用分子参数预测烷烃衍生物的标准生成焓

利用分子参数,即主原子数(N)、主链碳原子数(N')、相对电负性(Xr)、取代参量(P)和官能团位置参量(q)建立了定量预测醇、硫醇、醚、硫醚、醛、酮、酸和酯等烷烃衍生物的标准生成焓数学模型,相关系数均大于0.999,其计算值与相应的文献值都非常吻合,平均相对误差小于1%.分子参数法的物理意义明确、操作简单、使用方便,是进行定量构效相关(OSPR)研究的一种简便可行的方法.     

用扩展的Enskog理论预测正构烷烃的导热率

1引言在现代工业特别是化学工业和石油工业中，广泛涉及到物质传热过程。因此，作为表征物质热传导强弱的导热率是科研与生产必不可少的重要物性数据之一。作为物质导热率研究的一个方面，液体导热率的研究一直受到人们的关注。现在已有许多液体导热率关联方程发表，但这些方程往往适用范围较窄，是纯经验或半经验的，其理论性不强。只有Enskog公式＊中各参数的物理意义明确，所以此公式的实际应用有待进一步研究。本文用热压代替znsx。g公式中的体系压力，其中热压用un状态方程回来计算，找出正构烷烃分子硬球直径的变化规律，对正构烷烃…     

分子链长对烷烃硫醇分子电输运性质的影响

在杂化密度泛函理论的基础上,利用弹性散射格林函数方法研究了烷烃硫醇系列分子的电输运性质,并同实验结果进行了比较。研究结果表明,在低的外加偏压下,烷烃硫醇分子电流值随着分子链长度的增加而指数减小,其衰减常数约为1.41/CH2,且衰减常数基本上与外加偏压值的大小无关。分子末端原子与探针的距离具有较大地自由度,不同的接触距离导致了分子的电流值有较大地差别。     

烷烃类分子对NCO(A2∑+)自由基的猝灭

采用激光光解 激光诱导荧光 (LP LIF)的方法 ,用 2 6 6nm激光光解CHBr3 分子产生CH自由基 ,再与N2 O继续反应作为NCO自由基的产生源 ,用 4 38.6nm激光将电子基态X 2 Πi(0 0 10 )的NCO激励到激发态A2 Σ+ (0 0 0 0 )上 ,通过检测激发态NCO时间分辨荧光信号 ,测得室温 (2 98K)下NCO(A2Σ+ )被烷烃类分子猝灭的实验结果 ,获得了A 2Σ+ (0 0 0 0 )态猝灭速率常数 .实验发现 ,随着烷烃分子中C -H键数增加 ,其猝灭截面也近线性增加 ,但随着分子体积增大 ,这种增加趋缓 .     

以新型分子距边矢量ν估计和预测烷烃核磁共振碳谱(13C NMR)化学位移和(CSS)

系统研究了核磁共振碳谱与化学位移和规律,以及分子拓扑指数在定量[结]构[波]谱关系（QSSR）中的应用.本文基于矢量路径长度矢量p=（P₁, P₂, P₃,…, P_m）与分子中原子相互作用,提出了一种新型分子距边矢量并发现它与烷烃¹³C NMR 化学位移和有良好线性相关性, 回归方程及其统计参数为:
CSS=bν+p₃=Σ^m_j=0b_jν_j+b₁₀p₃=b₀ν+b₁ν₁+b₂ν₂+b₃ν₃+b₄ν₄+b₅ν₅+b₆ν₆+b₇ν₇+b₈ν₈+b₉ν9_ν+b₁₀P₃ =-13.6011+22.2133 ν₁+28.4121 ν₂+25.9416 ν₃+26.6709 ν₄+14.4976 ν₅+5.7240 ν₆-5.3830 ν₇-3.2152 ν₈-15.0213 ν₉-25.7099 ν₁₀+12.2786P₃ (n=63, R=0.9970, EV=99.68%, RMS=3.7348, F=2418.2; 交互校验CV为: R=0.9893, EV=98.83%, RMS=7.1261, F=664.046); 结果良好.     

应用分子子图指数估计与预测烷烃核磁共振碳谱位移和

系统地研究了核磁共振碳谱(¹³C NMR)与化学位移规律及其定量构谱关系(QSSR).本文研究了一组多元素分子子图指数矢量(VMSG),并发现它与烷烃化学位移和(CCSA)有很好线性相关性.采用多元线性回归(MVLR)进行准确估计与预测,结果良好.     

应用分子子图指数估计与预测烷烃核磁共振碳谱位移和

系统地研究了核磁共振碳谱(¹³C NMR)与化学位移规律及其定量构谱关系(QSSR).本文研究了一组多元素分子子图指数矢量(VMSG),并发现它与烷烃化学位移和(CCSA)有很好线性相关性.采用多元线性回归(MVLR)进行准确估计与预测,结果良好.     

应用键轨道连接矩阵方法预测烷烃折光率.

应用键轨道连接矩阵方法提取结构参数PX1CC和PX1CH， 并用于建立预测烷烃折光率的QSPR模型．该模型不仅预测精度较高(其误差仅为0.0048)，而且模型中采用的参数表达了直接与分子的折光能力相关的结构信息(即烷烃分子中电子被极化的能力)．此参数提取简单，既具备拓扑指数简单、易算，物理意义明确．     

聚环氧氯丙烷单体与烷烃类溶剂分子相互作用的理论研究

利用溶度参数法和Materials Studios软件的Blends模块计算聚环氧氯丙烷单体与烷烃类溶剂分子的相互作用参数x,将计算结果与手册中的实验数据进行对比.根据对比结果建立了相互作用参数计算值与实验数据间的数理模型.比较分析所有数理模型的结果表明:Blend模块的计算结果与实验数据间拟合得到的数理模型为较优模型,运用该数理模型对计算结果进行修正后可提高计算得到的相互作用参数的准确性.     

基于新型分子距边矢量ν与多元统计方法对于烷烃13C NMR化学位移和(CSS)估计与预测的深入研究

基于本实验室提出一种新型以势能形式表达的分子距边矢量, 深入地系统研究了核磁共振碳-13谱化学位移和(CSS)规律以及分子拓扑指数矢量在定量结构波谱关系(QSSR)中的应用. 借助多种计量化学方法包括多元线性回归、逐步多元回归、主成分回归、主筛选回归等进行分子拟模和定量相关研究, 发现烷烃¹³C NMR 化学位移和(CSS)与其分子距边矢量及路径长度指数有良好线性相关性, 回归方程及其统计参数为:CSS=bν+cp₃=∑_^mj=0b_jν_j+b₁₁p₃=b₀ν+b₁ν₁+b₂ν₂+b₃ν₃+b₄ν₄+b₅ν₅+b₆ν₆+b₇ν₇+b₈ν₈+b₉ν₉+b₁₀ν₁₀+b₁₁p₃=-13.576+22.179ν₁+28.407ν₂+25 .950ν₃+26.690ν₄+14.498ν₅+5.726ν₆-5.379ν₇-3.214ν₈-15.021ν₉ -25.710ν₁₀+12.278p₃ n=63, R=0.997, EV=99.68%, RMS=3.7348, SD=4.1 18, F= 773.116, U=144228.844, Q=864.938; CV: R²_CV=0.980, EV=98.83%, RMS=7.126 1, SD_CV=7.634, F_CV=221.720, U_CV=142121.891, Q_CV=2971 .896.结果良好.     

Au纳米薄膜的熔化机理及其结构演变的分子动力学模拟

利用分子动力学模拟详细研究了不同厚度的Au纳米薄膜的熔化机理和结构演变. 模拟结果表明所有Au纳米薄膜的熔化行为分为两个阶段,即表面预熔和均相熔化. 只有最外层原子出现了预熔化行为, 其他内层原子在均相熔化之前始终保持稳定的固态,这与零维的Au纳米团簇和一维的Au纳米线的预熔化行为是不同的. 同时Au纳米薄膜的熔化温度随着薄膜厚度的增加而升高. 在预熔化过程中,在原子水平上发现了所有的Au纳米薄膜的f100g晶面向f111g晶面转变的表面重建过程. 对于最薄的L2纳米薄膜,当温度低于500 K 时表面应力不能诱导这样的表面重建. 然而一维的Au纳米线在更低温度下就能够观察到了由表面应力诱导的表面重建过程. 这主要是因为Au纳米线具有更高的比表面积所导致的. 另外研究结果还表明当模拟温度达到某一特定值时,由双原子层组成的Au纳米薄膜能够分裂成一维的纳米线.     

Effect of Planar Interfaces on Nucleation in Melting and Crystallization

The effect of planar interfaces on nucleation (namely, on the work of critical cluster formation and their shape) is studied both for crystallization and melting. Advancing an approach formulated about 150 years ago by J. W. Gibbs for liquid phase formation at planar liquid–liquid interfaces, we show that nucleation of liquids in the crystal at crystal–vapor planar interfaces proceeds as a rule with a much higher rate compared to nucleation in the bulk of the crystal. Provided the surface tensions crystal–liquid (σcl), liquid–vapor (σlv), and crystal–vapor (σcv) obey the condition σcv=σcl+σlv, the work of critical cluster formation tends to zero; in the range σcv<σcl+σlv, it is less than one half of the work of critical cluster formation for bulk nucleation. The existence of a liquid–vapor planar interface modifies the work of critical cluster formation in crystal nucleation in liquids to a much less significant degree. The work of critical crystal cluster formation is larger than one half of the bulk value of the work of critical cluster formation, reaching this limit at σcv=σcl+σlv. The shape of the critical clusters can be described in both cases by spherical caps with a radius, R, and a width parameter, h. This parameter, h, is the distance from the cutting plane (coinciding with the crystal–vapor and liquid–vapor planar interface, respectively) to the top of the spherical cap. It varies for nucleation of a liquid in a crystal in the range (h/R)≤1 and for crystal nucleation in a liquid in the range 2≥(h/R)≥1. At σcv=σcl+σlv, the ratio (h/R) of the critical cluster for nucleation in melting tends to zero ((h/R)→0). At the same condition, the critical crystallite has the shape of a sphere located tangentially to the liquid–vapor interface inside the liquid ((h/R)≅2). We present experimental data which confirm the results of the theoretical analysis, and potential further developments of the theoretical approach developed here are anticipated.     

Neural-Network Quantum State of Transverse-Field Ising Model

Along the way initiated by Carleo and Troyer [G. Carleo and M. Troyer, Science 355 (2017) 602], we construct the neural-network quantum state of transverse-field Ising model (TFIM) by an unsupervised machine learning method. Such a wave function is a map from the spin-configuration space to the complex number field determined by an array of network parameters. To get the ground state of the system, values of the network parameters are calculated by a Stochastic Reconfiguration (SR) method. We provide for this SR method an understanding from action principle and information geometry aspects. With this quantum state, we calculate key observables of the system, the energy, correlation function, correlation length, magnetic moment, and susceptibility. As innovations, we provide a high efficiency method and use it to calculate entanglement entropy (EE) of the system and get results consistent with previous work very well.     

高温超导机制研究近期重要进展

文章概述了近几年高温超导机理研究相关的一些重大进展.主要是：RVB\\|Plain Vanilla超导理论的提出及其争论;相图的补充,特别是第二个量子相变点存在的证据;还有超导态性质的新发现,特别是涉及超导态的磁性的一些发现;作者预言,高温超导机理研究定将进入一个理论研究的百花争艳新时期.     

氘的气液界面及相变特性分子动力学仿真

氘作为重要的核聚变原料,其热物性数据是基础,而气液相界面特性和相变规律又是热物性的关键.国内外对氘的相界面特性研究甚少.本文基于分子动力学方法,采用截断移位Lennard-Jones 12-6势能函数模型描述原子间的相互作用,并考虑分子内部原子间键的谐振作用,对氘的气液界面特性及气液固相变过程进行了仿真研究,得到了氘在不同温度下气液界面过渡区域的厚度、表面张力值等;获得了氘的密度随相变过程的变化规律,并由此得出氘的熔沸点温度,上述计算结果与实验及文献值吻合良好.不仅从微观层面上揭示了氘的宏观热物性表征机理,而且所建立的仿真模型可直接用于预测缺乏实验工况下的氘热物性.     

正则黑洞熵与相变

应用隧道效应对黑洞Hawking辐射研究得到的辐射谱,对非旋转黑洞的正则熵进行讨论.所得熵遵守Bekenstein-Hawking 面积定律,并带有修正项,主要修正项与面积的对数成正比,另有与黑洞热容量有关的修正项.利用所给出的正则熵,对黑洞的相变进行讨论,得到当黑洞的热容量出现发散时,正则熵在该处并不出现复数,由此认为此相变为二级相变. 关键词： 正则系综 量子修正 黑洞相变     

Dynamics of a quantum phase transition and relaxation to a steady state

We review recent theoretical work on two closely related issues: excitation of an isolated quantum condensed matter system driven adiabatically across a continuous quantum phase transition or a gapless phase, and apparent relaxation of an excited system after a sudden quench of a parameter in its Hamiltonian. Accordingly, the review is divided into two parts. The first part revolves around a quantum version of the Kibble–Zurek mechanism including also phenomena that go beyond this simple paradigm. What they have in common is that excitation of a gapless many-body system scales with a power of the driving rate. The second part attempts a systematic presentation of recent results and conjectures on apparent relaxation of a pure state of an isolated quantum many-body system after its excitation by a sudden quench. This research is motivated in part by recent experimental developments in the physics of ultracold atoms with potential applications in the adiabatic quantum state preparation and quantum computation.     

Molecular Dynamics Simulations for Melting Temperatures of SrF2 and BaF2

利用壳层模型分子动力学方法,考虑萤石结构分子中的预熔化现象,对SrF₂和BaF₂的分子动力学模拟熔化温度进行修正,获得了高压下SrF₂和BaF₂的熔化温度. 同时给出了300 K、0.1 Mpa～7GPa和0.1 Mpa～3 GPa时SrF₂和BaF₂的状态方程,与已有研究结果的最大误差分别为0.3%和2.2%. 计算所得SrF₂和BaF₂常压下的熔点与已有的实验结果符合较好. 对于SrF₂和BaF₂分子体积变化和已有的熔化模拟的差别也做了比较和讨论.