HDPE在冲击压缩下的结构变化

 为了调查聚合物在冲击波作用下的结构变化,对HDPE受冲击样品进行回收,并分析了其晶体结构和熔融过程。发现冲击波的主要效应体现为对晶粒的破碎、细化和取向作用,对晶格结构几乎没有影响。样品的热行为可由晶体形态的变化解释。     

冲击压缩下钨靶对514.5 nm激光的漫反射率

 在二级轻气炮上完成了一系列铜飞片平面碰撞钨靶的实验,并测量了钨靶在85~250 GPa的冲击压缩下,对波长514.5 nm入射激光的漫反射率。实验结果显示：冲击压缩使钨靶表面的漫反射能力降低,但不是单调下降的,并在165 GPa压力附近出现漫反射率相对增大的现象。     

冲击压缩下聚四氟乙烯电阻率及冲击绝热线的实验研究

 实验测量了国产聚四氟乙烯（SFB-1）在15~40 GPa冲击压力范围内的电阻率及冲击压缩线。主要的实验结果是：电阻率是冲击压力的单调递减函数，其数值在2.45×10⁵~1.73×10³ Ω•cm之间变化；冲击压缩线可用D=1.571+1.961u-0.0537u²表示（D，u分别为冲击波速度及粒子速度，单位均为km/s）。与其他作者发表的数据相比，发现不同制造厂家生产的聚四氟乙烯材料的电阻常数数值有一定的差别，但其以D-u关系表示的冲击压缩线没有出现可以察觉的变化。     

冲击压缩下金属的电导率测量

 探索了一种在兆巴压力冲击压缩下测量金属电导率的新方法——四电极垂向引线法，并用刻槽单晶蓝宝石作绝缘腔体，以消除分流效应对测量结果的影响。用二级轻气炮作为加载手段，测量了铁在终态平衡压力为101～208 GPa压力区间内的电导率（电导率从1.45×10⁶ S/m变化到7.65×10⁵ S/m）。将测量铁电导率的压力范围扩展到了200 GPa以上。实验结果表明，关于金属电导率的Bloch-Grüneisen公式在高达200 GPa冲击压力下仍然有效（对于ε-铁）。     

钕铁硼的冲击压缩特性

 利用二级轻气炮对恒磁体钕铁硼进行冲击压缩,采用阻抗匹配法进行测量,获得了平均初始密度为7.346 g/cm³的钕铁硼Hugoniot关系数据。实验结果表明,该种钕铁硼在19~78 GPa范围内,其D-u_p满足线性变化关系,即：C₀、λ分别为3.686 km/s、1.059,是一种稳定的压缩过程,其间没有相变产生。而较小的λ值表明该种钕铁硼材料偏向于疏松体结构,且容易被压缩。同时实验结果也为其状态方程和脉冲功率源等方面的研究工作提供了可资参考的实验参数。     

冲击压缩下金属钯的结构相变

钯作为典型高压标定材料,研究其在极端条件下的结构变化以及热力学性质具有广泛需求并充满了挑战,特别是冲击加载下钯的固-固相变过程研究仍然匮乏.本文基于嵌入原子势,使用经典分子动力学方法从原子角度揭示了冲击载荷加载下钯的结构相变路径,在0—375 GPa的压力区间观察到一系列复杂的结构转变特征,从初始的面心立方(FCC)结构,至带密排六方(HCP)结构的层错体心立方(BCC)结构,直至完全熔化.在沿<100>晶向冲击下,在70.0 GPa发现了FCC-BCC相变过程,远低于之前研究中静高压的结果.此外,还发现了冲击方向依赖的相变点,在沿着<110>及<111>晶向冲击时FCC-BCC相变压力分别增加至135.8和165.4 GPa,同时相比完美晶体,引入缺陷会使FCC-BCC相变压强值有20—30 GPa的增幅,并通过势能分布的分析予以验证.本文发现冲击加载下钯的FCC-BCC相变压力大大降低的特殊现象,为钯在高压实验等极端条件下的应用提供了新的理论认识.     

碳水混合物冲击压缩特性研究

 利用二级轻气炮加载技术研究了碳水混合物的冲击压缩特性。研究发现：冲击压力p低于19.0 GPa时，石墨与水混合物冲击压缩特性明显不同于金刚石与水混合物的冲击压缩；p大于23.0 GPa后，它们的特性十分接近，这说明有较多的石墨转变为金刚石；当p为52.9 GPa时石墨与水混合物的冲击压缩特性出现明显偏离，这和高压下碳水混合物产生气体成份有关。     

贴片晶振在冲击环境下的损伤边界

贴片式石英晶体振荡器广泛应用于各类电子和通信设备系统中。针对晶振在冲击环境中容易出现结构破坏而导致系统工作异常的问题,通过分析单自由度系统在不同频率冲击载荷作用下的响应特点,建立了结构的应力响应水平与相关冲击响应谱谱值之间的联系,获得了较已有结论更合理的损伤边界形式。根据典型晶振结构易损组件的力学特性建立对应的简化分析模型,得到了贴片晶振在大频率范围内的结构损伤边界。利用有限元仿真软件,对晶振结构在0.5~30 kHz频率范围内冲击载荷下的响应进行仿真分析,验证了该损伤边界的有效性。这也为以贴片晶振为代表的微小元器件在冲击环境下的可靠性研究提供了一种可行的方法。     

测量冲击压缩下绝缘材料电阻率技术的一个改进

 对A. C. Mitchell等的测量冲击压缩下绝缘材料电阻率的技术做了改进，其主要之点是，在测量电路中增加了一个记录冲击波进入试件的电支路，并在新支路中串接一个基准电阻。这样做的好处是：（1）便于提高试件电阻信号的电平，或提高试件电阻的可测上限范围；（2）可以用基准电阻的实测值对试件的实测电阻值进行校核；（3）可以同时测得试件中的冲击波速度值。文中还以聚四氟乙烯材料的实测结果为例，对本方法的特点做了初步讨论。     

PZT－95／5压电陶瓷的冲击波活化改性研究

研究了冲击波对ＰＺＴ－９５／５压电陶瓷的活化改性作用，对ＰＺＴ－９５／５粉末及块状材料进行动态冲击波加载。实验表明：在合适的条件下，冲击波作用可提高样品的密度ρ，压电应变常数ｄ３３，介电常数ε，降低介电耗损系数ｔｇδ％。通过对样品进行Ｘ射线衍射，扫描电镜ＳＥＭ、透射电镜ＴＥＭ和Ｘ射线光电子能谱ＸＰＳ等微观测试分析，揭示了冲击波改性的机理主要是：晶粒细化，晶界破坏，孔隙增多，缺陷增多，相变产生等，从而达到对样品改性的作用     

激光表面改性及其应用

激光表面改性技术在改善材料表面性能,提高材料使用寿命方面具有突出的优越性.本文介绍了在工业应用中比较常见的激光硬化、激光表面合金化、激光熔覆,并在此基础上展望了激光表面改性技术的发展前景.     

1.06μm激光对PC型HgCdTe探测器的破坏阈值研究

 通过用1.06μm连续波YAG激光对PC型HgCdTe探测器的辐照实验研究, 给出了激光对单元和多元PC型HgCdTe探测器的不同部位辐照的破坏阈值。对工作电流对破坏阈值的影响进行了一定的分析。对测量结果进行了讨论。     

高压下的Ge和Si的相变

 本文采用赝势方法研究Ⅳ族元素Ge和Si宰高压下的共价键－金属相相变，计算了状态方程、相平衡压力、体积跃变量及其金属相的超导临界温度。结果表明，理论与实验符合都比较好。     

T1系单相超导材料的高氧压合成及压力对超导性的影响

 系统地研究了在0~3 MPa氧压下T1系超导材料的制备过程及其超导性质。结果表明：0.25~0.90 MPa氧压下所制备的样品为纯2223相，T_c0最高可达125.3 K；1.45~3.00 MPa氧压下样品为纯2212相，T_c0在95~100 K之间；0.90~1.45 MPa氧压下样品为2223及2212两相共存。对两种单相样品的高压研究结果表明，2223相样品比2212相样品有着较强的压力效应，在0~0.52 GPa压力下分别为4.0 K/GPa及2.0 K/GPa。     

一种间接测量圆柱形管内样品冲击波压力的方法

 描述了一种联合使用锰铜计和康铜计间接测量柱对称滑移爆轰条件下，金属管内样品中冲击波压力的方法。给出了冲击压缩方法合成纤锌矿型氮化硼（wBN）时的测量结果。结果表明：管内样品中压力范围大致在11.5~22 GPa范围内，满足冲击波合成wBN所需的压力条件；管内样品压力的发展变化具有不连续性。证明了这种间接测量管内压力的方法是可行的。     

材料预加热冲击压缩实验技术及高温下不锈钢的动态响应

 建立了用于轻气炮上冲击压缩实验的材料预加热系统及相关实验技术。介绍这一系统的原理、构造及操作。利用这一系统，在加载幅度8 GPa的恒定载荷下，得到了初始温度300～980 K范围内HR-2抗氢不锈钢的动态响应特性，包括层裂强度、Hugoniot弹性极限、卸载声速及它们随温度的变化规律。     

高温超导体低温、高压下的物理性质的研究

 在3~20 GPa压力范围内，测量了含氧量较低的YBa₂Cu₃O_7-δ（δ=0.46）单晶压力增强效应（dT_c/dp=4.9KGPa^-1）；YBa₂Cu₃O₇（T_c0=90 K）单晶在压力下临界电流密度随压力变化；外磁场H=30 kO_e时，T_c与磁场、压力关系；压力达16.5 GPa下，Bi₂Sr₂CaCu₂O_x单晶T_c(p)关系（dT_c/dp=-0.4 KGPa^-1）。发现Y系高温超导体的温度压力导数dT_c/dp与T_c0中间呈dT_c/dp=b-mT_c0线性关系（b、m为常数）。结合压力下Y系超导体结构相变和含氧量对T_c影响，分析这类超导体T_c有很强的正压力效应的原因。把实验结果同几种超导电性微观理论模型进行了分析和比较。     

氧化物超导体的高压热处理及烧结

 本文利用高温高压条件，对氧化物超导体进行了不同条件的高压热处理及烧结。发现对SrLa(CuAg)₁O_x在空气中烧结的超导体，适当条件的高压热处理，使T_c从20 K提高到28 K。在Y₁Ba₂Cu₃O_7-δ系氧化物中，无论是对空气中烧结的已超导样品的高压热处理，或者直接在高压下烧结样品，均未使T_c得到提高，但是，经过高压烧结，超导样品的硬度显著提高，密度也有所增加，并且改变了超导相的晶格常数。