氟氧化物玻璃陶瓷中铒激活中心的双光子三光子与四光子近红外量子剪裁发光（英文）

研究了掺铒的氟氧化物玻璃陶瓷的双光子、三光子与四光子近红外量子剪裁发光。我们测量了掺铒的氟氧化物玻璃陶瓷的X射线衍射谱、吸收谱、从可见到近红外的发光光谱与激发光谱。当Er3+浓度从0.5%增加到2.0%,发现铒离子的~4I_(15/2)→~2G_(7/2),~4I_(15/2)→~4G_(9/2),~4I_(15/2)→~4G_(11/2),~4I_(15/2)→~2H_(9/2),~4I_(15/2)→(~4F_(3/2),~4F_(5/2)),~4I_(15/2)→~4F_(7/2),~4I_(15/2)→2 H11/2,~4I_(15/2)→~4 S_(3/2) ,~4I_(15/2)→~4F_(9/2),与~4I_(15/2)→~4I_(9/2)红外激发谱峰的强度增加了大约5.64,4.26,2.77,7.31,6.76,4.75,2.40,11.14,2.88,和4.61倍,同时,铒离子的~4I_(15/2)→~2G_(7/2),~4I_(15/2)→4 G9/2,~4I_(15/2)→4 G11/2,~4I_(15/2)→2 H9/2,~4I_(15/2)→(~4F_(3/2),~4F_(5/2)),与~4I_(15/2)→~4F_(7/2)的可见激发谱峰的强度减小了1.36,1.93,3.43,1.01,2.24和2.28倍。也就是说我们发现红外发光与激发的强度都增强了2~11倍,与此相伴的可见的发光与激发强度都减小了一到三倍。而且,1 543.0与550.0nm发光的激发谱不仅在峰值波长而且也在波峰形状上非常相近。上述实验结果证实了所看到的现象为多光子近红外量子剪裁发光现象。为了更好的分析量子剪裁的过程与机理,还测量了主要的可见与红外发光强度随激发强度的改变;发现所有可见和红外发光强度都基本上是随激发强度成线性变化关系;其中,可见的发光强度随激发强度的改变呈略大于线形一次幂的变化关系,它是由于小的激发态吸收造成的;而1 543.0nm红外发光强度随激发强度的变化呈略小于线形一次幂的变化关系,它即是量子剪裁发光的特征现象。还发现~4I_(9/2)能级的双光子量子剪裁主要由{~4I_(9/2)→4 I_(13/2),~4I_(15/2)→~4I_(13/2)}ET~(r31)-ET~(a01)交叉能量传递所导致;~4 S_(3/2) 能级的三光子量子剪裁主要由{~4 S_(3/2) →~4I_(9/2),~4I_(15/2)→~4I_(13/2)}ETr53-ETa01和{~4I_(9/2)→~4I_(13/2),~4I_(15/2)→~4I_(13/2)}ET~(r31)-ET~(a01)交叉能量传递所导致;~2H_(9/2)能级的四光子量子剪裁主要由{2 H9/2→~4I_(13/2),~4I_(15/2)→~4 S_(3/2) }ETr91-ETa05,{~4 S_(3/2) →~4I_(9/2),~4I_(15/2)→~4 I_(13/2)}ET~(r53)-ET~(a01)和{~4I_(9/2)→~4I_(13/2),~4I_(15/2)→~4I_(13/2)}ET~(r31)-ET~(a01)交叉能量传递所导致。上述研究结果对目前的全球热点新一代量子剪裁太阳能电池很有价值。     

银表面等离子体对掺铒铋化物发光玻璃中978和1539nm激光所致上转换发光的增强作用

三价稀土离子上转换发光有着一些很有价值的应用技术:波导上转换及放大和激光、上转换三维立体显示、飞秒光谱应用、激光控温、三维成像与存储、光学温度感应系统、牙科等生物物理应用、上转换荧光防伪、上转换宽带光源、和上转换红外显示片等。因为受到太阳能电池发展需求的促进,上转换研究再度呈现出澎湃的研究热潮。目前,利用金属表面等离子体共振的近场增强效应能够有效增强其表面附近的荧光物质的发光的特性,有可能较大幅度的提高上转换发光的强度,从而有可能进一步把上转换发光推向实用。利用离子引入法,在铋化物的发光玻璃中引入银颗粒。研究结果表明银表面等离激元的表面等离子体共振吸收峰位于580～600 nm;而且,加热时间的延长导致了表面等离子体共振吸收峰的剧烈增强和稍微蓝移。978 nm半导体激光能够导致531.0, 546.0和657.5 nm的三组Er~(3+)的~2H_(11/2)→~4I_(15/2),~4S_(3/2)→~4I_(15/2),~4F_(9/2)→~4I_(15/2)的双光子上转换荧光, 978 nm激光激发掺铒铋化物发光玻璃的上转换发光的机理是第一步的~4I_(15/2)→~4I_(11/2)共振基态吸收和随后的第二步的~4I_(11/2)→~4F_(7/2)的共振激发态吸收;纳米银的表面等离激元的引入促成铋化物发光玻璃中铒离子的978 nm激光激发的上转换发光最大增强了272.0%倍。1 539 nm半导体激光能够导致波长为528.0, 547.0, 657.0和795.0 nm的四组Er~(3+)的~2H_(11/2)→~4I_(15/2),~4S_(3/2)→~4I_(15/2),~4F_(9/2)→~4I_(15/2)和~4I_(9/2)→~4I_(15/2)的上转换荧光; 1539 nm激光导致的528.0 nm ~2H_(11/2)→~4I_(15/2)和547.0 nm ~4S_(3/2)→~4I_(15/2)上转换荧光的机理主要是1 539 nm激光的~4I_(15/2)→~4I_(13/2),~4I_(13/2)→~4I_(9/2)和~4I_(9/2)→~2H_(11/2)的三步光激发吸收跃迁过程, 1 539 nm激光导致的657.0 nm ~4F_(9/2)→~4I_(15/2)上转换荧光的机理主要是1 539 nm激光的~4I_(15/2)→~4I_(13/2),~4I_(13/2)→~4I_(9/2)和~4I_(11/2)→~4F_(9/2)的三步光激发吸收跃迁过程;纳米银的表面等离激元的引入导致了铋化物发光玻璃中铒离子的1 539 nm激光激发的上转换发光最大增强160.3%倍。显然,靠近银表面等离激元共振吸收峰的978 nm激光上转换的增强效果比1 539 nm激光的要好。     

Mechanisms and absolute quantum yield of upconversion luminescence of fluoride phosphors

Mechanisms of upconversion luminescence(UCL) of SrF_2:Er phosphors corresponding to the ~4G_(11∕2)→~4I_(15∕2),~2H_(9∕2)→~4I_(15∕2),~4F_(5∕2)→~4I_(15∕2),~4F_(7∕2)→~4I_(15∕2),~2H_(11∕2)→~4I_(15∕2),~4S_(3∕2)→~4I_(15∕2),~4F_(9∕2)→~4I_(15∕2), and ~4I_(9∕2)→~4I_(15∕2) transitions upon excitation of the ~4I_(11∕2) level of Er~(3+)ions were investigated. Energy transfer upconversion processes are responsible for the populating of the ~2H_(9∕2),~2H_(11∕2),~4S_(3∕2), and ~4F_(9∕2) levels. Cooperative process is the dominant mechanism of luminescence from ~4S_(3∕2) and ~4F_(9∕2) levels for SrF_2:Er with high concentrations of Er~(3+)ions. The UCL from ~4G_(11∕2) and ~4F_(5∕2) is explained by excited-state absorption. Cross-relaxation processes take part in the population of ~4F_(9∕2) and ~4I_(9∕2) levels. For quantifying material performance, the Er~(3+)-concentration dependence of UCL and the absolute quantum yields of SrF_2:Er were studied. The most intensive visible luminescence was obtained for SrF_2:Er(14.2%) with 0.28% maximum quantum yield.     

伴线强度比诊断激光等离子体温度

为诊断玻璃壳靶等离子体硅的电子温度,根据Gabriel日冕模型的理论目前已有3种计算方法:(1)利用类氢共振线(1s-2P)与对应伴线强度比(见图1曲线1);(2)利用类氦共振线(1s~2-1s2p)与对应伴线强度比;(3)利用两根共振线强度比。记类氢类氦共振线及其对应伴线的强度分别为I_(HR),I_(HeR),I_(HS)及I_(HeS)。利用所得到的X光谱线强度的实验数据用上述3种方法往往不能获得较一致的电子温度,主要原因在于共振线是光学厚的,     

三价稀土离子在晶体中的发光及其电子顺磁共振和电子-核双共振光谱的光学探测

我们研究了Nd~(3 )离子的荧光,实验条件如下:在有磁场Ho的情况下,同时用微波(v_M=24.10 GHz)和氩激光(19429.69cm~(-1))激发～2.0°K的LaCl_3单晶,其中少量的La~(3 )离子用Nd~( 3)离子取代。当|(?)o|和v_M的值使Nd~(3 )在它的基态~4I_(9/2)、u=5/2或光激发态~4I_(15/2),W_1,μ=1/2或~4I_(13/2),X_1,μ=1/2时有磁共振,可观察到~4G_(7/2),E_1,μ=3/2→~4I_(11/2)荧光的加强。当磁场频率与~(143)Nd核     

光谱学 光谱分析、光谱测量

O433.4 2004053299 ~(127)I_2在532nm波段谱线的理论计算=Theoretical calculation of spectra for ~(127)I_2 near 532 nm[刊,中]/彭月祥(北京交通大学理学院,北京(100044)),李文博…∥光电子·激光。—2003,14(11),—1215-1218 报道了计算~(127)I_2B-X跃迁谱线频率及谱线的超精细     

共振光散射法(RLS)研究外源刺激对CdSe/ZnS量子点/TiO_2纳米复合物与人血清白蛋白的相互作用的影响

近似生理条件下,采用共振光散射法研究了CdSe/ZnS量子点/TiO_2纳米复合物同人血清白蛋白的相互作用,通过分析影响二者相互作用的纳米复合物浓度、pH、NaCl浓度、反应温度、检测时间、共存离子、表面活性剂、加样顺序等外源刺激因素,结果表明:新形成的复合体系可能加强蛋白质的疏水腔,使在水溶液中形成的疏水界面趋于集中,从而导致其共振光散射强度增强;体系受pH的影响变化非常灵敏;适当的NaCl浓度可以提高体系的I_(RLS)值灵敏度;共存离子改变了体系的离子强度,从而导致体系的△I_(RLS)值的改变;反应时间为5 min时,体系I_(RLS)值基本稳定;同一种表面活性剂对于不同的体系的I_(RLS)值的作用不完全一致,带相反电荷的表面活性剂与纳米复合物有很强的静电作用;对于与HSA相互作用的多元复合体系,加样顺序的不同对体系的I_(RLS)值的影响很明显;体系的I_(RLS)值随温度的改变呈不完全单调增加的趋势。这些信息为纳米材料与生物大分子的相互作用机制提供理论支撑,有助于深入了解纳米材料的生物相容性和安全性。     

固-液系统中表面增强喇曼散射强度I_(SERS)对浓度c的依赖关系及水杨酸分子的吸附等温特性研究

在恒定温度下,通过测量不同浓度溶液中吸附在Ag镜表面水杨酸分子(SA)的表面增强喇曼散射(SEKS)强度(I_(SERS),对固-液系统中吸附在Ag镜表面上SA分子的I_(SERS)对溶液浓度的依赖关系进行实验研究,并对I_(SERS)与吸附分子数N~s的关系进行分析讨论。实验研究和理论分析的结果表明:利用SERS技术通过测量I_(SERS)与溶液浓度c的依赖关系,可为固-液系统中分子在固体表面的吸附过程及吸附特性研究提供一个高灵敏度的、分子级水平的新手段。     

Up-conversion luminescence research of Er（0.5）：ZBLAN material for volumetric display application when excited by 1520nm laser

The up-conversion luminescence of the ZBLAN fluoride glass Er(0.5):ZBLAN, when excited by a 1520 nm semiconductor laser, is studied in this paper. The absorption and common-fluorescence spectra are also measured in order to understand the up-conversion clearly. It is found that there are seven strong up-conversion luminescence lines (406.97^m, 410.42 nm), (521.97^m, 527.56 nm), (542.38^m, 549.27 nm), (654.27^m, 665.70 nm), 801.57^m nm, 819.46 nm, and 840.00 nm, which can be recognized as the fluorescence transitions of ({}^2G^4F^2H)_{9/2}→{}^4I_{15/2},{}^2H_{11/2}→ {}^4I_{15/2},{}^4S_{3/2}→{}^4I_{15/2},{}^4F_{9/2}→{}^4I_{15/2}, {}^4I_{9/2}→ {}^4I_{15/2}, ({}^2G^4F^2H)_{9/2}→{}^4I_{9/2}, and {}^4S_{3/2}→{}^4I_{13/2} respectively. Meanwhile, the small up-conversion fluorescence lines 379.20 nm, 453.10 nm and 490.60 nm are the transitions of {}^4G_{11/2}→{}^4I_{15/2},{}^4F_{5/2}→{}^4I_{15/2} and {}^4F_{7/2}→ {}^4I_{15/2} respectively. It is interesting that the slopes of log F－logP curves, the double-logarithmic variation of up-conversion luminescence intensity F with laser power P, are different from each other for these observed up-conversion luminescence, this being valuable for the volumetric display. Comprehensive discussions find that the {}^4G_{11/2}→{}^4I_{15/2}, (^2G^4F^2H)_{9/2}→{}^4I_{15/2}, (^2H_{11/2}→{}^4I_{15/2},{}^4S_{3/2}→{}^4I_{15/2},{}^4F_{9/2}→ {}^4I_{15/2}), and {}^4I_{9/2}→{}^4I_{15/2} up-conversion luminescences are five-photon, four-photon, three-photon, and two-photon up-conversion luminescences respectively. It is found also that the absorption from ground-state {}^4I_{15/2} level to {}^4I_{13/2} level is very large, which is beneficial to the sequential energy transfer up-conversion to occur.     

质子辐射损伤对单结GaAs/Ge太阳电池暗特性参数的影响

基于p-n结暗特性双指数模型,对经质子辐射后的单结GaAs/Ge太阳电池的暗特性I-V曲线进行数值拟合,确定了单结GaAs/Ge太阳电池在辐射前后的四个暗特性特征参数,即串联电阻R_s、并联电阻R_(sh)、扩散电流I_(s1)和复合电流I_(s2).研究结果表明,质子辐射后单结GaAs/Ge太阳电池的R_s,R_(sh),I_(s1)和I_(s2)四个暗特性参数均发生显著变化.经低能质子辐射后,单结GaAs/Ge太阳电池的R_(sh)随位移损伤剂量的增加而减小,而R_s,I_(s1)和I_(s2)三个参数随位移损伤剂量的增加而增大,其中串联电阻随位移损伤剂量线性增加而与辐射质子能量无关.理论分析表明,上述参数的变化与质子辐射损伤区域分布有关.基区和发射区的损伤主要引起单结电池串联电阻和扩散电流的增加;结区的损伤导致并联电阻减小,复合电流增大.     

掺Er3+铋酸盐玻璃的荧光光谱分析

研究了Er~(3 )离子在铋酸盐玻璃中的荧光光谱性质,应用Judd-Ofelt理论计算了铋酸盐玻璃中Er~(3 )离子的强度参数Ω_t(t=2,4,6)及~4I_(13/2)→I_(15/2)跃迁的谱线强度比值Sed/(Sed Smd),给出了铋酸盐玻璃中Er~(3 )离子具有宽带发射的结构性解释,表明了Er~(3 )离子周围晶体场强度与Sed/(Sed Smd)间存在的反比关系。     

医用超声功率和脉冲超声场特性的测量

本文叙述了医用超声功率的常规测量方法的原理和已达到的水平之后,讨论了医用超声场的声强的使用范围和安全性问题,着重阐明了使用PVDF压电薄膜水听器扫描超声场,记录脉冲超声场的声压波形分布并计算I_(SPTP)、I_(SPTA)、I_(SATA)和I_(SAPA)的方法。给出了计算公式和实验结果,并对A型和B型超声诊断仪的典型测量数据和声强分布特征进行了讨论与比较。     

煤系针状焦生产中混合油的粘流特性与分子结构间关联性的FTIR解析

煤系针状焦生产过程中,延迟焦化工艺流程中混合油的性能在一个生焦周期内不断发生波动,如何稳定混合油的性能是确保针状焦质量均匀的一个关键因素。而混合油性能的差异主要体现在粘流特性的变化方面,导致这种差异的根源是混合油分子结构发生了变化。为了进一步定量分析混合油性质变化的根本原因,本文以一个生焦周期内不同进料时间的混合油为研究对象,利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析仪和旋转粘度仪为检测手段。从红外光谱波数范围700～900, 1 550～1 650, 2 800～3 000和3 000～3 100 cm~(-1)四个区域入手,引入6种分子结构参数。详细分析探讨了一个生焦周期内混合油分子结构的变化趋势与粘流特性的关联性。FTIR谱图分析显示混合油主要是以带有部分脂肪侧链的缩合芳香环结构组成的。随着生焦过程的进行,混合油分子中脂肪侧链的支链化程度(I_1)不断降低、芳香度(I_2)有所增加。而芳环的缩合度参数I_3以及芳环上的取代情况(I_4,I_5,I_6)的变化较小,这说明混合油的缩合程度随生焦时间的增加变化不大。混合油中多组分复杂芳香类物质的共存,导致了分子间易发生缔合,使得混合油的初始表观粘度值很大。混合油的粘流活化能E_η随着生焦时间的延长而呈现出增加的趋势。理论上缩合芳环和烷基侧链对粘流性质的影响最大,但是将I_1,I_2,I_3与E_η进行分析时发现回归曲线的拟合优度R~2仅可达到0.71。实际上,混合油本身支链化程度(I_1)低,支链长度短,忽略I_1对粘流活化能的影响时,对I_2,I_3与E_η进行数据处理获得的回归曲线的拟合优度R~2反而降低。综合考虑所有的分子结构参数与E_η进行回归分析时,回归曲线的拟合优度R~2可以达到0.98,混合油的分子结构参数与粘流特性之间的关系模型为:E_η=703.59-55.88I_1-7.83I_2+5.73I_3-1 866.70I_4-694.85I_5-83.16I_6。由此可见,粘流特性是混合油这一复杂体系中所有分子结构特征的宏观表现。     

关于透明光阴極的反射

强度为I_0的一束光射到一个光阴极上,只有光强度(1-γ)I_0起了产生光电效应,而入射光强度的其余部分γI_0则被反射,以是而不起作用。 蒸发喷塗在玻璃面上的一个光阴极,它的灵敏度(即每单位光强度所产生的光电流)依存于光阴极本身对于光强度(1-γ)I_O的量子效率(即光电子数与被吸收的光量子数之比),同时也依存于阴极和玻璃面的反射系数。如何增强量子效率的问题在文献[1]中已有广泛的讨论。在这篇论文里,我们将从实验的角度来研究关系于光阴极     

K_5Bi_(0.9)Er_(0.1)(MoO_4)_4的晶体生长和光学性质

在化学计量的熔料里,用提拉法生长了K_5Bi_(0.9)Er_(0.1)(MoO_4)_4单晶。该晶体属于三方晶系,空间群为Rm,z=1.5,晶胞参数为a=6.029,c=20.823(六方表示)。晶体具有层状结构,沿着(0001)面容易解理。晶体在室温下的吸收光谱包括有若干条吸收带,它们是稀土离子所特有的。其中三个主要的吸收峰分别相当于从Er~(3+)离子的基态~4I_(15/2)向~4G_(11/2),~2H_(11/2)和~4I_(13/2)能级的跃迁。本文还给出晶体中相当于~4I_(13/2)→~4I_(15/2)跃迁的荧光发射光谱。     

K_2(~1∧_g)高位态的预解离和碰撞转移

利用光学双共振和激光光谱技术,测量了K_2(~1A_g)态的预解离率和碰撞转移率.脉冲激光将K_2(1~1∑_g~+)基态激发至1~1∑_u~+态,由连续激光激发1~1∑_u~+至激高位~1A_g态.在不同K密度下,记录~1A_g→~1A_u跃迁的时间分辨荧光,光强的对数与衰变时间成线性关系,从直线的斜率得到~1A_g态的有效寿命,由Stern-Volmer方程得到~1A_g态的辐射率与预解离率之和及总的碰撞去布居截面.在不同的K密度下测量时间积分荧光强度I_3[K_2(~1A_g)→K_2(~1A_u)],I_2[K(6S)→K(4P_(3/2))]和I_1[K(4D)→K(4P_(3/2))],光强比I_1/I_3和I_2/I_3与K密度也成线性关系.从直线的斜率和截距并结合从Stern-Volmer方程得到的结果,确定K_3(~1A_g)的预解离率Γ_(P6S)=(1.2±0.4)×10~7s~(-1),Γ_(P4D)=(0.8±0.3)×10~7s~(-1)和碰撞转移截面σss=(1.9±0.6)×10~(-14)cm~2,σ_(4D)=(9.0±3.0)×10~(-15)cm~2.     

Device physics and design of FD-SOI JLFET with step-gate-oxide structure to suppress GIDL effect

A novel n-type junctionless field-effect transistor(JLFET) with a step-gate-oxide(SGO) structure is proposed to suppress the gate-induced drain leakage(GIDL) effect and off-state current I_(off).Introducing a 6-nm-thick tunnel-gateoxide and maintaining 3-nm-thick control-gate-oxide,lateral band-to-band tunneling(L-BTBT) width is enlarged and its tunneling probability is reduced at the channel-drain surface,leading the off-state current I_(off) to decrease finally.Also,the thicker tunnel-gate-oxide can reduce the influence on the total gate capacitance of JLFET,which could alleviate the capacitive load of the transistor in the circuit applications.Sentaurus simulation shows that I_(off) of the new optimized JLFET reduced significantly with little impaction on its on-state current I_(on) and threshold voltage V_(TH) becoming less,thus showing an improved I_(on)/I_(off) ratio(5×10~4) and subthreshold swing(84 mV/dec),compared with the scenario of the normal JLFET.The influence of the thickness and length of SGO structure on the performance of JLFET are discussed in detail,which could provide useful instruction for the device design.     

Er~(3+)掺杂Na_5Lu_9F_(32)单晶体的红外光学特性

采用坩埚下降法成功地生长了Er~(3+)离子掺杂的Na_5Lu_9F_(32)(NLF)单晶体。测定了单晶体在400~2 500nm波段的吸收光谱与2.5~25μm红外波段的透过光谱。Na_5Lu_9F_(32)单晶体在400~7 150 nm宽波段范围具有好的光学透过性,在该波段的透过率达到90%。在透过光谱中几乎观察不到2.7μm中红外波段的吸收,说明单晶体中OH~-离子的含量极低。根据测定的吸收光谱,通过Judd-Ofelt理论计算了Er~(3+)在单晶体中的光学强度参数Ω_t(Ω_2=2.08,Ω_4=2.07,Ω_6=0.75),以及相应的辐射跃迁速率、荧光分支比和荧光寿命。根据Futchbauer-Ladenburg公式估算了样品的发射截面大约分别为1.42×10~(-20)cm~2(~4I_(13/2)→~4I_(15/2))和1.66×10~(-20)cm~2(~4I_(11/2)→~4I_(13/2))。在980 nm半导体激光器(LD)激发下,研究了单晶体的近红外1.5μm与中红外2.7μm的发射光谱特性。     

煤系针状焦微晶结构的XRD与Raman分峰拟合定量研究

采用XRD和Raman光谱分析技术,结合分峰拟合的数学方法,对不同生产厂家的三种煤系针状焦Coke-N,Coke-H,Coke-P进行了研究。由XRD分析结果计算出了三种针状焦的石墨化度、晶体结构类型以及晶粒尺寸(La和Lc),通过对XRD的分峰拟合处理,得出了三种针状焦中趋于规整结构的碳微晶含量(Ig)。通过对样品的XRD分析可知,Coke-N和Coke-P的石墨化程度及Lc相接近,并且明显大于Coke-H;La之间的关系为:Coke-NCoke-PCoke-H。通过Raman光谱结合分峰拟合的数学方法对样品进行了定量分析。研究结果表明,三种针状焦在拉曼位移1 000~2 000cm-1处有5个一阶谱拟合峰(G,D1,D2,D3,D4)。对样品的拉曼一阶谱拟合后所得出的每个拟合峰面积进行计算,可以用来定量分析三种针状焦中碳微晶结构的分布情况。由I_G/I_(All),I_(D1)/I_G,I_(D2)/I_G,I_(D3)/I_G,I_(D4)/I_G的计算可知,Coke-N和Coke-P的微晶结构比Coke-H的微晶结构更规整。在Coke-N中理想石墨碳微晶所占比例为0.33,而Coke-H和Coke-P分别为0.086和0.311。另外,Coke-H在三个样品中的无定形碳比例明显大于另外两个样品。Raman光谱分析结果与XRD的分析结果相吻合。由此可以看出,采用XRD和拉曼光谱分析技术可以从微观层面判定宏观质量不同的煤系针状焦差异的实质。     

NaY(MoO_4)_2∶Er~(3+)纳米晶体荧光粉的发光与光学温度传感特性(英文)

采用熔盐法制备了不同煅烧温度的NaY(MoO_4)_2∶Er~(3+)荧光粉材料,样品的晶体结构与微观形貌由X射线衍射仪和场发射扫描电镜测得。Er~(3+)掺杂的Na Y(MoO_4)_2纳米晶体的斯托克斯荧光发射光谱是在不同煅烧温度下测得的。NaY(MoO_4)_2∶Er~(3+)荧光粉材料的两个能级~2H_(11/2)-~4I_(15/2)和~4S_(3/2)-~4I_(15/2)跃迁的发射强度比随煅烧温度的增加而减小。NaY(MoO_4)_2∶Er~(3+)荧光粉材料的温度传感特性依赖于Er~3的两个热耦合能级~2H_(11/2)-~4I_(15/2)和~4S_(3/2)-~4I_(15/2)的发射强度。研究表明,在一个相对大的传感温度范围(303~573 K),600℃煅烧的样品的温度传感灵敏度比900℃煅烧的样品高,样品的温度传感灵敏度随煅烧温度的增加而减小,600℃煅烧的样品的温度传感灵敏度为1.36×10~(-2)K~(-1),比900℃煅烧的样品高76.6%。最后,解释了基于不同煅烧温度的温度传感灵敏度的物理机制。