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相似文献
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1.
通过水热法合成了纯度较高、结晶良好且粒径均匀细小的LiFePO4粉体.采用XRD,SEM对材料的结构和形貌进行分析,并研究了水热合成温度和反应时间对材料电化学性能的影响.结果表明,提高反应温度和延长合成时间有利于提高材料的结晶度,但会增大材料粒径.200℃水热合成5 h样品电化学性能最佳,0.1C倍率首次放电比容量138.0 mAh.g-1,具备工业化实用性.在水热合成中加入抗坏血酸和葡萄糖可有效避免Fe2+的氧化并增强材料的导电性.  相似文献   

2.
固体氧化物燃料电池致密电解质薄膜制备技术   总被引:4,自引:0,他引:4  
鉴于固体氧化物燃料电池(SOFC)在高温运行时存在的种种问题,电解质薄膜的厚度,降低其运行温度,是解决这些问题的重要途径.本文分别综述了目前常用的SOFC致密电解质薄膜的制备工艺,如化学法、物理法、陶瓷粉末法等,评述了它们的优缺点,并介绍了采用上述方法制备电解质薄膜的性能和用于电池研究的实验结果.  相似文献   

3.
SOFC用固体电解质薄膜制备方法进展   总被引:5,自引:0,他引:5  
综述了近年来固体电解质薄膜的制备方法,包括电化学气相沉积法、化学气相沉积法、电脉沉积法、流延法、溅射法、等离子喷涂法,压制法等。  相似文献   

4.
本文综述了全固态薄膜锂离子二次电池的研究进展,主要阐述了薄膜锂电池的结构设计以及正极、负极和固体电解质材料研究现状,并对其今后的发展趋势及研发热点进行了展望。  相似文献   

5.
采用恒电流电化学技术,在95℃左右的条件下,于Li OH溶液中,直接在镍片上制备了结晶良好的Li Ni O2薄膜.通过XRD,SEM和XPS技术对制备的Li Ni O2薄膜进行了表征;测试结果表明制备的Li Ni O2薄膜表面致密、均匀,为六方层状结构.通过研究,作者得到了适宜的电化学制备Li Ni O2薄膜的工艺条件.  相似文献   

6.
室温电化学方法制备SrMoO4薄膜   总被引:2,自引:2,他引:0  
采用恒电流技术于室温条件下直接在金属钼片上制备白钨矿结构的SrMoO4 薄膜 ,控制电化学反应的工艺条件为电流密度为 1mA cm2 、电解液的pH值为 13、电化学处理时间为 1h ,SEM和XRD分析结果表明制备的SrMoO4 薄膜为表面均匀致密且平均粒径为 2 μm的四方晶系单相薄膜 .  相似文献   

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为开拓稀土元素在铜及其合金中的有效利用,本文在1390—1475 K温度下,用固相-液相平衡法研究了Cu-La-O体系的热力学,用固体电解质氧浓差电池法测定了铜液中氧的活度,得到镧的脱氧常数,及脱氧常数与温度的关系式。由测得的数据还求得镧在熔铜中的溶解自由能、活度系数与温度的关系和铜液中镧自身的相互作用系数。  相似文献   

10.
聚合物锂离子电池负极电化学性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
制备了聚合物锂离子电池用负极 ,对其首次充放电效率、比容量、不同放电倍率下放电性能进行了测试 .首次充放电容量分别为 340 m A· h·g- 1和 310 m A·h· g- l,库仑效率可达 91% .以锂锰氧为正极组装了聚合物锂离子电池 ,通过测试表明制备的聚合物锂离子电池具有较好的循环性和大电流放电能力 .所制负极可应用于聚合物锂离子电池中 .  相似文献   

11.
脉冲激光沉积法制备氧化铋薄膜及其电化学性质研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
首次采用355nm脉冲激光沉积在不锈钢基片上制备了氧化铋薄膜,X—射线衍射(XRD)测试表明在基片温度为300℃,沉积时间为0.5h制备得到的Bi2O3薄膜具有四方结构,SEM和Raman光谱测定对该Bi2O3薄膜的表面形貌和锂化前后的结构进行了表征,结果表明薄膜由小于100nm针状晶粒组成,锂化后的产物可能是LixBi2O3。此外,由电位阶跃法测定了上述Bi2O3薄膜电极的锂离子扩散系数。电化学测定表明,上述Bi2O3薄膜具有充放电循环性能,在电压范围为0.70~3.5V,该氧化铋薄膜在充放电速率为2C时的比容量大约为100mAh/g,并且保持经100次以上充放电循环而没有明显的衰减。  相似文献   

12.
采用水热法和组合法制备了杂多化合物催化剂Cs2.0Fe0.1HxPVMo11As0.4Oy.采用FT-IR和TG-DTA对不同方法制备的催化剂结构进行了研究,对它们在连续流动固定床反应器中选择性催化氧化异丁烷的催化性能进行了比较研究.实验表明,在C4H10/O2/N2/H2O=2/3/6/1,GHSV为910 h-1的条件下,水热法和组合法制备的催化剂的催化性能均在380℃时达到最佳,但这两者的催化性能差别却很大,产物甲基丙烯酸的选择性分别为9.53%和32.33%.  相似文献   

13.
采用原位电化学聚合含有饱和单壁碳纳米管(SWNT)的苯胺(ANI)溶液来制备单壁碳纳米管/聚苯胺(SWNT/PANI)复合膜,对复合膜的表面形貌与结构性质采用扫描电子显微镜进行观察,并用循环伏安法,充放电测试,和交流阻抗测试等手段对复合膜的电化学电容特性进行详细探讨.实验结果表明,纯PANI和SWNT/PANI复合物的比电容量分别为156.5F/g,186.4F/g.由复平面阻抗谱图的最高频率点可以求出纯PANI和SWNT/PANI复合膜的内阻分别为15.8,6.7Ω.  相似文献   

14.
Porous Co(OH)2 film directly grown on nickel foam is prepared by a facile hydrothermal method.The as-prepared Co(OH)2 film possesses a structure consisting of randomly porous nanoflakes with thicknesses of 20-30 nm.The capacitive behavior of the Co(OH)2 film is investigated by cyclic voltammograms and galvanostatic charge-discharge tests in 2 mol/L KOH.The porous Co(OH)2 film exhibits a high discharge capacitance of 935 F g-1 at a current density of 2 A g-1 and excellent rate capability.The specific capacitance keeps a capacitance of 589 F g-1 when the current density increases to 40 A g-1.The specific capacitance of 82.6% is maintained after 1500 cycles at 2 A g-1.  相似文献   

15.
二硫化钼是类似于石墨烯的二维层状材料,其优异的磁学性能、电学性能、催化性能和光学性能受到了科研人员的广泛关注.通过水热法制备出4种不同形貌的二硫化钼纳米片.对二硫化钼样品进行扫描电子显微镜测试,以200 W钨丝灯为光源,在暗箱中进行甲基橙溶液的降解测试.通过紫外可见光分光光度计对测试样品溶液进行吸光度测试,得出纳米片状的二硫化钼光催化降解甲基橙溶液降解率最高.  相似文献   

16.
近年来,三氧化钨作为一种潜能材料在各种应用领域特别是在气敏传感器方面引起了广泛关注。综述了气敏响应的原理,灵敏度的灵活表示以及目前三氧化钨水热合成和气敏性研究的实验结果。三氧化钨的形貌和结构在很大程度上决定着其气敏性能。由于表面活性区域或体表比的增加能增强利于气体探测的一些性质,所以,晶粒的尺寸有待减小。在众多制备方法中,水热法可以用来制备出各种要求的形貌和结构,且尺寸较小。在水热处理过程中,添加一些辅助试剂还有助于调控三氧化钨的尺寸大小,表面形貌、形状和晶体结构等。大多数关于气体探测的工作都是致力于提高三氧化钨的灵敏度,实现对低浓度气体的探测,扩大探测的气体种类等。事实上,通过优化制备方法,掺杂以及电极的设计等在这些方面都已经取得了很大的成功。但是,得到的这些三氧化钨基气体传感器通常仅能在高于150℃的工作温度下才能发挥出较好的气敏性能。三氧化钨基气体传感器未来研究方向:一方面,寻求新的掺杂材料,使用某些辅助试剂,准确控制制备条件来优化三氧化钨的气敏特性将是人们广泛采用的途径;另一方面,改变探测气体的方式(不测试三氧化钨电学性质的变化),通过记录三氧化钨基传感器光学性质的变化来分析器气敏响应。  相似文献   

17.
水热法制备CdSe纳米晶   总被引:1,自引:0,他引:1  
用合成的Na2SeSO3和Cd(NO3)2.4H2O在水溶液中180℃下反应12h,合成了直径为100 nm的CdSe纳米球,利用X射线粉末衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对其结构进行了表征,并探讨了其生长机理.  相似文献   

18.
咔唑和硫醇混合自组装缓蚀功能膜的电化学研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
在金属铜表面上制备了各种类型的咔唑和硫醇的混合自组装膜,用电化学交流阻抗和极化曲线研究了自组装膜的致密程度以及缓蚀性能,并考察了乙烯基咔唑的吸附过程,初步探讨了混合膜的形成机理。  相似文献   

19.
以硝酸钴和硝酸铝为原料、六次甲基四胺为沉淀剂,水热制备了铝掺杂的四氧化三钴,研究了铝不同掺杂量对电极电容性能的影响,通过循环伏安、恒电流放电、交流阻抗等方法对样品电化学性能进行测试,研究结果表明,钴铝摩尔比为2:1时制备的四氧化三钴电极电化学性能较好,其单电极质量比电容达645F g-1,是纯四氧化三钴电极的2.66倍,由此说明适量加入铝既可以减少钴的用量,又有利于提高四氧化三钴的质量比电容.  相似文献   

20.
以硝酸钴为原料、尿素为沉淀剂、柠檬酸三纳为模板,用水热法制备了Co3O4,并采用循环伏安、恒流充放电等方法研究了样品的电化学性能.结果表明,Co3O4电极在6mol·L-1KOH溶液中、在0~0.4V电位范围内、电流密度为5mA·cm2时,单电级比电容可达900F·g-1.  相似文献   

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