Ba-La-Cu-O体系的金属-半导体转变和超导电性

测量了名义组分为 BaxLa_(5-x)Cu_5O_(5(3-y))(x=0,0.25,0.5,1.0,1.25,1.5; y>0)的系列样品电阻-温度关系。发现:对x=0的二元氧化物,其电子输运呈典型的半导体特征;随着Ba的掺入以及含Ba量的增加,系统经历了半导体-半金属-金属(超导体)转变,并且其超导临界温度Tc也单调地升高。根据Mattheiss及Freeman等人的能带计算结果,在电声子强耦合的框架里对上述现象作了定性的解释。本文作者认为:二价Ba的掺入抑制了晶格的不稳定性,稳定了超导相。     

Ba-Y-Cu-O系统的高温超导电性和金属-半导体相变

对不同组分及烧结条件下的Ba_xY_(1-x)CuO_(3-y)多相和Ba_2YCu_3O_(9-δ)单相超导氧化物分别作了电阻、交流磁化率和比热随温度的变化,以及X射线衍射、X射线光电子谱的测量。结果支持样品中存在大块超导电性的观点,其中对超导起主要作用的是Ba_2YCu_3O(9-δ)相。并且对于较高Tc的样品具有较大的Fermi面态密度。但含Ba量仅为0.5％(x= 0.005)的样品仍可导致非界面的高温超导电性。因此不能排除Ba以杂质原子身份影响电子结构,从而导致超导电性的可能性。另外,在x=0处观察到可能由电子推动的金属-半导体相变。     

锂金属的超导电性

日本东京大学的 Shimizu 教授与他的同事在实验室中完成了对锂金属的超导电性研究,锂的超导转变温度是 20K,转变压强为 48 GPa,他们的成果显示了一个重要的结论,即越轻的元素将具有越高的转变温度.从这个原理外推,Shimizu 教授猜测,氢元素的超导电转变温度有可能达到室温,但却需要极高的转变压强,其数值将达到 400 GPa的水平.锂金属的超导电性@云中客     

金属氢高温超导电性

本文利用晶体的平均电子半径r_s、离子质量M和声速v_j等较少参量表示Z价金属的有效声子谱α²F(ω)、电声子耦合常数λ和谱面积λ/2〈ω〉,并用Dynes的T_c公式,求得了金属氢、铅和铌的超导临界温度。计算表明,在零压下金属氢的λ=2.55,T_c=162K。 关键词：     

金属薄膜的超导电性质

在本文中,我们指出,当超导膜的厚度足够小时,它的临界温度T_c、能隙△以及热力学性质都随着膜的厚度d的改变作周期性的变化,变化的幅度随着d的减少而增加。 关键词：     

Sr-Y-Cu-O体系的超导电性

制备了名义组分为Sr_xY_(1-x)CuO_3(0.050相似文献   

重电子体系及其超导电性

在本刊第１５卷第１期,章立源［１］对重费米子系统及其超导电性已经作了介绍．在该文的基础上,本文主要谈及有关的一些实验和不寻常的性质,也简述目前在解释这些实验现象时提出的一些理论,作为补充．一、一些实验结果１．正常态的性质让我们来看一看实验中观察到的重电子材料在低温下的一些与一般金属迥然不同的性质．先看电阻率ρ．在３００Ｋ往下,通常金属的电阻率从１到１０μΩ·ｃｍ开始,随温度降低很快．而在重电?...     

非过渡金属非晶态超导电性的研究

本文中分析了非过渡金属非晶态超导体的超导参量、声子谱参量与霍耳系数之间的经验关系。研究了非晶态超导体的T_c,并得出,声子谱的软化所导致的T_c的提高幅度与电-声子耦合常数λ的提高幅度成线性关系;声子谱的高频截止频率愈高,其T_c也愈高。讨论了利用声子谱的软化虽然能大幅度地提高T_c值,但要获得包括金属Be在内的非过渡金属的高T_c非晶态超导体的希望是渺茫的。还讨论了非晶态超导体的上临界场H_c2和能隙2Δ₀所表现出的强耦合效应等问题。 关键词：     

金属-电介质约束的半导体微盘激光器

设计了一种以半导体材料InGaAsP作为核心结构的器件表面蒸镀二氧化硅膜层,在其上蒸镀金膜层,构成金属-电介质半导体微盘激光器结构,盘面的厚度为2 μm,盘面半径为6 μm,盘壁侧表面与底面的夹角为45°.使用有限元法对该结构器件的回音壁模式进行数值研究,利用所谓"偏微分方程的弱项形式"有效地抑制了许多局域不变性相关的"伪解".通过数值求解弱项型矢量亥姆霍兹方程,得到微盘激光器回音壁模式的横磁场分布,在此基础上讨论了其品质因数(Q值)、模体积、不同金属和电介质膜厚度对器件品质因数的影响、盘的半径和其品质因素的关系等相关量.理论计算表明,这种结构的器件较直接在介质表面蒸镀金属膜层结构的器件的品质因数高2～3倍.实验还获得了基阶和高阶的表面等离子体波模式,以及品质因数最大达到约5 400的光学-电介质基模.     

金属-电介质约束的半导体微盘激光器

设计了一种以半导体材料InGaAsP作为核心结构的器件表面蒸镀二氧化硅膜层,在其上蒸镀金膜层,构成金属电介质半导体微盘激光器结构,盘面的厚度为2μm,盘面半径为6 μm ,盘壁侧表面与底面的夹角为45°.使用有限元法对该结构器件的回音壁模式进行数值研究.利用所谓“偏微分方程的弱项形式”有效地抑制了许多局域不变性相关的“伪解”.通过数值求解弱项型矢量亥姆霍兹方程,得到微盘激光器回音壁模式的横磁场分布,在此基础上讨论了其品质因数(Q值)、模体积、不同金属和电介质膜厚度对器件品质因数的影响、盘的半径和其品质因素的关系等相关量,理论计算表明,这种结构的器件较直接在介质表面蒸镀金属膜层结构的器件的品质因数高2～3倍,实验还获得了基阶和高阶的表面等离子体波模式,以及品质因数最大达到约5100的光学-电介质基模.     

Y_(1-x)Ca_xBa_2Cu_3O_6系统中空穴掺杂诱导的绝缘体-金属转变和超导电性

本文报道利用Ca部分取代Y的方法,将空穴引入绝缘的YBa_2Cu_3O_6系统中,使其发生由绝缘体到超导体的转变,并通过研究其电子输运性质、磁性质,以及晶体结构的变化,揭示了具有适当载流子浓度的CuO面是维持高Tc超导电性的重要条件。     

超小金属微粒超导电性的能级统计

用平均场理论的自洽方程计算了随机矩阵理论中三种系综(Gauss Orthogonal Ensemble;Gauss Unitary Ensemble;Gauss Symplectic Ensemble)所对应的电子能级的奇/偶电子数分布对临界电子能级间距的影响,得到了在不同的自旋-轨道耦合和磁场中奇/偶电子数分布的临界电子能级间距的定量关系以及奇电子数的Δ((0)随平均能间距o>的变化. 关键词：     

Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O体系的氧空位、局域化和超导电性

本文讨论了热处理过程对浇铸退火方法制备的 Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O 样品的电子输运性质和超导电性的影响.分析了发生非金属-金属(超导)转变的物理过程.指出无论是原子的无序分布,还是氧空位所引起的无规势场增强,都会导致电子局域化增强,使得样品金属性减弱和超导转变温度降低.     

半导体纳米颗粒/金属-有机骨架复合光催化体系中的位置效应

本文采用超快瞬态吸收光谱技术研究了“半导体/金属-有机骨架(MOF)”复合体系中的位置效应. 半导体TiO₂纳米颗粒被嵌入或担载于一种典型的MOF材料Cu₃(BTC)₂. 通过实时跟踪这两个复合体系中的电子动力学行为,发现半导体与MOF之间形成的界面态可作为高效的电子转移纽带,其效率与二组份的相对位置密切相关,从而导致这两个复合体系光催化CO₂还原的性能差异. 本文对“半导体/MOF”复合体系中界面电子转移行为和效应的机理进行了解读,为基于MOF材料的光电化学应用提供了有益的设计思路.     

(Bi,Pb)-Sr-Ca-Cu-O体系110K超导体的相转变及超导电性

品质优良的110K超导体(Bi,Pb)₂Sr₂Ca₂Cu₃O_y的单相多晶样品已制备,其零电阻温度为107K。讨论了2201相,2212相和2223相的形成和转变以及淬火温度对其的影响。测量了样品的复磁化率,结果表明超导体晶粒间的Josephson结的耦合强度与样品的制备过程有关,对不同热处理的样品测其比热;△c(107K)=5.3J/molK,索末菲常数v=34.6mJ/molK,比热跳跃与热处理     

Ba-Y-Ag-Cu-O体系的超导电性及其结构的研究

本文采用了以部分Ag替代在高温超导体中起重要作用的Cu的方法,制备了Ba_(1.2)Y_(1.8)Ag_(0.2)Cu_(1.8)O_(7-δ)体系的陶瓷材料。电阻测量结果表明,样品的零电阻温度达到90K。样品的X射线衍射及Raman光谱分析均表明了少量Ag离子的加入并没有产生新的物相和破坏原来的晶体结构。     

电-声超导电性的对称理论

利用新的库珀对平均汤近似，导出了电－声系统中声子－库珀对有效作用，证明了声子通过交换虚的库珀对能够产生一个有效的吸引力，导致两动量相反的声子配对并构成稳定的声超导态。发现电子超导态与声子超导态的直积能构成稳定的电－声对称的高温超导基态。在声子－库珀对弱耦合极限下，基态对称破缺成为传统的ＢＣＳ基态。     

YBaCuO体系大型样品制备及超导电性

 应用流体静压法制备YBaCuO体系大型高T_c超导棒材。样品尺寸为Φ11 mm×115 mm，其中外形规正，密度均匀。超导转变参数为：起始转变温度为105～106 K，零电阻温度为89～92 K，中点转变温度为92～93 K，转变宽度为5 K左右。     

掺杂MgB_2体系超导电性的一个判据

提出一个计算原子半径差和电负性差的方法,研究了原子半径差Δd和电负性差Δe及它们之比△d/△e与掺杂MgB2体系超导转变温度Tc的关系,发现三者都与转变温度有良好的规律性,对它们进行数值模拟都获得开口向下的抛物线关系。由此,提出用原子半径差、电负性差、及它们之比△d/△e作为提高掺杂二硼化镁超导电性的一个新依据。     

混合稀土EuBaCuO体系的高温超导电性研究

本报道了采用三种不同含量的混合稀土Ｅｕ２Ｏ３（Ｅｕ２Ｏ３的含量分别为７０％，７９．９８％，９０％）为原料，利用固态反应法制备混合稀土Ｅｕ－Ｂａ－Ｃｕ－Ｏ体系超导体样品的工艺；给出了高温超导电性测量和Ｘ射线粉末衍射及扫描电镜分析结果。