 532-nm laser light excitation. We observe transitions from the initial cubic phase to amorphous at pressures higher than 24 GPa for both Y_2O_3/Eu~(3+) and Y_2O_3/Eu~(3+)/Mg~(2+) nanorods. In addition, Y_2O_3/Eu~(3+) and Y_2O_3/Eu~(3+)/Mg~(2+) nanorods exhibit different distorted states after the pressure has been raised to 8 GPa. The analyses of intensity ratios, I_(0-2)/I_(0-1) from ~5D_(0–)~7F2_to~5D_(0–)~7F_1and I_(0-2)A/B of ~5D_(0–)7F_2 transitions indicate that Y_2O_3/Eu~(3+)/Mg~(2+) nanorods exhibit stronger local micro-surrounding characteristics for Eu~(3+) ions in a pressuremodulated crystal field. The doped Mg2+ion results in reducing the crystal ionicity in the distorted lattice state under high pressures. The use of doped ions as an ion modifier can be applied to the study of small local microstructural changes through Eu~(3+) luminescence.     

含痕量Pr~(3 )和Tb~(3 )的Y_2O_2S中Eu~(3 )发光的敏化

作者研究了在紫外(uv)和阴极射线(cr)激发下,共掺杂Pr~(3 )和/或Tb~(3 )的Y_2O_2S:Eu磷光体发光强度的提高。Pr~(3 )或Tb~(3 )的适当浓度为10~(-4)～10~(-3)原子％,在加速电压为10KV,电流密度为1μA/cm~2的激发条件下,亮度提高超过50％。在254nm光激发下仅提高10％。未掺杂Pr~(3 )或Tb~(3 )的Y_2O_2S:Eu~(3 )的阴极射线发光强度随束电压的增加而饱和,共掺杂了Pr~(3 )或Tb~(3 )的Y_2O_2S:Eu的阴极射线发光强度随束电压的升高而线性增加。对束电压依赖关系的这个差别可用下列假设来解释:Pr~(3 )或Tb~(3 )有效地俘获载流子,以致抑制了在能量漏损处载流子的消失效应,这种效应是引起发光强度饱和的原因。本文还讨论了用紫外激发敏化Eu~(3 )的电荷转移态而产生载流子的作用,这种作用可由Y_2O_2S:Eu陶瓷的光电导激发光谱来说明。     

发光材料、荧光材料

O482.31 2004032307 溶胶-凝胶法制备Y_2O_3:Eu发光薄膜=Preparation ofY_2O_3:Eu fluorescent film by sol-gel process[刊,中]/曾冬铭(中南大学化学化工学院.湖南,长沙(410083)),程建良∥感光科学与光化学.—2003,21(4).—280-284     

氧化钇(Y_2O_3)的原子间力常数

在室温条件下,使用X射线衍射实验装置对氧化钇(Y_2O_3)粉末晶体进行了衍射实验。观察到了明显的呈现振动形状的热漫散射强度。根据全衍射背底强度通用方程展开Y_2O_3的热漫散射强度方程,通过实验值和理论值的对比推导出了原子间热振动相关效应值μ,得到Y_2O_3的热漫散射强度主要来源于原子的独立振动,对热漫散射振动形状最有贡献的是第6近邻原子(Y1-Y2)间热振动相关效应。根据原子间热振动相关效应值推导出了原子间力常数。