Si（100）（2×1）表面光学二次谐波强度随温度的变化关系

通过测量基频光波长为１．０６４μｍ时几个不同掺杂类型和掺杂浓度的Ｓｉ（１００）（２×１）样品表面反射二次谐波强度随温度的变化关系，说明在此波长上二次谐波不是来源于表面耗尽场的影响，而是来源于表面态电子。Ｓｉ（１００）（２×１）表面反射二次谐波强度反比于温度的平方。本文提出了一个简单模型，给出了初步解释。     

光学二次谐波法研究银表面吸附吡啶分子的特性

在大气和超高真空环境下,用光学二次谐波法对银膜及抛光银表面吸附吡啶分子的实验研究表明,银膜表面存在的微尺度活性位对分子吸附起关键作用。 关键词：     

光学二次谐波法研究乙醇与吸附于银表面的分子态氧的相互作用

本文报道了在超高真空环境下,首次利用光学二次谐波法研究乙醇与预吸附分子态氧的多晶银表面相互作用的过程,发现乙醇与分子态氧的相互作用是由两个过程组成:一个是乙醇在表面因分子态氧的存在而导致的吸附增强过程;另一个是乙醇与分子态氧的反应过程。从测量这一体系的二次谐波信号升温谱,还可以得到乙醇与分子态氧作用强弱的信息。     

用低能电子衍射研究氢在Si(100)表面吸附引起的相变

描述了用低能电子衍射(LEED)研究不同温度下在Si(100)-c(8×8)表面吸氢引起的一系列相变过程。实验发现:在液氮温度下,在Si(100)-c(8×8)表面连续吸氢将引起表面经Si(100)-(4×1)-H向(2×1)-H最终向(1×1)-H转变;而在从700℃到室温间的不同温度下饱和吸氢,实验中观察到:Si(100)-c(8×8)表面将先转变至Si(100)-c(4×4)-H,然后至(2×1)-最终至(1×1)-H。     

碳吸附于Fe（100）表面的第一性原理研究

本文采用自旋极化密度泛函理论计算了清洁Fe（100）表面及C吸附于Fe（100）表面三种结构: p(2×2)、c(2×2)及p(2×1)。清洁Fe(001)表面只有弛豫,没有重构。吸附C原子的Fe表面体系,最稳定位置为四重空位,空位吸附的C原子实际上与Fe成五重键,这与实验相符。通过对c(2×2)表面结构的电子态密度计算,发现C原子的s、p态与表面Fe原子的d、p及s态都有不同程度的相互作用,成键的主要作用为C2p态与Fe3dx2-y2、3dxy 态的杂化。     

组装L-B膜光学二次谐波的实验研究

一种分子形成的多层L-B膜由于相邻层的分子取向相反而使非线性极化抵消,总的X~(2)=0.本文用光学二次谐波方法确定了带有不同极性基团的L-B单分子层的有效非线性系数的大小和符号,对有效非线性系数符号相反的两种单分子层交替组装,使相邻单分子层的非线性极化相互叠加,得到了具有较大二阶非线性系数的组装L-B膜.     

Ag/Si（111）超薄膜光学二次谐波强度变化与结构相变研究

在130-830K温度范围内,系统研究了Si（111）-√3×√3-Ag和Si（111）-3×1-Ag超薄膜重构表面的光学二次谐波的温度依赖性,分析了信号强度的变化和表面结构之间的关联.结果表明,对于Si（111）-3×3-Ag结构薄膜表面而言,在130K到320 K的温度范围内,表面光学二次谐波信号强度的变化中没有出...     

Ni(100)面上吸附原子的间接相互作用能

本文用紧束缚模型和单电子理论研究吸附原子间的间接相互作用能。讨论杂质的影响,发现掺杂Cu使相互作用能的峰值增大,峰的位置向耦合强度较大的方向移动;而掺杂Co情况则正好相反。利用相互作用能随吸附原子相对位置的变化,很好地解释了H和O在Ni(100)面上吸附时的层结构。还发现相互作用随耦合强度的减少呈现振荡衰减的趋势。 关键词：     

二次谐波中的饱和效应和乘性噪声

研究了单模激光中产生的二次谐波的统计性质,用全饱和激光理论导出了二次谐波光子计数ｍ的几率分布函数、二次阶乘矩和三次阶矩的表达式,同实验值比较,理论与实验在阈值附近符合得很好。研究结果表明,激光场基波和二次谐波的涨落随空腔衰减常数的增大而减小;当激光场中含有乘性噪声时,乘性噪声增强基波的涨落,同时抑制二次谐波的涨落。     

光学二次谐波混沌的控制

用方波控制法对光学二次谐波系统的混沌进行了有效的控制,通过对系统的最大李雅普诺夫指数（ＭＬＥ）的分析,给出了确定可控参数区的方法,证明适当的方波冲激强度和持续时间以及间隔时间可以使混沌得到稳定的控制,被控制系统的轨道是初始系统混沌吸引子中的不稳定周期轨道。     

原位二次谐波研究Si(111)电极/电解液界面

本文利用电势依赖的原位二次谐波方法(SHG)研究Si(111)电极界面. 研究发现Si(111)电极在不同方位角下,其不同的偏振组合的SHG强度曲线随外加电势的变化呈现直线型或抛物线型两种不同的线型. 这种电势依赖的SHG响应曲线的差别可以用Si(111)电极的各向异性和各向同性对SHG信号的贡献来解释. Si(111)电极的各向异性和各向同性的贡献主要源于Si(111)电极掺杂浓度的增加.     

Second Harmonic Generation from Electrically Polarized CdS_xSe_(1-x) Microcrystallite Doped Glass

1.IntroductionSecond--ordernonlinearopticalmaterialisonekindofthequitesignificantnonlinearmaterialswhichiswidelyusedinlaserandphotonicsyStems.Theoretically,themacrthscopicsecondharmonicgeneration(SHG)inmaterialswithinversionsymmetrysuchasglassesshouldbeforbiddenaccordingtononlinearopttes.However,Osterbergetal.LijandlaterTometal.[2]observedSHGfromtheGeOZ-dopedSiOZglassfibersilluminatedwithintense1.06Urnlaserbeamorwith1.06urnfundamentalandfrequency--doubledlaserbeamssimultaneously.Theyatt…     

Si(100)和蓝宝石(0001)衬底上3C-SiC的Raman研究

单晶Si和蓝宝石(0001)是两种重要的3C-SiC异质外延衬底材料，然而，由于Si及蓝宝石和3C-SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数失配度，在3C-SiC中会产生很大的内应力，直接影响3C-SiC的电学特性。Raman散射测试是一个功能很强的测试方法，其强度、宽度、Raman位移等有关Raman参数可以给出有关SiC晶体质量的信息，其中包括内应力。利用背散射几何构置的Raman方法研究了Si(100)和蓝宝石(0001)村底上LPCVD方法生长的SiC外延薄膜，在生长的所有样品中均观察到了典型的3C-SiC的TO和LO声子峰，在3C-SiC／Si材料中，这两个声子峰分别位于970．3cm-l和796．0cm-1，在3C-SiC／蓝宝石材料中，分别位于965．1cm^-1和801．2cm-1，这一结果表明这两种外延材料均为3C-SiC晶型。利用一个3C-SiC自由膜作为无应力标准样品,并根据3C-SiC／Si和3C-SiC／蓝宝石的TO和LO声子峰Raman位移相对于自由膜的移动量，得到3C-SiC中的内应力约分别为1GPa和4GPa。实验发现在这两种材料的TO声子峰的Raman位移移动方向相反，通过比较3C-SiC、Si和蓝宝石的热膨胀系数，预期Si衬底上的3C-SiC外延膜受到的应力为张应力，而蓝宝石衬底上3C-SiC受到的应力则为压应力。     

小型可调谐TEA CO2激光的二次谐波产生

利用国产的、尺寸为 7mm× 8mm× 12mm的AgGaSe2 晶体 ,实现了可调谐TEACO2 激光的二次谐波产生 ,得到了CO2 激光 10 .6 μm和 9.6 μm谱带的 12条谱线的二次谐波。最大的二次谐波输出能量达到 1.32mJ[10P(16 )谱线 ]。在 10P(18)谱线处获得的最大能量转换效率为 4%。     

透射共振对二次谐波产生的增强

为了提高二次谐波产生转换效率,本文提出将一维周期光学超晶格两端贴上未被极化的厚度可以改变的非线性介质层,通过调整附加介质层的厚度来调制基频波的场,从而观察二次谐波产生转换效率的变化情况.结果表明:基频渡场可以很大程度地调制二次谐波产生;随着能量的增加,二次谐波产生转换效率增加,随着能量的减小,二次谐波产生转换效率减小;...     

基于周期性极化铌酸锂倍频的光学电压传感方法

从光学电压传感器的原理出发,在周期性极化铌酸锂(PPLN)晶体倍频(SHG)效应基础上,提出了一种新的光学电压传感方法,讨论了周期性极化铌酸锂不同长度、不同占空比对该电压传感性能的影响,并给出了图示。结果表明：当周期性极化铌酸锂长度一定,在占空比为0．3或0．7时,灵敏度最高;在占空比趋于0．5,但不等于0．5时,电压测量范围最大;长度增加,灵敏度提高,但测量范围变小。这些结果为制作此类传感器提供了可靠的理论依据。     

PE－LiTaO_3波导中的切伦科夫培频

对用质子交换法生长的ＬｉＴａＯ３（ＰＥ－ＬｉＴａＯ３）波导特性进行了研究，并利用该种波导实现了由１．０６μｍ到０．５３μｍ的切伦科夫倍频转换（ＣＳＨＧ），转换效率为１２２％／Ｗ·ｃｍ２．倍频光束质量好，垂直波导面方向的发散角度为１．３ｍｒａｄ，平行波导面方向的发散角度为３．３ｍｒａｄ．     

Sr/Si(100)表面TiSi2纳米岛的扫描隧道显微镜研究

为了解半导体衬底与氧化物之间存在的相互作用,以及量子尺寸效应对不同再构体的影响,制备了1—2个原子层厚的TiSi₂/Si(100)纳米岛,并使用扫描隧道显微镜(STM)表征手段详细地研究了TiSi₂ /Si(100)纳米岛的电子和几何特性. 结果发现:这些纳米岛表面显示出明显的金属性;其空态STM图像具有典型的偏压依赖性:在高偏压下STM 图像由三聚物形成的单胞构成,并在低偏压下STM 图像显示为密堆积的图案,这些不同的图案反映出不同能量位的态密度有明显差异. 关键词： 2纳米岛')" href="#">TiSi₂纳米岛 Sr/Si(100)表面 扫描隧道显微镜     

准相位匹配扇形光栅铌酸锂光波导倍频绿光输出

采用外加电场极化方式对具有扇形光栅的 0 .5mm厚Z切铌酸锂晶体进行极化反转 ,制成了退火质子交换光波导。极化反转周期为 5 .8μm～ 6 .2 μm ,采用Nd∶YAG激光器输出的 1.0 6 4 μm连续激光为基频光波 ,实现了0 .5 32 μm倍频绿光输出 ,相互作用长度为 4mm ,耦入波导的基频光波功率为 10mW ,获得了 2 0 μW的绿色倍频光输出 ,归一化转换效率为 12 5 % (W·cm2 )。