MCM—C基板的设计与生产技术

介绍了高温共烧MCM－C基板的设计与生产技术,以及所解决的重点问题。     

MCM封装技术中的基板设计与分析

通过采用多芯片组件封装技术,将6种由不同集成电路工艺实现的不同类型的芯片集成在单个封装内,简化了系统设计,实现了产品小型化的目标。同时,还详细给出了Zeni EDA工具下的MCM基板设计流程以及MentorPCB环境下的多芯片组件热分析方法。     

MCM-C/D微波基板工艺技术研究

提出了一种新型的MCM-C/D微波基板研制方法,克服了低温LTCC基板微带线耐焊性差及附着力差的缺点。研究了MCM-C/D基板的膜层结构特征及制作过程的工艺控制方法,并给出相应的试验结果,这对于微波电路基板的设计和应用有一定的参考价值。     

多芯片组件（MCM）的封装技术

电子元器件（组件）的封装严重影响微电路的性能和可靠性,其成本约占IC器件的I／3,因此,封装的性能和成本对电子产品的竞争力影响很大,MCM封装是多芯片组件的重要组成部分,本文从构成MCM封装技术的材料选择,结构类型以及MCM封装的密封技术和冷却技术几个方面作一介绍。     

多芯片组件基板制造技术

多层基板是制作ＭＣＭ的关键技术，本文主要介绍ＭＣＭ＿Ｃ、ＭＣＭ－Ｄ和ＭＣＭ－Ｄ／Ｄ三种ＭＣＭ的基板制作技术。     

挠性基板的芯片级封装技术

挠性印制电路(FPC)在IC封装中的应用,推进了电子产品小型化、轻量化、高性能化的进程,同时也推动了FPC向高密度方向发展。本文概述了基于挠性印制电路的芯片级封装技术,包括平面封装和三维封装技术,以及芯片级封装技术的发展对挠性载板的影响。     

多层陶瓷基板产品研制与生产过程中的质量控制

本文主要介绍了在设计与生产多层陶瓷基板及管壳工艺过程中如何进行质量控制，并提出了出现问题时解决的方法。     

基于MCM-C工艺的3D-MCM实用化技术研究

基于MCM-C(陶瓷厚膜型)工艺,实现了三维多芯片组件(3D-MCM)封装。解决了多层基板制作、叠层间隔离及垂直定位互连等关键工艺问题。制作出层间为金属引线互连结构的3D-MCM样品。该样品具有体积小、重量轻、可靠性高等优点。经使用测试,样品的技术指标完全合格,使用情况良好。     

多芯片组件（MCM）的封装技术

电子元器件的封装严重影响微电路的性能和可靠性,其成本约占ＩＣ器件的１／３,因此,封装的性能和成本对电子产品和竞争力影响很大。ＭＣＭ封装是多芯片组件的重要组成部分,本文从构成ＭＣＭ封装技术的材料选择、结构模型以及ＭＣＭ封装的密封技术和冷却技术几个方面进行详细介绍。     

多芯片组件的封装技术

本文介绍了多芯片组件封装的结构类型，以及不同于混合微电路组件封装的典型要求；指出了多芯片封装常用材料，并以封装实例加以说明。     

AlN多层基板的研制

MCM技术推动了现代微电子技术迅猛发展,已广泛应用于各种通讯系统的收发组件之中。AIN基板作为MCM技术多层基板主流之一,由于其高热导率、与硅片匹配的热膨胀系数、高介电常数、兼容各种芯片组装工艺的优点,在各个领域均获得了广泛的应用。文章结合一个微波组件AIN基板的研制,阐述了在AIN基板研制过程中解决的工艺难点,如粉料配制、流延、层压、烧结等,对研制的AIN基板进行了物理性能与电性能测试,结果表明AIN基板完全可以满足大功率毫米波／微波组件的实用化要求。     

低温陶瓷共烧技术——MCM-C发展新趋势

介绍了目前国际上厚膜混合工艺技术的动态，指出了低温共烧陶瓷技术(LTCC)是MCM-C发展的重要趋势。探讨了国内MCM-C技术的现状，认为必须同IC技术保持紧密的联系，才能得到良好的发展。     

射频CO2激光陶瓷基板划片机光路设计及分析

介绍了RFCO2激光陶瓷基板划片的特点。分析了导光系统的设计原则,讨论了圆偏振镜和伽利略离焦望远镜的作用和特点。对导光系统进行了优化和模拟,给出了导光系统的光路图及成像质量图。试验结果和理论相符。利用该陶瓷划片机加工的氧化铝陶瓷基片可与国外同类划片机相媲美。     

高性能氮化铝陶瓷基片生产关键技术研究

文章主要介绍氮化铝陶瓷基片生产的关键技术。重点研究了原材料控制、氮化铝基片配方、成型工艺、烧结技术、磨抛技术等五个方面的因素对氮化铝陶瓷基片生产的影响以及解决措施。通过研究发现添加3%左右的Y2O3作为烧结助剂,同时采用低温段缓慢升温的方法可以极大地提高氮化铝陶瓷基片的烧成质量。我们的研究,优化了生产工艺,提高了氮化铝陶瓷基片的质量和生产的成品率。     

MCM-C中厚膜电阻的寿命分布及退化规律的研究

重点研究了MCM-C基板的可靠性，包括厚膜电阻、基板布线以及互连通孔。试验采取加温度应力与电应力的双应力加速寿命试验。试验中发现，厚膜电阻的退化先于基本布线和互连通孔，故厚膜电阻的退化在MCM-C基板可靠性中起主要的作用；重点讨论了厚膜电阻在热电应力下的失效规律及寿命分布，试验结果表明厚膜电阻的寿命分布服从威布尔分布。     

一种用于TDD通信模式的大功率射频开关

采用氧化铝陶瓷基板、硅外延法制作的PIN二极管芯片,MCM(多芯片组装工艺)技术设计的功率开关,在1～3GHz频带内插入损耗小于0.5dB,可通过CW功率60W,隔离度大于45dB,尺寸为8mm×8mm,解决了射频大功率开关量产困难的问题,在我国的TD-SCDMA移动通信网中得到了广泛应用。     

陶瓷封装恒定加速度试验的分析与改进

多芯片、模块及其系统级陶瓷封装结构复杂,封装腔内各种元器件不均衡布置,如何设计合适的恒定加速度试验固定夹具,保证筛选过程中既能发现结构缺陷又不损伤封装体,已经成为封装结构设计中的重要考虑因素,这也是机械可靠性验证不可或缺的内容。针对恒定加速度试验中几种固定方式存在的问题,通过仿真分析和试验改进验证,提出了确定系统级陶瓷封装器件恒定加速度试验的固定方法,有效消除了试验不当导致的误判,大大提高了试验的可信度。     

高频铜基板加工技术研究

随着高频接收机、大功率模块电源的快速发展,因高频铜基板有效兼顾了高频信号传输与导热性而作为一种最常见的金属基印制板被广泛应用。本文通过加工试验高频材料制作铜基板,总结出相应加工工艺并解决了加工中的难题,引入新的技术监测层压空洞问题,为高频金属基印制板的批量生产奠定了基础。     

我国LTCC多层基板制造技术标准现状及需求研究

介绍了我国LTCC（低温共烧陶瓷）技术的应用情况,以及国内外LTCC多层基板制造的设计、工艺、材料、设备、组装、检测等技术标准的现状,论述了LTCC制造业与技术标准的关系,分析了我国LTCC制造业对相关技术标准的需求。     

多芯片组件技术应用实例

给出了一个基于硅基板的6芯片MCM设计实例。设计中对散热、耐压及抗干扰等进行了优化,使用Zeni EDA工具进行MCM布局、硅基板的版图设计。该MCM经上海市集成电路设计研究中心测试,温升小于10℃、耐压达到70 V。