激子转移对GaP:N发光热猝灭过程的影响

本文研究了20K-120K范围内GaP:N束缚激子发光与温度的关系,从实验结果发现,各发光中心之间存在着激子转移.初步分析表明,采用带带激发方式,激子转移会导致深束缚中心的热激活能拟合值偏高,其发光热猝灭是由于空穴的热离化所造成的.     

GaP:N和GaAs1-xPx:N中束缚激子的辐射复合依赖于激子声子耦合的热猝灭

实验中发现,氮掺杂的GaP和Ga(As,P)的发射光谱的零声子带和声子伴带的热猝灭过程是不同的.声子伴带的热猝灭非常强烈地依赖于激子声子耦合.我们提出了一个激子声子复合体((N-激子)—声子)模型.     

GaP:(Bi,N)晶体中束缚激子的辐射复合及能量转移

本文研究了在4.2K—147K温度范围内GaP:(Bi,N)晶体的光致发光光谱的精细结构,积分强度及其随温度的变化,并将它们与GaP:Bi,GaP:N光谱进行比较。首次发现在GaP:(Bi,N)晶体中激发能量从孤立N中心和NNi对(i≥3)中心到Bi中心的转移,增大了Bi束缚激子态的浓度,使Bi发射带增强。     

GaP和GaAs1-xPx中N束缚激子压力行为的理论计算

本文在Koster-Slater单带位势近似下对GaP和GaAs_1-xP_x中N等电子中心束缚激子的压力行为与能带结构的关系进行讨论与分析,得到杂质态压力系数的一个近似的解析表达式,并对N和NN_i中心能级的压力关系进行计算。同时,给出NN_i中心配位的一组新的指认。 关键词：     

纳米半导体中多重激子效应研究进展

多重激子效应是指纳米半导体吸收一个高能光子后产生两个甚至多个电子-空穴对的物理过程,不仅具有重要的基础研究意义,而且在新型太阳电池及高性能光电子器件领域具有潜在应用价值.综述了多重激子效应的发展历程;总结了纳米半导体的材料组分、体系结构甚至表面质量对多重激子效应的影响;介绍了多重激子效应的实验测试分析方法以及解释多重激子效应的理论方法;概括了目前多重激子效应在器件中的应用并对其应用前景进行展望.     

半导体中激子-激子碰撞引起的自发发光和受激发光

计算了辐射俄歇型激子-激子散射过程的发射光谱,在这个过程中两个激子被湮灭,留下一个发光光子和一个自由电子-空穴对。 取激子间距的适当权重的δ-函数作为两个激子之间的有效相互作用势能。不同温度下的自发发射光谱的数字计算能很好地解释在N_2激光器激发下GaAs发射带的光谱形状。     

半导体微腔中激子的光学效应

文章基于Fabry-Pérot半导体微腔,阐述了新型元激发——激子极化激元的基本概念和微观描述,讨论了其在光学放大器、光学开关和单光子源方面的潜在应用,概述了对其实现Bose-Einstein凝聚的实验研究,最后对将来的发展做了一个简单的展望.     

半导体微腔中激子的光学效应

文章基于Fabry-Pérot半导体微腔,阐述了新型元激发--激子极化激元的基本概念和微观描述,讨论了其在光学放大器、光学开关和单光子源方面的潜在应用,概述了对其实现Bose-Einstein凝聚的实验研究,最后对将来的发展做了一个简单的展望.     

GaP:N光致发光的脉冲测量

本文介绍了由脉冲式溴代铜激光器和Boxcar平均器等组成的光致发光测量装置.测量了液相外延片GaP:N在不同温度(80～300K)下和不同厚度处的光致发光谱.根据谱图,分析了绿色发光机理.     

N在GaP及P在GaN中的溶解极限的计算

本文根据化学反应的吉布斯自由能及VanVechten等人的介电理论计算了N在GaP中的溶解度及P在GaN中的溶解度.计算结果表明,N在GaP中有一个相当好的溶解度,在这个溶解度下,GaP1-xNx合金的能带可以发生有意义的变化,我们的计算结果可以很好地说明最近一些作者所作的有关实验报道.     

在准一维有机分子晶体中由超声孤子引起的M?ssbauer效应

研究了在温度T≠0时,准一维有机分子晶体中由结构畸变和局域性涨落导致的超声孤子,对原子核发射γ量子而出现的M?ssbauer效应的影响。计算了在此情况下随温度而改变的γ量子辐射M?ssbauer跃迁概率,并得出这种效应的一些特点。 关键词：     

GaP:N LED中深能级对退化特性的影响

本文用深能级瞬态谱(DLTS)研究了GaP:N LED''s老化过程中深能级的变化。老化条件为:在正偏直流I=800mA下室温老化约650小时。发现GaP:N LED在老化前只存在两个能级△Ex和△Ea,而在老化的过程中观察到一个新能级△Eb逐渐形成。结合老化前后测量的LED''s发光光谱、光通、C-V特性及CLI、EBIC和SEI结果,讨论了深能级在GaP:N LED老化过程中对发光效率和退化特性的影响,认为△Eb是限制GaP:N LED发光效率及退化特性的无辐射复合中心。     

用激子动力学方法研究N吸附子扫描隧道显微镜系统图谱解释

应用激子动力学方法描述扫描隧道显微镜(STM)隧道中电子运动的动力学行为新方案,推导得到了N吸附子STM系统纯相干记忆函数与时间无关时隧道电流与探针空间位置之间的一般关系式,讨论了公式的应用范围,并作为应用,具体计算了Dimer模型STM系统AU(110)2×1和3×1再构表面STM图谱,其结果与实验及其它理论符合得很好.     

利用B-splines特性计算PbS量子点中的激子基态能量的量子尺寸效应

利用B-splines特性构建量子点中激子的波函数,计算PbS量子点中激子的基态能量E_g的量子尺寸效应,并将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行比较;利用B-splines技术计算的激子的基态能量在整个区域与实验完全符合,同时计算了有效质量和势垒高度对基态能量E_g的量子尺寸效应的影响.     

在磁场中GaAs的激子能谱

近几年来人们在了解GaAs和InP等闪锌矿型半导体的激子能谱方面给予了很大注意和做了重要的努力。这项工作包括在零场和外加磁场下的理论和实验研究。 在弱场状态下,即磁能比库伦能小得多时,微扰近似可解释观察的结果。在强场状态下,即磁能比库伦能大得多时,绝热近似基本与测量结果相符。在中间场强下即磁能与库伦能同量级时,上述两个近似都不能令人满意的说明实验结果。     

重离子在碳化硅中的输运过程及能量损失

利用蒙特卡罗方法,模拟计算了不同线性能量传输(liner energy transfer,LET)的重离子在碳化硅中的能量损失,模拟结果表明:重离子在碳化硅中单位深度的能量损失受离子能量和入射深度共同影响;能量损失主要由初级重离子和次级电子产生,非电离能量损失只占总能量损失的1％左右;随着LET的增大,次级电子的初始角...     

GaP中N和NNi对等电子陷阱态的压力行为

 半导体中的局域电子态和半导体的能带结构密切相关，揭示局域电子态和能带结构之间的内在关系是当前半导体电子理论的重要方面。而压力光谱实验对研究这种相互关系提供了重要手段。本文对GaP中深、浅两组能级的不同压力行为作了系统的实验研究。实验观察到无论在室温还是在低温，压力小于3.3 GPa时，以N陷阱束缚激子的发光过程为主，大于3.3 GPa时则以自由激子零声子过程为主，并且所有与N有关的陷阱态都具有压力的非线性行为。根据有效质量随压力的变化提出能谷中不同能量态具有不同的压力关系。基于有效质量随压力变化的能带格林函数方法，对N和NNi对的压力系数作了模型计算，其结果和陷阱态的压力行为符合得相当好。证实了带结构，尤其是能谷曲率随压力的变化是决定陷阱态压力行为的主要因素。     

在硅晶体中由螺位错引起的电子散射

本文讨论硅晶体中由〈110〉螺位错引起的电子散射,用紧束缚近似只考虑s电子和p电子。用长波近似只考虑Γ附近的电子散射。此散射近似地服从基尔霍夫-惠更斯形式的积分方程。用规范变换和格林函数方法解出了散射方程。确认了在硅复杂能带的情况下也同单一能带的情况一样,在位错的下游侧出现电子波播及不到的影子。 关键词：     

重离子在半导体器件中引起的单粒子效应

重离子引起的单粒子效应是威胁航天器安全的重要因素之一 ,利用加速器进行地面模拟是研究单粒子效应的重要手段 .概述了单粒子效应研究的历史和现状,讨论了单粒子效应研究的基本方法 ,最后简要介绍了在兰州重离子加速器上已开展的单粒子效应研究工作. Single event effects (SEE ′s) have been observed in semiconductor device in space since 1975. It has been verified from many spaceflight tests that single event effect induced by cosmic ray is one of the important sources of anomalies and malfunctions of spacecraft. Initially, a brief outline of space radiation environment is given. The history and recent trends were described, and basic methods and necessary facilities for SEE testing were also discussed. Finally, the research ...