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超导HEB的I-V特性模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
超导热电子测热辐射仪(Superconducting Hot-electron Bolom eter,HEB)是一种检测器件,可以对1THz以上的电磁辐射进行高灵敏度的检测。该工作是利用双温模型,假设电子和声子各自处在平衡态,但具有不同的温度,根据热平衡原理,计算出电子和声子温度在HEB桥上的分布,得到桥两端的电压值,从而得出器件的I-V特性。分析了实验环境温度,转变宽度和薄膜厚度对器件I-V的要求,并与实验测量的结果相比较,为进一步研究超导HEB的混频特性打下基础。 相似文献
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为了实时、便捷的改变光刻图案以用于微纳光子器件制备,使用数字微镜器件构建了一套无掩模亚微米尺度制备系统.基于阿贝成像原理分析了周期结构在相干光照明下的成像过程,并用数值模拟以及空间滤波实验证明了这个过程.使用此实验系统制作出了周期为900 nm的二维结构以及周期为数十微米的带缺陷结构.实验表明,使用数字微镜器件可以方便的制作出亚微米尺度的图案. 相似文献
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超导纳米线单光子探测器件(SNSPD)是超导单光子探测系统的核心器件。文中介绍了成功制备的基于5nm厚的NbN超导超薄薄膜的SNSPD器件。器件核心结构为150nm宽的纳米曲折线结构,纳米线条占空比为75%,面积为20μm×20μm。超导纳米线是利用电子束曝光(EBL)技术和反应离子刻蚀(RIE)等工艺技术制备的。所制备的SNSPD样品,在温度3.5K下的临界电流约12.9μA;在1310nm波长光波辐照,12.5μA的偏置电流下,探测效率约0.016%。 相似文献
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近年来超导量子计算的研究方兴未艾,随着谷歌宣布首次实现“量子优势”,这一领域的研究受到了人们进一步的广泛关注.超导量子比特是具有量子化能级、量子态叠加和量子态纠缠等典型量子特性的宏观器件,通过电磁脉冲信号控制磁通量、电荷或具有非线性电感和无能量耗散的约瑟夫森结上的位相差,可对量子态进行精确调控,从而实现量子计算和量子信息处理.超导量子比特有着诸多方面的优势,很有希望成为普适量子计算的核心组成部分.以铌或其他硬金属(如钽等)为首层大面积材料制备的超导量子比特及辅助器件(简称铌基器件)拥有其独特的优点以及进一步发展的空间,目前已引起越来越多的兴趣.本文将介绍常见的多种超导量子比特的基本构成和工作原理,进而按照器件加工的一般顺序,从基片选择和预处理、薄膜生长、图形转移、刻蚀和约瑟夫森结的制备等方面详细介绍铌基超导量子比特及其辅助器件的多种制备工艺,为超导量子比特的制备提供一个可借鉴的清晰的工艺过程.最后,介绍若干制备铌基超导量子比特与辅助器件的具体例子,并对器件制备的工艺与方法的优化做展望. 相似文献
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激光光刻中数字微镜器件关键技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在无掩模激光光刻系统中,TI(Texa instrument,德州仪器)公司基于DLP(digital light processing,数字光处理)架构的DMD(digital micromirror device,数字微镜器件)系统已经得到应用,但是存在光刻图像质量和光刻速度无法提高等瓶颈.提出采用单片FPGA控制... 相似文献
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Energy transfer probability in organic electrophosphorescence device with dopant 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Based on the energy transfer process from host to dopant in an organic
electrophosphorescent (EP) device, the expression of energy transfer
probability ($\eta )$ between the host (TPD) and guest (Ir(ppy)$_{3})$ EP
systems was proposed. The results show that: ({1}) The rate of the triplet
energy transfer ($K_{\rm HG}$ and $K_{\rm GH})$ increases exponentially with
increasing donor-acceptor molecular distance ($R$), whereas decreases as the
intermolecular distance ($R_{\rm HH})$ increases from 0.8 to 2.4 nm.
Furthermore, $K_{\rm GH}$ changes more quickly than $K_{\rm HG.}$ ({2}) The energy
transfer probability ($\eta )$ increases as $R$ reduces, and the $R_{\rm HH}$
changes can be safely neglected for $R<$0.9 nm. The situation changes for
0.9nm$ < R < 1.1$nm, $R_{\rm HH }$ ($<1$nm) plays an essential role when
$\eta $ changes
and increases with the latter. However, if $R > 1.1$nm, the transfer
probability will be below zero. Here, the energy transfer principle may be
less important, and the high electroluminescence (EL) quantum efficiency of
phosphorescent system will be attributed to the direct electron-hole
recombination in phosphorescent molecules. ({3}) The $\eta $ will increase when the
Forster radius ($R_{0})$ increases or Gibb's energy decreases. 相似文献
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在量子点的研究中,对于量子点光致发光研究报道较多,而量子点电致发光研究报道较少,特别是对于混合量子点电致发光器件中能量转移机理的研究未见报道,由于不同量子点之间的能量转移机理决定着器件的性能,为此本论文对该方面进行了研究.分别制备了单种量子点器件和混合器件,混合器件是利用红、绿、蓝三种量子点按照1:1的比例两两混合,做成结构为ITO/PEDOT:PSS/QDs/Al的器件.研究发现在一定电压范围内,单种量子点器件的发光强度随着电压增加持续上升,而混合量子点器件的发光出现了短波长下降,长波长上升的现象,表明当有外加电场时不同尺寸的量子点间产生了较高效率的能量转移.同时首次对混合量子点电致发光器件能量转移的各项参数进行了计算,得到了能量转移效率E、临界能量转移距离R0与外加电场的关系,对制备混合量子点电致发光器件具有指导意义. 相似文献
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经过几十年的发展, 集成电路的特征尺寸将在10–15年内达到其物理极限, 替代材料的研究迫在眉睫. 石墨烯曾被寄予厚望, 但由于其缺乏带隙限制了在数字电路领域的应用. 近年来, 单层及多层辉钼材料由于具有优异的半导体性能, 有可能超过石墨烯成为硅的替代者而引起了微纳电子领域的广泛关注. 本文对近二年国际上辉钼半导体器件研制、辉钼半导体材料的性能 表征及制备方法研究等方面的进展进行了综述, 并对大面积单层材料的研制提出了值得关注的方向.
关键词:
2')" href="#">MoS2
辉钼材料
纳米材料
集成电路 相似文献
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WANG Yu-Sa YANG Yan-Ji CHEN Yong LIU Xiao-Yan CUI Wei-Wei XU Yu-Peng LI Cheng-Kui LI Mao-Shun HAN Da-Wei CHEN Tian-Xiang HUO Jia WANG Juan LI Wei HU Wei ZHANG Yi LU Bo YIN Guo-He ZHU Yue ZHANG Zi-Liang 《中国物理C(英文版)》2014,38(6):066001-066001
Charged Coupled Devices (CCDs) have been successfully used in several low energy X-ray astronomical satellites over the past two decades. Their high energy resolution and high spatial resolution make them a perfect tool for low energy astronomy, such as observing the formation of galaxy clusters and the environment around black holes. The Low Energy X-ray Telescope (LE) group is developing a Swept Charge Device (SCD) for the Hard X-ray Modulation Telescope (HXMT) satellite. A SCD is a special low energy X-ray CCD, which can be read out a thousand times faster than traditional CCDs, simultaneously keeping excellent energy resolution. A test method for measuring the charge transfer efficiency (CTE) of a prototype SCD has been set up. Studies of the charge transfer inefficiency (CTI) with a proton-irradiated SCD have been performed at a range of operating temperatures. The SCD is irradiated by 3×108cm-2 10 MeV protons. 相似文献
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ABSTRACTRapid dissolution and transfer of samples are crucial steps in hyperpolarization methods such as dissolution dynamic nuclear polarization (dDNP) and quantum-rotor-induced polarization (QRIP). Here we introduce a simple and modular dissolution transfer device, and we demonstrate its application for QRIP. This device operates with low pressures and solvent volumes compared to state-of-the-art dDNP setups. On the other hand, transfer times are longer, although sufficient for 13C NMR spectroscopy. Our approach does not require an additional cryostat. 相似文献