光学速调管中的谐波超辐射

利用同步辐射环上的超相对论电子束和强激光外源,在光学速调管内产生UV波段的相干光源是很有希望的技术途径。研究了光学速调管内电子束的能量调制和密度调制,给出了光学速调管内谐波超辐射的计算公式,从公式可以直接算出各阶谐波超辐射的功率密度。     

光学速调管中的谐波超辐射

 利用同步辐射环上的超相对论电子束和强激光外源,在光学速调管内产生UV波段的相干光源是很有希望的技术途径。研究了光学速调管内电子束的能量调制和密度调制,给出了光学速调管内谐波超辐射的计算公式,从公式可以直接算出各阶谐波超辐射的功率密度。     

受激渡越辐射光学速调管

本文提出一种基于受激渡越辐射的的光学速调管新方案。应用著名的Madey定理对这种新型的自由电子激光器进行了分析和计算,其中包括自发辐射的和受激辐射的分析讨论。结果表明,Madey定理确能简化复杂的计算,并给出清楚的物理概念;同时计算还表明,受激渡越辐射光学速调管具有大的输出增益。文中对N个介质区构成的多级光学速调管情形也进行了讨论。 关键词：     

光学速调管的研究

用毫米波段的光学速调管结构改进自由电子激光器的增益和效率.编制计算机模拟的程序,用来设计光学速调管装置.对于采用小周期摆动磁场的特定情况,片状电子束电压300keV,电流17A,摆动磁场周期3.7mm,工作频率300GHz,光学速调管的增益和效率分别计算为27.9dB和0.5%.若电子束电压为450keV,电流为25A,磁场周期为1cm,工作频率为160GHz,计算结果增益和效率分别为32dB和2.7%.     

储存环光学速调管磁场分析

在合肥国家同步辐射实验室的储存环上，插入件光学速调管已安装完成，对光学速调管的磁场分布进行了一些附加测量，分析了横向磁场的空间谐波分量；测量了积分场的分布，对积分场变化的原因作了一定探讨。还测量了磁场横向分布的均匀度，为将要进行的相干辐射和自由电子激光研究提供实验数据；最后用实测的磁场对光学速调管自发辐射进行了数值模拟，结果表明这个光学速调管基本上满足实验要求。     

用ICCD作光开关测量储存环中光学速调管谐波超辐射

用高通断比ICCD作为快速光开关,在中国科学技术大学的800MeV电子储存环上建造了一套光学速调管谐波超辐射测量系统,从每隔106个自发辐射脉冲1个谐波超辐射脉冲所形成的脉冲链里选出超辐射脉冲,测量谐波辐射的相干增强因子和谱宽。     

用ICCD作光开关测量储存环中光学速调管谐波超辐射

 用高通断比ICCD作为快速光开关,在中国科学技术大学的800MeV电子储存环上建造了一套光学速调管谐波超辐射测量系统,从每隔106个自发辐射脉冲1个谐波超辐射脉冲所形成的脉冲链里选出超辐射脉冲,测量谐波辐射的相干增强因子和谱宽。     

光学速调管对电子储存环束流的影响

讨论了合肥800MeV电子储存环FEL光学速调管对束流发射度、能散度、阻尼时间、闭合轨道、横向振荡频率和扰动垂直方向聚焦等的效应,并给出了对Twiss参数扰动的补偿方法。     

光学速调管对电子储存环束流的影响

 讨论了合肥800MeV电子储存环FEL光学速调管对束流发射度、能散度、阻尼时间、闭合轨道、横向振荡频率和扰动垂直方向聚焦等的效应，并给出了对Twiss参数扰动的补偿方法。     

北京自由电子激光器的光学速调管结构

采用KMR方程,结合即将运转的北京自由电子激光器总体实验参数,对其光学速调管结构研究.详细分析计算输入功率、电子束能散度、色散磁场、漂移空间长度及位置、以及电子束流等参数对光学速调管增益的影响.基于北京自由电子激光器的振荡器结构,提出一组对电子束能散度要求适中的实用化光学速调管参数.并对其饱和功率、功率谱以及渐变摆动器进行分析.     

深度同步辐射光刻初探

ＬＩＧＡ技术被认为是制作微机械最有前途的方法，而ＬＩＧＡ技术较为关键的一步是深度同步辐射光刻。报道了深度同步辐射光刻的进展，刻蚀出了外圆直径为３８μｍ～３９μｍ，叶长约８μｍ，高约２５μｍ的扇叶状微结构元件。     

合肥800MeV电子储存环同步辐射特性

以石英卤钨灯作为光谱辐照度标准光源，测量了在３００－８００ｎｍ波段的合肥ＭｅＶ电子储存环同步辐射的相对光谱分布；并在４０５ｎｍ波长处测量了辐射源的角分布和偏振特性，在实验误差范围内，测量结果与理论计算值相符，相对光谱分布偏差为１．５％，角分布和偏振特性偏差小于５％。     

利用虚光子康普顿散射对同步辐射和回旋辐射的研究

从虚光子的康普顿散射出发,提出了一个同步辐射理论,其波长的计算结果与实验数据很吻合,该理论同时还解释了同步辐射的方向性和宽广的连续光谱等问题,并且当粒子的能量不大时,由该理论可以推出回旋辐射理论     

3W1永磁多极Wiggler的辐射特性

给出了北京正负电子对撞机(BEPC)同步辐射新组装的3W1 Wiggler束斑强度分布及光子束流的测量结果,并与理论计算作了比较,两者得出了一致的结果.     

同步辐射X光束空间相干性的物理分析

从量子力学的不确定原理出发，推导出光源相干性和光束相干性的关系，并应用所得的结论南步辐射Ｘ光束的空间相干性进行物理分析，讨论了Ｘ光相干我学实验对Ｘ光束的一些要求。     

上海光源同步辐射空间干涉仪研制

研制了上海光源同步辐射空间干涉仪,用于储存环束团横向截面尺寸及发射度的精确测量。对干涉仪工艺设计中的光路参数、关键设备选型、数据处理方法及数据采集处理软件结构进行了分析讨论。结合束流实验完成了系统调试及运行参数优化,结果表明,CCD增益系数与曝光时间设置对测量精度有显著影响,增益系数设为0 dB,曝光时间设为200 ms时,随机测量误差可控制在μm量级。对上海光源储存环横向束斑尺寸进行了精确测量,结果表明:空间相干度曲线近似为高斯分布,可以采用单一空间频率的相干度测量值进行快速束斑尺寸计算;水平束斑尺寸实测值为52.4 μm,与理论值预期值53.0 μm相比,差异小于2%;系统测量误差约为5.5%,主要误差来源为相干度随机测量误差。     

合肥同步辐射软X射线显微术研究

合肥国家同步辐射实验室首期建设的光束线之一用于软Ｘ射线显微成像研究。实验站现已装置初型的扫描透射Ｘ射线显微镜，并正在进行亲一代的扫描显微建设，同时还使同步辐射光进行接触软Ｘ射线呈微成像研究，并对选取的一些生物样品进行了成像试验。本文介绍了合肥同步辐射光源上软Ｘ射线显微术实验线站的建设及完成的一些实验结果。     

关于wiggler长波自发辐射的理论分析与数值计算

电子通过wiggler产生的辐射，除了短波辐射在轴线附近也有较强的长波辐射，在与轴线夹 角1/γ处达到最大.推导出wiggler长波辐射公式，理论分析了这种辐射的特点，并且将 理论分析的结果与数值计算的结果进行了比较.对在红外波长范围内电子束通过弯转磁铁和wiggler时产生的辐射强度和光通量作了计算，结果表明wiggler下的辐射强度和光通量均强 于弯转磁铁.比较了弯转磁铁的边沿辐射、波荡器的渡越辐射和wiggler长波辐射，表明wigg ler在红外波长范围辐射的性能最优. 关键词： wiggler 波荡器 弯转磁铁 长波辐射     

我国同步辐射小角X光散射装置

小角X光散射是当X光照射到物质上时发生的在原光束附近小角度范围内的电子相干散射,凡是存在纳米尺度的电子密度不均匀区的物质均会产生小角X光散射现象,因此它是表征纳米、多孔材料结构的理想手段。普通X光源产生的X光强度弱,限制了小角X光散射的应用,采用同步辐射为X光源,则可以大大提高X光强度。目前我国已建立同步辐射小角X光散射站,本文对其装置进行了介绍。     

同步辐射软X射线接触显微成像

软Ｘ射线显微术适合于自然状态下生物样品的高分辨率显微成像。软Ｘ射线接触显微术是Ｘ射线显微成像方法中最简单也是迄今唯一到接近理论分辨的方法。本文阐述软Ｘ射线接触显微成像的原理和方法，并报告用合理肥步辐射光源进行软Ｘ射线接触显微成像的一些实验结果。