氢对非晶态Y_5Ni_(95)合金膜的磁性和电子输运性质的影响

采用电解法实现了非晶态Y,Ni_(95)合金的加氢。在1.5—400K温度范围内测量了a-Y,Ni_(95)H_x(x=0—15.1)合金的磁矩、电阻率和霍耳电阻率随氢含量的变化关系。结果指出,随氢含量增加,样品的0K磁矩、居里温度和电阻率温度系数显著下降,而高场磁化率、电阻率和反常霍耳系数则迅速增加。借助现行的理论对加氢引起的上述影响进行了简要的讨论。     

氢对非晶态Y5Ni95合金膜的磁性和电子输运性质的影响

采用电解法实现了非晶态Y,Ni₉₅合金的加氢。在1.5—400K温度范围内测量了a-Y,Ni₉₅H_x(x=0—15.1)合金的磁矩、电阻率和霍耳电阻率随氢含量的变化关系。结果指出,随氢含量增加,样品的0K磁矩、居里温度和电阻率温度系数显著下降,而高场磁化率、电阻率和反常霍耳系数则迅速增加。借助现行的理论对加氢引起的上述影响进行了简要的讨论。 关键词：     

电子型超导体Gd掺杂的输运性质研究

在CuO_2平面以外的阳离子格点通过改变Gd含量引入了无序.研究了Nd_(1.85-x)Gd_xCe_(0.15)CuO_4单晶的电阻率ρ、霍耳系数R_H和热电势S.霍耳系数R_H的测量证明这种名义掺杂的改变并没有明显改变载流子的密度.热电势S(T)在120 K以上可用一个掺杂的半经验模型来分析,结果表明存在电子的窄能带和宽能带的共存.无论是电子态密度的带宽和有效电导率的带宽都随着x增加,而局域化的趋势随Gd掺杂增加明显增强.Gd掺杂对超导转变温度T_C的抑制作用很显著.在二维剩余电阻率ρ02D增加超过临界值h/4e~2时没有发生超导-绝缘体转变,观察到的却是超导和局域化的共存效应.量子干涉效应不可以定性地解释Gd掺杂对于电子型超导体的超导转变温度T_c的抑制.     

利用霍耳效应测量电磁场功率的简便方法

根据霍耳电磁效应原理而工作的半导体器件,确有很多的特点。如利用霍耳半导体器件制成的传感器可以测量电磁场功率,又能工作在低频、声频和微波频段。一、测量原理如图1所示,将一块半导体放置在垂直于它的磁场中,在半导体的A、A′两侧产生的霍耳电位差U_x,在磁场不太强时,与     

CuO面外Sm掺杂对电子型超导体的影响北大核心CSCD

研究了Nd1.85-x Smx Ce0.15CuO4单晶的热电势S、霍耳系数RH和电阻率.在CuO2平面以外的阳离子格点引入无序,其程度是通过改变Sm含量来控制的.霍耳系数RH的测量证明这种名义掺杂没有改变载流子的密度.热电势S(T)在120K以上可用掺杂的半经验模型来分析,表明有电子的窄能带和宽能带的共存.在这个模型中,无论是态密度的带宽和有效电导率的展宽都随着x的增加而增加,而局域化的趋势随Sm掺杂增加而几乎不变.Sm掺杂对超导转变温度TC的抑制作用很小,这意味着超导TC可能与载流子局域化和巡游电子的能带结构有关.     

克里青（Klitzing，Klaus Von，1943-）德国物理学家（Physicist，Germany）

霍耳效应是一种电磁效应。将通有电流的导体或半导体置于与电流方向垂直的磁场中，在垂直于电流和磁场的方向上会产生一横向电场。从霍耳系数的正负和大小可以判断载流子的类型和浓度。霍耳系数与载流子的浓度成反比，半导体的霍耳系数比金属大得多。1980年，克里青发现了量子霍耳效应。他在研究处于超强磁场和超低温度之下硅的金属一氧化物-半导体场效应管的霍耳效应时，观测到霍耳电阻随外加磁场的变化曲线上出现多个平台，其电阻值与半导体材料的种类、器件制造和结构无关，而是取普适值，通过基本物理常量表示为h／ie^2.     

两级非磁性超高压装置

本文首次报道一种用于高压下电磁现象研究的两级非磁性超高压装置,描述了其结构原理和设计概要。这一装置目前达到的最高调试压力为28kbar,这是完全流体静力学的压力。利用本装置,已在0—25kbar的压力范围内进行了锑化铟、锗、碲镉汞等的电阻率和霍耳系数随压力变化的测量,对于这些材料能带结构和迁移率特性随压力变化,已获得令人满意的结果。 关键词：     

FexSn100-x合金颗粒薄膜的反常霍耳效应

采用离子束溅射的方法制备了一系列不同原子比的FexSn100-x合金颗粒膜,系统地研究了该体系的反常霍耳效应.在该薄膜中发现了铁磁金属/非磁金属体系中最大的霍耳电阻率,讨论了不同原子配比、薄膜厚度对霍耳效应的影响.通过研究饱和霍耳电阻率ρxys同电阻率ρxx的关系,讨论了反常霍耳效应的机理.     

n-Hg0.80Mg0.20Te界面积累层中二维电子气的输运特性研究

通过变磁场霍耳测量研究了MBE生长的Hg_0.80Mg_0.20Te薄膜在15 —250K温度范围内的输运特性.采用迁移率谱(MS)和多载流子拟合过程(MCF)相结合的方法对 实验数据进行了分析,由该方法获得的结果和Shubnikov de Hass(SdH)振荡测量的结果都证 明材料中存在二维(2D)电子和三维(3D)电子.其中2D电子主要来自于Hg_1-xMgxTe-CdTe的界面积累层或Hg_1-x关键词： 变磁场霍耳测量 界面积累层 二维电子气 1-xMg_xTe')" href="#">Hg_1-xMg_xTe     

InSb薄膜的霍尔效应测量

霍尔系数和电阻率随温度变化的测量是近代物理的基本实验之一．通过测量可判断半导体材料的类型，并得到材料的一些重要参数，例如载流子浓度和运尔迁移率等等．在一般的教学实验中常用单晶锗或硅作为样品．随着半导体技术的发展，用外延工艺研制的单晶薄膜材料已成为一种重要的半导体材料．我们得到了几块用这种工艺生长的N型Insb（锑化铝）薄膜材料，测量了它们的合尔系数和电阻率，并求出其载流于浓度和霍尔迁移率．可以看出这种材料的霍尔迁移率比硅和锗材料要大得多．实验中发现个别薄膜材料在低温时的电子霍尔迁移率低于常温时的值，…     

自来水电阻率的测定

给出了自来水电阻率测量的一种方法,并做了具体测量;通过测量不同温度下的电阻率,研究它的温度系数α.     

三维感应成像测井仪设计与实现*

砂泥岩薄互层电阻率准确测量是提高泥质砂岩储层计算的一项重要工作。为了解决薄互层电阻率准确测量问题,该文提出一种三维感应成像测井仪的设计与实现方法。首先,基于感应电磁测量方法,设计由1个三轴发射器、4个单轴接收阵列和3个三轴的接收阵列组成的三维探测器。在此基础上,通过三维线圈系参数与结构创新设计、多频循环发射、高精度多道同步采集、高性能发射接收一体化集成等技术实现,在每一个深度点可获取78个电导率测量值。最后,利用数据校正与处理技术来消除各种环境影响,经过理论模型和实际资料的处理结果均证实,该仪器处理得到5条不同径向探测深度的水平电阻率与垂向电阻率、地层倾角等曲线,实现了对薄互层电阻率的准确测量。     

霍耳效应与磁流体发电

 1879年,霍耳(E.H.Hall)发现,将一导电板放在垂直于板面的磁场中(见图1),当有电流通过时,在导电板的A和A′两侧会产生一个电势差UAA',这种现象称为霍耳效应。实验表明,霍耳电压UAA'与电流强度I和磁感应强度B成正比,而与导电板的厚度d成反比,即UAA'=KIdB式中比例系数K称为霍耳系数。霍耳效应是因外加磁场使漂移运动的电子或别的载流子发生横向偏转而形成的,运动电荷在磁场中所受的力称为洛伦兹力。磁流体发电是利用热离子气体(或液态金属)等导电流体与磁场相互作用,把热能直接转换成为电能的发电方式,它所依据的就是等离子体的霍耳效应。     

利用真空变温薄膜电阻实验仪测量热电材料特性参数

利用北京交通大学理学院自主开发的VTR10型真空变温薄膜电阻实验仪对热电材料的热电阻率进行了多次测量,并用该装置精确测定了热电材料的塞贝克系数,得到了热电材料的电阻率随温度变化的曲线和塞贝克系数随温度变化的曲线.     

在瞬态加热条件下测定低温炭化烧蚀材料导热系数的实验研究

低温炭化烧蚀材料的导热系数随材料的结构、工艺及使用中加热速率的不同而变化。我们采用非稳态的测试方法,利用等离子体射流加热试件,造成近于真实的烧蚀环境,得到比较真实的导热系数。 测试原理 烧蚀后的低温炭化防热材料一般分为炭化区、热解区和原始材料区。经过简化假定,可以列出描述这三个区域物理模型的微分方程。原始材料的导热系数直接影响防热层的温度分布,但若利用三个区的整套方程通过多次计算来摸清它的准确影响,不但计算量过大,而且也无法排除许多其它因素的影响。因而我们按下述原理拟定试验     

Al_xGa_(1-x)As/GaAs 异质结界面上二维电子气量子霍耳效应的测量

我们利用分子束外延技术生长的 Al_xGa_(1-x)As/GaAs 调制掺杂异质结材料做成霍耳测量样品,在 T=2K 的温度下及 B=4～5T 的磁场中进行了测量,得到 i=2时的量子霍耳电阻 R_H=12906.4±0.1Ω,总误差小于8ppm.     

顶端加载、温度范围在300～1.4K的多功能交流测量恒温器

本文介绍了一台用于交流小讯号测量的低温恒温器.利用内液池减压,最低温度可达1.370K,并且在测量功率为0.15mW时,内液池液氦可以维持样品温度在1.4K达20小时以上.系统装置了在8T的背景磁场内最高可达0.18T的交变调制场,从而可以实现利用双交流法精细测量磁阻或霍耳系数随磁场变化的函数关系.试验结果表明,此恒温器具有低液氦蒸发量和可从1.3～300K连续控温的特点.用此装置对Co膜的霍尔系数测量的实验中,霍尔电压变化量的测量精度达到了0.5nV.     

FexSn100-x合金颗粒薄膜的反常霍耳效应

采用离子束溅射的方法制备了一系列不同原子比的Fe_xSn_100-x合金颗粒膜，系统地研究了该体系的反常霍耳效应.在该薄膜中发现了铁磁金属/非磁金属体系中最大的霍耳电阻率，讨论了不同原子配比、薄膜厚度对霍耳效应的影响.通过研究饱和霍耳电阻率ρ_xys同电阻率ρ_xx的关系，讨论了反常霍耳效应的机理. 关键词： 反常霍耳效应 xSn_100-x薄膜')" href="#">Fe_xSn_100-x薄膜     

超导体与磁体间的三维磁力及磁场测试装置研制

本文研制的三维磁力测试夹具和三维霍耳探头,可以实现:1)直接测量出磁体与磁体、磁体与超导体等之间的三维磁力随两者之间相对位置的变化规律;2)直接测量出任何磁体或组合磁体在空间的三维磁场分布;3)通过将三个三维霍尔探头或九个单独的霍尔探头分别按研究内容的需要固定在所要研究的空间区域,再改变磁体与磁体之间、或磁体与超导体等之间的相对位置,从而在测量出它们之间的相互作用力的同时,测量出由于它们之间因相对位置改变而引起的动态磁场分布变化;还可以得到磁体接近超导体时磁场进入超导体的动态变化规律等.该套测试装置,将工作效率提高到原来的300%以上.这对研究磁性材料的宏观磁性质具有非常重要的意义.     

高居里温度PTCR半导体陶瓷及其制备

具有高铁电居里温度 Tc的(Ba1-xPbx)TiO3系材料是正温度系数热敏电阻(PTCR)陶瓷.它是一种理想的高温、恒温发热体材料.可用它制作中、小型加热、烘烤设备(如暖风机、自动恒温电烙铁、电热杯、电吹风、恒温电烫斗等各种加热器件),还可用它制成过热和过流保护元件以及控温元件.用该材料制成的器件,升温迅速,能自动恒温,耗电少,寿命长. PTCR陶瓷属于多晶铁电半导体.该陶瓷的阻温特性曲线如图1所示.当开始在陶瓷体上施加工作电压时,温度低于 Tmin,陶瓷体呈负电阻温度系数特性,随着温度的上升,电阻率下降,电流增大.由于ρmin很低,故有一大…