Tl—1223超导体及其复Ag带的制备

研究了用产中分熔化法制备Ｔｌ－１２２３超导体的工艺。样品的名义组成为（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ０．８Ｂａ０．２）Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ。经熔化退火的样品，其磁化电流的７７Ｋ和１Ｔ下大于２×１０＾４／ｃｍ＾２。用熔化－退火的超导粉作原料制得的复Ａｇ带短样，Ｊｃ达１．６－１．７×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２（７７ｋ，０Ｔ）。采用烧结后的超导粉作原料，在制备复Ａｇ带的工艺中，如用熔化－退火的热处理制度，可以免除…     

MOCVD法在金属基体上制备YBCO超导带

本报道了用ＭＯＣＶＤ静态和动态沉积两种工艺制备ＹＢＣＯ超导带的实验结果。以Ｙ（ＴＭＨＤ）３、Ｂａ（ＴＭＨＤ）２和Ｃｕ（ＴＭＨＤ）２为挥发源，Ｏ２气为反应剂，高纯Ａｒ气为载流气体，在静止和以１０－１５ｃｍ／ｈ带速移动的金属银基体上，制出了有强烈ｃ－轴取向的ＹＢＣＯ超导带。静态沉积样品的Ｊｃ达到１．０４×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２，动态沉积样品的Ｊｃ达到１．４×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２（７８Ｋ，０Ｔ）。对改…     

Rb3C60超导薄膜的电输运性质

在成功制备Ｃ６０外延薄膜的基础上，我们又尝试了碱金属Ｒｂ对该膜的掺杂。结果表明，从室温至８０Ｋ左右，Ｒｂ３Ｃ６０薄膜的电阻温度系数大于０，并近似符合公式：ρ（Ｔ）＝ａ＋ｂＴ＾２，与单晶样品一致。但是，当温度低于８０Ｋ以后，出现了弱的对数局域。在５Ｋ、零场下，样品的Ｊｃ值一般为１０＾３－１０＾４Ａ／ｃｍ＾２，且有如下规律：Ｊｃ（Ｔ）＝Ｊｃ（０）（１－Ｔ／Ｔｃ）＾ａ，α＝１．３－２．０。此外，我们还测     

高温超导薄膜(Y0.6Ho0.4)Ba2Cu3O7-δ/SAT/MgO的制备

用脉冲激光沉积法在先在ＭｇＯ衬底上制备一层Ｓｒ２（ＡｌＴａ）Ｏ６薄膜作为过渡层,再制备（Ｙ０．６Ｈｏ０．４）Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导薄膜,新超导薄膜的零电阻温度Ｔｃ０为８９Ｋ,临界电流密度Ｊｃ为２．３＊１０＾６Ａ／ｃｍ＾２（７７Ｋ）,用Ｘ射线衍射仪及扫描电子显微镜分析了薄膜特性。     

激光沉积法制备（Y1—xHox）Ba2Cu3O7—δ薄膜

本文报道了用激光沉积法在（１００）ＬａＡｌＯ３衬底上制备（Ｙ１－ｘＨｏｘ）Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０，０．２，０．４）超导薄膜．结果表明，新超导薄膜表面光滑，具有很强的ｃ轴织构，零电阻温度Ｔｃ０约９１Ｋ，最佳临界电流密度Ｊｃ为４．７×１０６Ａ／ｃｍ２（７７Ｋ）．     

T1系1223相超导体的不可逆线

研究了（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ０．８Ｂａ０．２）２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ超导体的不可逆场Ｈ（Ｔ），并与Ｙ系Ｂｉ系和Ｔｌ１２１２相超导体作了比较。实验表明，在７７Ｋ下Ｔｌ１２２３相的不可逆场高达５Ｔ。证明了该材料在高温下的磁通钉扎比Ｂｉ系超导体和Ｔｌ１２１２相导体强得多，并对此作了讨论，由磁滞回线估计的磁化电密度Ｊｃ在７７Ｋ和２Ｔ磁场下大于１４＾４／ｃｍ＾２。     

用MOCVD法在YSZ衬底上制备YBCO膜

用低压ＭＯＣＶＤ多源法在单晶ＹＳＺ和具有双轴取向ＩＢＡＤＹＳＺ的金属基带上沉积了ＹＢＣＯ膜,它们的Ｊｃ（７７．３Ｋ,０Ｔ）分别为～２×１０６Ａ／ｃｍ２和～７×１０４Ａ／ｃｍ２．分析了本试验中的Ｊｃ差别原因．在单晶ＹＳＺ上ＹＢＣＯ高Ｊｃ数值显示了用ＭＯＣＶＤ制备涂层膜导体的潜力     

柠檬酸盐热解法制备YBa2Cu3O7—δ超导体及其性能研究

本采用柠檬酸盐热解法成功地制备了反应活性高、均匀、超微（～１００Ａ）超导原粉，在份调节和粒度控制方面具有独到之处。用这种粉末合成的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导体，其主相为正交１２３相，ＴＲ＝０＝９１，２Ｋ，Ｊｃ（０Ｔ，７７Ｋ）＝１．８×１０＾５（Ａ／ｃｍ＾２），制备中烧结时间短，温度低（≤８８０℃），反应周期短（≤３６ｈｏｕｒｓ），是一种很有发展前途的方法。     

高J＿cTl系2223相银包套带材的磁通钉扎和耗散

测量了Ｔｌ系２２２３相银包套超导带（Ｊ＿ｃ＝１．５×１０￣４Ａ＊ｃｍ￣（－２），７７Ｋ，０Ｔ）在０－０．８Ｔ磁场下电阻转变展宽，实验结果引用热激活磁通蠕动模型加以解释。磁场平行于带面（Ｈａｂ面）和磁场垂直于带面（ＨＪ⊥ａｂ面）两种情况下，激活能与磁场之间满足幂指数关系：Ｕ＿（０）＝０．２１，其中Ｈ的单位为ｋＧ。对Ｈａｂ面，ＨＩ时出现的与宏观洛仑兹力无关的耗散进行了讨论。     

Bi2.2Sr1.8Ca1.05Cu2.15—xNaxO8＋y超导电性研究

本介绍了用熔融法制备Ｂｉ２．２Ｓｒ１．８Ｃａ１．０５Ｃｕ２．１５－ｘＮａｘＯ８＋ｙ（ｘ＝０，０．４～０．８）样品，发现诸样品零电阻温度都在９０Ｋ左右，其中ｘ＝０．７，Ｔｃ０达到９２．５Ｋ。在８１Ｋ较高温区，该类样品仍然表现出良好的超导电性，其临界电流密度还达到１０＾３Ａ／ｃｍ＾２量级。     

析相光度法测定铜（Ⅱ）的研究

本文研究了Ｃｕ－ＰＥＧ－ＤＤＴＣ（铜试剂）（ＮＨ４）２ＳＯ４体系的析相光度法并应用于测定Ｃｕ。最宜酸度为３．６－９．０（ＮａＡｃ－ＨＡｃ，ＮＨ４Ｃｌ－ＮＨ３．Ｈ２Ｏ）缓冲溶液，其络合物的最大吸收位于４５０ｎｍ，表观摩尔吸光系数为９．０５×１０＾３Ｌ．ｍｏｌ＾－１．ｃｍ＾－１，Ｃｕ浓度在０－３０μｇ／Ｌ范围内服从比耳定律，铜与ＤＤＴＣ形成组成为１：２的稳定络合物。该方法用于铝合金中铜的测定，获得了满     

Dy^3＋掺杂的氟锆酸盐玻璃的光谱性质

测量了氟锆酸盐玻璃中Ｄｙ＾３＋离子的吸收光谱和荧光光谱。根据Ｄｙ＾３＋离子的吸收光谱,得到氟锆酸盐玻璃中Ｄｙ＾３＋离子的Ｊ－Ｏ参量Ω,Ω３．２９×＾２０ｃｍ＾２,Ω４＝１．５６×１０＾２０ｃｍ＾２,Ω６＝２．４８±１０＾２０ｃｍ＾２,经计算了氟锆酸盐玻璃中ｙ＾３＋离子的发射特性,计算了Ｄｙ＾３＋离子１．３μｍ发射的＾６Ｆ１１／２（６Ｈ９／２）→６Ｈ１５／２跃迁的发射截面σ＝０．６２×１０＾－２０ｃ     

一种新型铂电阻温度计及其性能研究

中国计量科学研究院同云南仪表厂合作研制一种新型的套管铂电阻温度计，并对其作为较为详细的实验研究，研究结果如下：在水三相点，温度计的稳定性优于±０．３ｍＫ，在一周之内，复现性优于±０．１ｍＫ，１ｍＡ测量电流下自热不超过１ｍＫ，温度计在４．２Ｋ温度下的电阻比Ｗ小于５．９×１０＾－４，其标准偏差的绝对值不大于３×１０＾－８；而非一致性在８３Ｋ以上稍大，而在１７Ｋ－８３Ｋ间小于０．４ｍＫ，在其余温度范围均     

用不同母体制备Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2Cu3Oy超导块材

采用不同的母体材料，在分别淬火的非晶中间相基础上合成了Ｂｉ１．７Ｐｂ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ高Ｔｃ超导陶瓷，报道了这些材料的制备、Ｘ射线衍射及电阻率结果。我们用共生长和结构中离子成分的变化对结果进行了讨论。通过对材料结构和性质的分析得出ＳｒＣａＣｕＯ３是最适合２２１２成相的母体。而ＳｒＣｕＯ２是产生２２２３相的最好母体，在４０Ｋ零场中推断的颗粒内临界电流密度Ｊｃ达１０＾６Ａ／ｃｍ＾２。     

高TcBOLOMETER

章给出了高Ｔｃ超导红外探测器的理论分析；器件设计。并报道了用ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ薄膜制备的红外探测器的实验结果。得到的最好结果是噪声等效功率ＮＥＰ（５００，１０，１）＝１．４×１０＾－１１ＷＨｚ＾－１／２；探测率Ｄ＾＊（５００，１０，１）４．２×１０＾９ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１；响应度Ｒｖ＝１０６５Ｖ／Ｗ。     

粲夸克偶素P波态χ_（c0）宽度测量

利用北京谱仪在北京正负电子对撞机上采集的３５０万（２Ｓ）事例，通过（２Ｓ）→γπ－和γＫ＋Ｋ－反应道测量了Ｘｃ０的总宽度．由ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟给出的质量分辨函数，利用拟合Ｘｃ２谱形得到的质量分辨作标定后，用于Ｘｃ０宽度的拟合，得到Ｘｃ０的宽度为（１５．０）ＭｅＶ．同时定出了ＸｃＪ（Ｊ＝０，２）到π＋π＝和Ｋ＋Ｋ－的衰变分支比．结果为Ｂ（Ｘｃ０→π＋π－）＝（４．２７±０．２３±Ｏ．６０）×１０－３；Ｂ（Ｘｃ０→Ｋ＋Ｋ－）＝（３．４４±０．２１±０．４７×１０－３；Ｂ（Ｘｃ２→π＋π－）＝（１．５２±０．１７±０．２９）×１０－３和Ｂ（Ｘｃ２→Ｋ＋Ｋ－）＝（５．２±１．１±１．８）×１０－４，其中第一项误差为统计误差，第二项为系统误差。     

柠蒙酸盐热解法制备YBa_2Cu_3O_（7－δ）超导体及其性能研究

本文采用柠檬酸盐热解法成功地制备了反应活性高、均匀、超微（～１００Ａ）超导原粉．在成份调节和粒度控制方面具有独到之处．用这种粉末合成的Ｙｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导体，其主相为正交１２３相，ＴＲ＝０＝９１．２Ｋ，Ｊｃ（０Ｔ，７７Ｋ）＝１．８×１０５（Ａ／ｃｍ２），制备小烧结时间短。温度低（≤８８０℃），反应周期短（≤３６ｈｏｕｒｓ），是一种很有发展前途的方法．     

Tl－1223／Ag复合带长样的制备

本文研究了Ｔｌ－１２２３／Ａｇ复合带长样的制各，０．５９米的长样统制在中３１ｍｍ的氧化铝管上，其Ｊｃ值最高可达ｌ．１０×１０４Ａ／ｃｍ２（７７Ｋ，ＯＴ）．在ф９－３１ｍｍ的管径范围内绕制线圈，曲率半径对Ｊｃ的影响不大     

在Ar和Xe低温基体中Fe（CO）3与CO扩散控制反应研究

本文用２８０ｎｍ脉冲激光光解被Ａｒ和Ｘｅ基体隔离的Ｆｅ（ＣＯ）５以产生配位不饱和的Ｆｅ（ＣＯ）３。用傅里衰变换红外光谱仪实时监察光解停止后Ｆｅ（ＣＯ）３和ＣＤ的复合，并以Ｓｍｏｌｕｃｈｏｗｓｋｉ扩散控制反应动力学理论模型求得Ｆｅ（ＣＯ）３与ＣＯ的反应半径为４．０×１０＾－１０ｍ，ＣＯ在１０Ｋ的Ａｒ和Ｘｅ基体中的扩散系数分别为２．２×１０＾－２３ｍ＾２／ｓ和４．５×±∩＾－２３ｍ＾２／ｓ。     

铊系超导单昌的低温生长

采用蠕爬型助熔剂ＣａＯ－ＣｕＯ和蒸发型复合助熔剂ＣａＯ－ＣｕＯ－ＮａＣｌ来制备Ｔｌ－Ｂａ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导单晶，生长炉最高温度８９０℃和８５０℃，因而实现了铊系单晶的低温生工。生长出的单晶分别是典型尺寸为２．０×１．５×０．２ｍｍ＾３，Ｔｃ在１００Ｋ与１１９Ｋ之间的Ｔｌ－２２１２相单晶和尺寸为１．２×１．０×０．１ｍｍ＾３。Ｔｃ约为１１５Ｋ的Ｔｌ－２２２３相超导单晶。