半导体材料科学发展的历史回顾

半导体科学技术是２０世纪中最伟大和最重要的科技成就之一。在高新技术迅速发展的今天，重温其发展历程，总结其发展规律和认识其发展特点，具有重要的现实意义。作者着重评述了近半个世纪以来，半导体科学技术在材料、物理、器件与工艺四个领域内所取得的一系列重大进展。     

我国第一部半导体著作——黄昆、謝希德两同志合著的“半导体物理学”一书介紹

近十年来,半导体科学技术得到了蓬勃的发展。在理论上,它始終占着固体物理中极重要的地位。而它的一系列优良性质,則为其在各項科学技术中的应用开辟了广闊的远景。目前,半导体工业生产量和其品种的数目,已成为一个現代化国家科学技术发展程度的重要标志之一。中华人民共和国成立十周年来,中国共产党和人民政府一貫非常重视新科学技术在我国的发展。党和政府十分关心半导体方面干部的培养,大量的科学工作者和工程师已投入半导体的研究和生产工作。在很多高等院校中都已先后設置了半导体专业,培养着数以千計的干部。一支新的、有力的半导体工作者队伍,正在我国迅速地成长起来。     

半导体科学技术与诺贝尔物理学奖

半导体科学技术是自然科学和技术领域中的一个极其重要的活跃分支，也是完美体现当代科学技术发展特点的一个突出范例．而诺贝尔物理学奖则是一种在全世界范围内最具权威性的自然科学奖励，也是获奖者所拥有的一种最高科学荣誉．半导体科学技术与诺贝尔物理学奖之间有着某些必然的关联性．揭示与探讨二者之间的这种内在联系，对于认识半导体科学技术的历史发展规律，并进而把握它的未来发展走向具有一定的现实指导意义。     

继往开来,任重道远——纪念中国半导体事业五十周年

今年是中国半导体事业五十周年．其实谁也没有这么规定过，也没有任何文件中提到．事实上，中国的半导体事业从新中国一成立就开始进行，那为什么将1956年作为中国半导体事业的开始？主要是因为那一年有几件大事：（1）1956年1月30日到2月4日由中国物理学会主办，全国第一届半导体物理学讨论会在北京召开．（2）1956年在周恩来总理的亲自主持下，制定了1956-1967年《十二年科学技术发展远景规划》．在规划中，将半导体技术列为我国新技术的四大紧急措施之一．（3）1956年高等教育部为落实加快发展我国半导体科学技术事业，尽快培养半导体专门人才的紧急措施，决定在北京大学成立由北京大学、复旦大学、南京大学、厦门大学和东北人民大学（现吉林大学）组成的中国第一个五校联合半导体专门化，由黄昆任教研室主任，谢希德任教研室副主任．（4）这年9月，高等教育部围绕四大紧急措施在成都创办的“成都电讯工程学院”正式开学招生，设有无线电、计算技术、自动化、半导体及电子真空、有线电等系．从1956年开始，中国的半导体科学技术和人才培养迈开了强劲的步伐．     

深切悼念黄昆老师

黄昆先生从1951年回国以后，主要从事教育工作，把大部分精力放在教“普通物理”、“固体物理”和“半导体物理”等几门课上．1956年3月我国制定了12年科学技术发展规划，当时任北京大学物理系教授的黄昆先生参与了制定这个规划，他和其他专家一起建议：为了适应迅速发展的半导体科学技术事业的需要，要尽快培养半导体专门人才．不久当时的高等教育部就决定，将北京大学、复旦大学、南京大学、厦门大学和东北人民大学（后改为吉林大学）物理系部分教师和四年级本科生以及研究生从1956年暑假起集中到北京大学物理系。     

忆创办中国第一个五校联合半导体专业

195 6年 3月 ,我国集中了全国 6 0 0多位科学家 ,制定了 12年科学技术发展规划 ,确定了多项重要科学技术任务 .其后 ,为了发展无线电电子学、自动化、半导体和计算技术等四个在现代科学技术发展中具有关键作用的新学科领域 ,使其在短时期内改变现状 ,接近国际水平 ,科学规划委员会提出了“发展计算技术、半导体技术、无线电电子学、自动学和远距离操纵技术的紧急措施方案” .紧急措施实施方案报到国务院后 ,周恩来总理亲自过问审议 ,并立即批准 .北京大学物理系黄昆教授参与了制定这个规划 ,并和其他专家一起建议 :为了适应迅速发展的半导体…     

半导体物理效应与光电子高技术产业

阐述了能带理论和晶格动力学的创建对半导体科学技术发展发展的历史意义，重点介绍了若干关键半导体物理效应的内涵及其对光电子器件与技术发展所作出的源头性贡献，描绘了以半导体激光器为代表的现代光电子高科技产业的发展现状与趋势，指出了光电子高科技持续发展的主要方向。     

有关晶体三极管的材料和制造工艺问题

1948年晶体三极管的发明在科学技术界引起了极大的重视。经过十余年的迅速发展,晶体三极管已经成为当前半导体科学技术发展中的一个极重要方向。本文的目的主要是简单地介绍一下晶体三极管所需要的半导体材料以及它的制造工艺中所提出的若干问题。     

n－Si霍耳样品的制备及其性能参数测试

ｎ－Ｓｉ霍耳样品的制备及其性能参数测试贾亚民，姜芸（西安交通大学７１００４９）随着科学技术的日益发展，霍耳器件在自动控制与技术中得到广泛应用．为让学生多了解一些这方面的知识，我们结合科研工作，在大学三年级半导体专业学生中开设了制备霍耳样品与测试其主要...     

晶片、微电子与技术升级

人类社会正处在世纪之交的转变年代．２０世纪是科学技术突飞猛进的１００年，原子能、半导体、激光和电子计算机成为２０世纪的四大发明创造．可以看出，后三大发明是紧密相关的．激光器可以有气体激光器、半导体激光器和其他固体激光器等．其中半导体激光器是用半导体材料制作的．而组装电子计算机的芯片也是半导体集成电路．所以，可以说激光和电子计算机都是以半导体材料作为基础的．计算机和激光技术都是信息技术的重要支撑技术．因此，半导体材料技术在信息技术，以至于整个高技术领域有着举足轻重的作用．可以说半导体技术是人类进入…     

半导体激光器光学系统设计

—、前言随着科学技术的发展,半导体激光器在光通信、光学高密度信息记录和重放、激光打印、光测量和光信号处理等方面得到日益广泛的应用。半导体激光器具有体积小、发光效率高、结构简单、可高速直接调制、调制频率高、可靠性能好、使用寿命长等特点,它被认为是最有发展前途的几种激光器之一。由于半导体激光器在垂直两个方向上     

MEMS微波开关的设计与仿真

开关是微波信号变换的关键器件之一。在射频，微波集成电路中，已经大量使用的场效应管FET和半导体二极管PIN等半导体开关，由于其工作频率较低、插入损耗较大、隔离度较低、固有的非线性特性和功耗较大，导致半导体开关存在许多缺陷。随着微机电系统MEMS(Micro Electronic Mechanical System)技术的出现和快速发展，MEMS开关得到了广泛的研究和应用，和半导体开关相比，MEMS开关具有插入损耗较低、隔离度较高，并且消除了由于半导体结引起的I-V非线性等特点。     

半导体材料基因组计划:硅基发光材料

材料基因组计划旨在通过实验、计算和理论的有机整合协同创新, 实现新材料研发周期减半, 成本降低到现有的几分之一, 以期加速在清洁能源、国家安全、人类福利等方面的进步. 半导体材料的研究和发展奠定了半导体科学技术在当前人类社会发展中至关重要的地位, 半导体材料基因组计划的实施将促使半导体科学技术的研究和应用进入一个崭新的时代. 本文基于基因遗传算法理论设计硅基发光材料的研究工作探讨了半导体材料基因组计划的实施构想. 首先简单介绍了硅基发光的应用前景和开发硅基发光材料所面临的挑战. 随后介绍了基于模拟达尔文物种进化的基因遗传算法和高精度高性能的能带结构计算方法, 设定高效带边发光这一目标, 逆向设计拥有直接带隙发光的二维Si/Ge超晶格和一维Si/Ge核-多壳纳米线, 为实施半导体材料基因组计划提供了一个范例, 显示了材料基因组计划的强大力量和巨大价值. 最后对半导体材料基因组计划的实施提了几点建议.     

第21届国际半导体物理会议将在北京召开

国际半导体物理会议(ICPS)是由国际纯粹和应用物理联合会(IUPAP)半导体委员会主办的半导体科学领域内重要的系列性国际学术会议.它隔一年召开一次.自1950年第一届会议以来已举办过20届.会议规模之大(800—1000人),出席会议的权威科学家之多以及会议论文的录取标准之高,都说明了这一会议在国际半导体科技界内的权威性.以往的历届会议都充分反映了当时半导体科学技术领域内最新研究成果和发展动态,推动了半导体物理研究事业的深入发展,揭示了半导体物理潜在的应用背景. 这一系列性国际会议以往都在欧洲、北美洲和日本举行.参加会议的近千…     

编者按

<正>2019年是世界著名物理学家、中国固体和半导体物理学奠基人之一,黄昆先生诞辰100周年.黄昆先生不仅在固体物理领域取得了卓越的成就,而且更重要的是,他花费了大量的精力为我国培养了大批半导体科技人才.1956年3月,我国集中了全国600多位科学家,制定了12年科学技术发展规划,提出了"发展计算技术、半导体技术、无线电电子学、自动学和远距离操纵技术的紧急措施方案".同年暑假,我国创办了第一个五校联合半导体专业,黄昆先生任半导体教研室主任,谢希德先生任副主任,从此开启了我国自主培养半导体科技人才的新纪     

基于二维半导体材料浮栅存储器的研究进展：从材料到结构

半导体浮栅存储器在半导体存储器乃至整个数据存储行业都占据着较大的市场份额，目前在计算机、便携式设备存储器等领域都有广泛应用.随着存储器件进一步小型化和集成化，在未来需要新材料和新结构对浮栅存储器进行革新以延续摩尔定律的发展.具有原子级厚度的二维层状半导体材料具有优异的电学性能和稳定性，被广泛认为是极具潜力的新型半导体材料之一，可用于下一代半导体浮栅存储器.本文主要介绍近年来二维半导体材料在浮栅存储器领域的应用，并对其未来的发展趋势进行了思考和展望.     

光子晶体在半导体激光器中的应用

激光的发明，将人类带入光通信、光存储、光显示的高科技文明中，随着高科技的不断发展、进步和应用范围的不断扩大，对激光的要求更高，例如低阈值、高效率、高亮度、高速、小体积、好的模式特性等，这些要求在现有的传统激光器理论及技术中是难以达到的。但是当人们将光子晶体的理论与现有激光物理和技术相结合时，则有望突破传统激光器的性能瓶颈。例如，提高自发辐射速率，同时获得更高的自发辐射向受激辐射的耦合效率，实现激光器的无阈值工作；利用光子晶体对光子态的调制作用，可以获得比传统激光器大几个数量级的光学腔品质因子，大幅度提高激光的亮度、单色性；结合光子晶体微腔及其显著增加的光学腔品质因子，可以提高激光器的调制速率等，因此，人们预期光子晶体科学与技术将成为未来光电子领域发展的核心之一。文章介绍了光子晶体在半导体激光器中的应用，指出光子晶体科学技术引入发展了几十年的半导体激光器中，使半导体激光器展现出更加优异的性能。最后文章作者展望了光子晶体激光器的未来发展和应用的方向。     

"半导体激光材料及器件"专题导读

自1960年梅曼发明人类历史上第一台激光器以来,激光技术在经济、科技、军事等领域发挥着越来越重要的作用.半导体激光科学与技术以半导体激光器件为核心,涵盖研究光的受激辐射放大的规律、产生方法、器件技术、调控手段和应用技术,历经六十余年发展,不仅在基础科学领域不断研究深化,科学技术水平不断提升,而且在应用领域上不断拓展和创...     

稀磁半导体--自旋和电荷的桥梁

稀磁半导体可能同时利用载流子的自旋和电荷自由度构造将磁、电集于一体的半导体器件．尤其是铁磁半导体材料的出现带动了半导体自旋电子学的发展．室温铁磁半导体材料的制备，半导体材料中有效的自旋注入，以及自旋在半导体结构中输运和操作已成为目前半导体自旋电子学领域中的热门课题．稀磁半导体呈现出强烈的自旋相关的光学性质和输运性质，这些效应为人们制备半导体自旋电子学器件提供了物理基础．     

半导体激光器在光谱研究中的应用

近年来半导体激光器的发展引人注目，已由红外波段推向可见光区，可靠性和输出功率提高而价格下降，在光谱研究方面的应用也日益广泛。文章介绍了半导体激光器的现状，频率稳定、压缩线宽和调谐波长的方法，以及半导体激光器在吸收光谱、非线性光谱、原子的冷却和光泵浦原子钟等方面的应用。