微纳米薄膜的悬浮腐蚀法

介绍了一种腐蚀薄膜的研制方法及其装置.为制备带有各种金属引线及电极的大面积超薄悬浮薄膜(厚度:50～500nm、1～5μm;面积:3mm×2mm、10mm×5mm)提供了一种有效的方法.提高成品率30%,具有装置结构简单、支架体积小、质量轻、易于加工、操作方便、经济耐用、造型可根据器件需要加工设计等优点.     

微纳米薄膜的悬浮腐蚀法

介绍了一种腐蚀薄膜的研制方法及其装置.为制备带有各种金属引线及电极的大面积超薄悬浮薄膜(厚度:50～500nm、1～5μm;面积:3mm×2mm、10mm×5mm)提供了一种有效的方法.提高成品率30%,具有装置结构简单、支架体积小、质量轻、易于加工、操作方便、经济耐用、造型可根据器件需要加工设计等优点.     

微薄膜结构的湿法腐蚀技术研究

通过对流量传感器制造工艺中微薄膜结构的研究,分别介绍了采用氢氧化钾和四甲基氢氧化铵(TMAH)交替腐蚀实现感应薄膜释放的基本原理、工艺方法、工艺参数,及在制作流量芯片中的具体应用实例,实现了微米级厚度薄膜释放,为流量传感器和其它需要超薄薄膜微结构的制作奠定了基础。     

锆钛酸铅薄膜腐蚀研究

通过对腐蚀溶液的优化,获得了一种刻蚀效果良好的锆钛酸铅(PZT)薄膜的腐蚀溶液配方。文中所采用的PZT薄膜是通过溶胶?蛳凝胶(sol?蛳gel)法获得的,在研究腐蚀溶液组分、温度以及浓度对腐蚀速率影响的基础上,成功获得了PZT薄膜微图形化的湿法腐蚀工艺。通过实验研究,获得了横向和纵向腐蚀速率随温度和浓度变化曲线,侧蚀比（横比纵）小于1:1.07,且图形表面无残留物。     

微机械薄膜的设计的制造

介绍了微机械薄膜和各向异性刻蚀的和特点，叙述了微机械薄膜的设计方法和试验结果。     

〈100〉正面开口快速湿法腐蚀释放悬浮结构的研究

设计了三种正向开口方式为〈100〉向折线型、长条型、长短条复合型的悬浮膜系。在水浴温度80°C条件下,120min后,〈100〉开口膜系由50%KOH溶液各向异性腐蚀快速释放成形,获得完整无粘连的悬浮结构。在〈100〉快速腐蚀释放原理基础上,制备了基于〈100〉开口的测辐射热计与红外热电堆悬浮单元结构。     

电子陶瓷薄膜动压悬浮流延的动力学特性分析

为了解决电子陶瓷薄膜的高精密与超薄化流延问题将硬磁盘存储系统中磁头相对磁盘的动压悬浮运动理论运用于电子陶瓷流延过程中,建立了动压悬浮流延法,并给出了流延头相对流延辊子的动静态物理模型.根据该模型所确立的动力学方程式,对其流延过程的动力学特性进行了计算机仿真,获得了系统各参数对流延系统稳定性的影响规律,并利用仿真结果得到实现系统动压悬浮的合理参数,确保了系统的稳定性。     

微机械薄膜的设计和制造

介绍了微机械薄膜和各向异性刻蚀的理论和特点,叙述了微机械薄膜的设计方法和试验结果。     

Cr薄膜电阻桥的湿法腐蚀工艺参数研究

采用直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上沉积了Cr薄膜,采用光刻–湿法腐蚀工艺对Cr薄膜图形化得到电阻桥。通过实验,详细研究了腐蚀液温度、pH值和硝酸铈铵[(NH4)2Ce(NO3)6]浓度对Cr薄膜电阻桥腐蚀效果的影响。实验结果表明,Cr薄膜电阻桥的最优腐蚀参数为:硝酸铈铵浓度1.16 mol/L,pH值4,30℃水浴恒温。采用该最佳工艺制备的Cr薄膜电阻桥的腐蚀速率为180 nm/min,侧蚀为400 nm,桥区边缘线条整齐,其在5A恒流作用下点火效果良好,点火时间约为27.4 ms。     

新型红外探测器可动薄膜微腔的腐蚀工艺研究

基于气体直接吸收机理、微机械技术实现的气动红外探测器是对中远波段实现室温探测的新型红外探测器。该探测器的关键结构———微气腔和可动薄膜的腐蚀工艺研究对整个器件的制作有重要意义。根据探测器结构提出了对腐蚀工艺的要求,采用EPW湿法腐蚀的工艺,通过实验研究器件结构制作的最佳腐蚀条件和腐蚀速度,保证了工艺的可控性和器件结构的质量。     

热丝CVD法生长纳米金刚石薄膜的研究

系统地研究了热丝CVD法中反应气体压力对沉积产物金刚石薄膜的形貌和拉曼谱图的影响,提出了热丝CVD生长纳米金刚石薄膜的新工艺,并在50mm硅片上沉积得到高质量的多晶纳米金刚石薄膜。高分辨透射电镜分析表明,薄膜的晶粒尺寸约为10nm,〈111〉晶面间距为0.2086nm,与标准值0.2059nm很接近,晶粒周围由非晶结构包围。紫外激光拉曼光谱有尖锐的金刚石峰和明显的石墨峰。     

电泳法制备ZnO纳米薄膜研究

报导了一种简单而有效的制备ZnO纳米薄膜的方法。以纳米ZnO和Mg(NO3).6H2O的异丙醇溶液作为电泳膜的沉积液,采用电泳法在ITO衬底玻璃上制备了高质量的ZnO纳米薄膜,并用透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、Raman谱和光致发光(PL)谱等对所制得的薄膜进行了表征。XRD表明,ZnO电泳膜是多晶膜且具有纤维锌矿结构;Raman谱和PL谱表明,ZnO纳米薄膜具有较强的紫外发射,其峰值波长为384 nm,而它的可见发射几乎观察不到,表明ZnO电泳膜是高质量的。     

薄膜折叠方法制作三维微纳米结构

微光机电系统（MOEMS）是当今技术领域的研究热点之一,无论在军事和商业领域都有广泛的应用。当前MOEMS的制作主要利用二维平面技术,由于二维平面制作技术已经接近物理极限,进一步在二维平面上提高器件密度的难度变得越来越大,充分利用三维空间提高器件的密度有很多优点。本文介绍一种利用晶格失配的外延层自组装制作三维微纳米结构的方法,利用这种办法可以很方便地制作三维微纳米元件,并且在同一个衬底上进行自组装。     

铝纳米薄膜对铜纳米薄膜的防护作用

铜纳米薄膜在微电子器件中应用广泛。然而,纳米尺度的铜表面极易发生氧化,影响铜纳米薄膜的电学性能。利用物理气相沉积方法制备了铜纳米薄膜,研究了基底粗糙度对铜纳米薄膜电学性能退化的影响,发现基底粗糙度越大,铜的电学性能退化越快。通过在铜纳米薄膜的表面蒸镀铝纳米薄膜对铜纳米薄膜进行防护,研究了铝纳米薄膜厚度对其在不同环境下防护效果的影响,结果显示铝膜厚度越大,对铜纳米薄膜的防护效果越好。通过高温破坏测试,发现铝纳米薄膜能有效地提高铜纳米薄膜的极限工作温度,当铝纳米薄膜厚度为10 nm时,可将铜纳米薄膜的极限工作温度提高2.5倍。     

CdS纳米薄膜的水浴法制备与表征

CdS是一种直接能隙半导体，其带隙约为2．42eV，是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料。化学水浴法沉积CdS薄膜具有工艺简单，成本低廉，成膜均匀、致密以及可大面积生产等优点。本文通过对化学水浴法沉积CdS薄膜的研究，阐述了CdS膜的生成和生长过程及其机理，并不断优化此方法中的各种工艺参数，得到了适合做铜铟镓硒薄膜太阳能电池过渡层的CdS薄膜，并对该薄膜的形貌、结构和性能进行了分析。     

纳米硅薄膜分形凝聚模型

从分析纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜生长过程的特点出发，提出与扩散限制凝聚（ＤＬＡ）模型不同的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜分形凝聚模型：扩散与反应限制凝聚（ＤＲＬＡ）模型．获得的结果与实验结果符合得很好．ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜是利用等离子体增强气相淀积方法制备的．文中讨论了ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的结构特点与分形凝聚之间的关系．     

溅射法制备纳米薄膜材料及进展

溅射技术以其在制备薄膜中的独特优点,成为获得高性能纳米材料的重要手段.本文介绍了离子束溅射和磁控溅射技术的基本原理、方法及其在制备纳米材料中的应用和优点,以国内外这方面的最新进展.文章最后对我国纳米材料今后的应用及发展前景进行了展望.     

薄膜制备新技术

本文介绍制备10μm以下硅膜的新技术——电8化学腐蚀自停止技术.并讨论光照、欧姆接触和pn结空间电荷区等因素对腐蚀特性的影响.