真空微电子毫米波器件

介绍了真空微电子分布放大器和真空微电子微波管两类器件，对其优点和问题进行了探讨，并就我国发展真空微电子毫米波器件提出了看法．     

真空微电子器件的数值模拟

本文介绍了一种对真空微电子器件进行电特性数值模拟的有限差分法。计算了场致发射电流与锥体的曲率半径ｒ＿（ｔｉｐ）、锥体半角度θ＿（１／２）、栅孔半径ｒ＿ｇ和锥体高度ｈ的依赖关系。栅压Ｖ＿ｇ＝１００Ｖ，锥体发射阴极对曲率半径ｒ＿（ｔｉｐ）、栅孔半径ｒ＿ｇ的电流灵敏度分别是３．７×１０￣７Ａ／ｎｍ和１．１×１０￣３Ａ／μｍ。     

真空微电子器件的进展与问题

本文简要地叙述了真空微电子学的主要进展,在介绍场发射阵列FEA、场发射显示器FED、真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中,重点叙述了有关器件对FEA的特殊要求、可能的解决办法和存在的问题,并介绍了发展真空微电子微波管的主要内容和意义;最后提到了有效地发展我国真空微电子器件需重视的一个问题.     

微波毫米波真空微电子器件研究进展

本文简介近２－３年来，基于阵列场发射（ＦＥＡ）电子源的微波毫米波真空微电子器件的研究进展情况。     

真空微电子学在微波和毫米波中的应用前景

真空微电子学是近年来发展的一门新学科，它将会引起微波管技术的重大革新。本文介绍了在冷阴极，微三极管，感应输出放大器，分布放大器等方面的发展情况，相信在近几年内这方面的应用研究会获得突破性进展。     

微波毫米波段真空微电子器件中的电子学问题

叙述了微波毫米波真空微电子器件中阵列场发射阴极、输入和输出电路等核心部件的研究进展，讨论了克服电子横向速度分量，噪声，电导损失及发射不均匀性的方法，并对该器件内的空间电荷和阴极失效等问题进行了分析．     

大功率微波真空电子器件的发展及应用

本文给出了大功率微波真空电子器件的发展及应用情况。海湾战争证明,微波管仍然是现代军事电子装备的关键器件,其性能的不断改进,大大增强了电子战和雷达系统的成力。真空微电子技术和相对论电子学为微波真空电子器件的发展,奠定了更为广阔的基础。     

真空微电子传感器的研究

真空微电子学（VME）是研究利用现代微细加工技术在芯片上制造集成化的微型真空电子器件的一门新兴的前沿学科。1988年第一届国际真空微电子学会议之后，VME领域的研究工作十分活跃。真空微电子传感器具有抗辐射、体积小、灵敏度高、温度稳定性好，以及制作工艺与集成电路（IC）及微电子机械系统（MEMS）工艺类似，便于集成化批量生产等优点，在航空、航天、智能机器人等高科技领域有很好的应用前景。     

国际微波真空电子器件可靠性研究动态

我们跟踪国际最新科技并通过国际互联网INTERNET，查找到世界上最主要英国（UK）Thorn微波器件有限公司1998年公布对微波器件最新的研究成果。虽然对公布微波器件未作详细叙述，但从报导的这类器件的性能参数，可靠性水平及适应性，采用高科技的技术手段以及执行标准等方面，可以推断出目前国际上所处的最高水平，从而找出国内微波真空电子器件在这一个尖端学科中与国外相比存在的差距。1．Thorn微波器件有限公司，专门设计和生产军用雷达、电子战（EW）及通讯中所用的行波管、磁控管及速调管等微波器件，还开展对用户进行综合服务和…     

真空微电子器件及其研究进展

由于真空微电子器件具有十分诱人的应用前景,近几年引起了人们的极大兴趣,成为电子器件发展的一个重要分支和前沿。本文叙述真空微电子器件的特点,原理、应用和最新研究成果。     

真空微电子三极管几何参数的设计考虑

真空微电子三极管是近年来兴起与发展的真空微电子学中的一类重要器件。本文从真空微三极管的工作特性出发,分析了这类器件中所需考虑的几何参数和工作特性的关系,并给出了一些理论和实验公式,为今后的设计提供一些参考。     

一代前景诱人的新型器件——真空微电子管

描述了真空微电子器件的发展概况，特别对场发射阵列的结构设计进展、微波用场发射阵列研究、低压场发射阵列研究以及场发射平板显示器的现状进行了全面阐述。     

真空微电子学的研究与发展

本文系统介绍了近年来真空微电子不的研究内容，达到的水平和亟待解决的问题，包括真空微电子器件的基本结构，场发射列，微尖结构物理，新材料和新器的探索以及真空微电子学的主要应用。     

真空微电子器件的特点及新制造技术

本文介绍真空微电子器件的特点和最近开发出来的新制造技术。     

Design and research of quasi-planar self-aligned silicon avalanche electron emission array

The device structure and technical processings of quasi-planar self-aligned silicon avalanche electron emission array arc introduced. The processing step at the edge of electron emission region is about 10nm only and the width of self-aligned current channel of shallow As implantation is about 3μm. Its I-V characteristics show a larger linear region and lower series resistance than that of the previous silicon avalanche electron emission devices. Some of the electron emission characteristics are also discussed in this paper.     

等平面化自对准硅雪崩击穿电子发射阵列器件的设计和研究

本文报道了等平面化自对准硅雪崩击穿电子发射阵列器件的结构设计和工艺过程。该器件的电子发射区域边缘的工艺台阶仅为10nm,其自对准的浅砷注入电流通道区宽度仅为3m。与已报道的其它结构硅雪崩击穿电子发射器件相比较,该器件的电流电压特性曲线有更宽的线性区域和更低的通导电阻。本文也对其电子发射特性作了部分介绍。     

真空微电子技术的研究与发展

本文首先简论真空微电子技术的发展概况、其赖以发展的技术基础、特点、应用前景;嗣后,重点评述场致发射理论及发射极(阴极)制造技术的研究现状;真空微电子器件的制造技术现状;真空微电子技术的应用;最后给出了结论。