原材料Y_2O_3的结晶性对Y_2O_2S∶Eu~(3+)发光特性的影响

为进一步提高Y2O2S∶Eu3+的发光性能,采用改善主要原材料Y2O3结晶性的方法,使Y2O2S∶Eu3+红色荧光粉在20 kV和25 kV下发光强度分别增强5%和10%,且不影响色度、粒度、粉体分散性等主要考核指标。提高了粉体的耐电压特性(发射强度与激发电压间的关系特性)。讨论和分析了发射强度增强、电压特性改善的原因:主要原材料Y2O3的结晶性的改善,使得合成的Y2O2S∶Eu3+具有更好的晶体质量,Eu3+离子晶场环境得到进一步改善,从而减弱了无辐射过程及因晶格畸变所造成的能量损失,发光效率得到增强,电压特性得到改善。实验表明,获取高质量多晶Y2O3的最佳分解温度为1400℃左右。     

Y2W3O12:Eu的合成及其发光特性

介绍了Y2W3O12:Eu的发光特性,与其它彩色电视用红粉进行了比较。Y2W3O12:Eu作为彩色电视用红粉具有最好的发射光谱,在254nm紫外线激发下具有优良的温度特性。介绍了合成Y2W3O12:Eu的两种基本方法,讨论了合成条件对亮度的影响,并对这两种方法进行了比较。     

原材料Y2O3的结晶性对Y2O2S:Eu3+发光特性的影响

为进一步提高Y2O2S：Eu^3＋的发光性能,采用改善主要原材料Y2O3结晶性的方法,使Y2O2S：Eu^3＋红色荧光粉在20kV和25kV下发光强度分别增强5％和10％,且不影响色度、粒度、粉体分散性等主要考核指标。提高了粉体的耐电压特性（发射强度与激发电压间的关系特性）。讨论和分析了发射强度增强、电压特性改善的原因：主要原材料Y2O3的结晶性的改善,使得合成的Y2O2S：Eu^3＋具有更好的晶体质量,Eu^3＋离子品场环境得到进一步改善,从而减弱了无辐射过程及因晶格畸变所造成的能量损失,发光效率得到增强,电压特性得刮改善。文验表明,获取高质量多晶Y2O3的最佳分解温度为1400℃左右。     

超细Y2O3：Eu荧光粉的阴极射线发光和光致发光

本文首次报道由尿素溶胶法制备的球形、超细(120~250nm)高效Y2O3:Eu红色荧光粉的晶体结构及其阴极射线发光和光致发光性质.这种超细颗粒在254nm激发时的发光强度比商用的传统微米样品低.但在中等电压(≤10kV)的电子束激发下,其阴极射线发光强度超过商用微米样品.这种接近纳米的Y2O3:Eu超细颗粒已表现出较强的表面效应.对实验结果进行了分析和讨论.     

三价铕激活的(Y,La)2O2S二元体系的发光

为了寻找新的荧光粉基质料材,本文研究了在阴极射线、紫外线和X射线激发下,三价铕激活的(Y,La)2O2S二元体系的发光亮度、发射光谱和发光颜色等发光特性随组成变化的规律,并研究了三价铕离子浓度对(Y0.9La0.1)2O2S体系发光性能的影响。     

Y(PV)O_4:Eu~(3+)荧光粉表面包覆Y(OH)_3的性能

采用化学共沉淀法对Y(PV)O4∶Eu3+荧光粉进行表面包膜处理,获得了表面均匀包覆Y(OH)3膜层的Y(PV)O4∶Eu3+荧光粉。用SEM、XRD等手段对其表面形貌、晶格结构性能进行了表征。结果表明:在Y(PV)O4∶Eu3+粉体表面均匀包覆Y(OH)3膜层后,Y(PV)O4∶Eu3+的晶格结构、发光性能没有改变,亮度较未包覆的荧光粉有较大提高,且没有发生色坐标偏移现象。     

Y2O3双掺杂Eu3+,Tb3+的光谱性能及能量传递过程

采用溶胶凝胶法制备不同配比的Y2O3∶Eu3+、Y2O3∶Tb3+和Y2O3∶Eu3+,Tb3+荧光粉.并通过XRD、SEM和激发、发射光谱对其结构和发光性能进行了研究,用能级图解释了激活剂之间的能量传递关系.结果表明,材料结晶良好,粒度分别为20、31nm和17nm左右,样品形貌类似片状结构.(Y110Eu)2kO3和(Y110Tb)2kO3配比时相对发光强度最高.而共掺杂时,存在着强烈的Eu3+向Tb3+的能量转移,导致红色发光强度的降低而敏化了绿光和蓝光的发射.分析可知,除了激活剂的含量对发光性能有强烈的影响之外,不同的激发波长对体系混合光的形成有很大的影响.当在305nm的激发波长下,可以得到红绿蓝混合光,实现了通过一种荧光粉的激发,发射出近白色的光.为改变灯用三基色荧光粉的组成并降低成本奠定了有利的实验基础.     

Eu2+的掺杂浓度对BaAl2Si2O8:Eu2+荧光粉发光特性的影响

采用化学共沉淀法一次煅烧工艺合成了BaAl2Si2O8:Eu2+蓝色荧光粉.用X射线衍射仪和荧光分光光度计等对BaAl2Si2O8:Eu2+蓝色荧光粉的相结构、发光性能进行了测试.结果表明:化学共沉淀法一次煅烧工艺合成的BaAl2Si2O8:Eu2+蓝色荧光粉为单相;其激发光谱分布在240-410 nm的波长范围,峰值位于320 nm处,可以被InGaN管芯产生的350-410 nm辐射有效激发;在365 nm近紫外光的激发下,测得其发射光谱是位于465 nm附近的宽带峰.BaAl2Si2O8:Eu2+蓝色荧光粉的发光强度随Eu2+浓度的增大逐渐加强,当Eu2+掺杂的摩尔分数为3.5%时,发光强度达到最大值,而后随掺杂浓度的增加而减小,发生浓度猝灭;根据Dexter能量共振理论,该浓度猝灭是由于Eu2+的离子间交换相互作用引起的.     

新型FED荧光粉MSi2N2O2∶Eu2+(M=Sr,Ba)的发光性能

采用高温固相法合成了一系列新型绿色FED(Field Emission Display)荧光粉MSi2N2O2∶Eu2+(M=Sr,Ba),研究了该荧光粉在不同电压和电流密度下的发光特性.在电子束激发下,SrSi2N2O2:Eu2+的发射主峰位于541 nm,属于黄绿光发射;BaSi2N2O2∶Eu2+的发射主峰位于4...     

Ce3+/Eu2+共掺Ca3Si2O4N2荧光粉的光学特性

采用高温固相法制备了一种新型的白光LED用Ca3Si2O4N2∶Eu2+,Ce3+,K+荧光粉。利用X射线衍射仪对样品的物相结构进行了分析,结果表明:Ce3+和K+离子的掺杂没有改变Ca3Si2O4N2∶Eu2+荧光粉的主晶相。利用荧光光谱仪对样品的发光性能进行了测试,发现样品在355 nm激发下得到的发射光谱为峰值位于505 nm的单峰,是Eu2+离子5d-4f电子跃迁引起的。Ca3Si2O4N2∶Eu2+荧光粉通过Ce3+和K+离子的掺杂,发光明显增强。当Ce3+的摩尔分数为1%时,荧光粉的发光强度达到最大值,是单掺Eu2+离子荧光粉发光强度的168%。通过光谱重叠的方法计算Ce3+→Eu2+能量传递临界的距离为2.535 nm。     

ZnO:Zn低能电子发光的亮度饱和

本文讨论了ZnO:Zn低能电子发光亮度饱和的物理原因。指出,在Vg=Va(通常数字显示的情况)的条件下,亮度饱和的主要原因是ZnO:Zn次级电子发射和阴极发射疲劳;若取Vg=Va,则饱和亮度成倍提高,这时热猝灭将是亮度饱和的主要因素。同时指出,对于一定的输入功率,存在着一个与最佳效率相对应的最佳阳极电流密度;低阳极电流密度,高阳极电压往往是低效率的。作者根据本文的研究结果,制成了饱和亮度高达37,000cd/m2的发光管和饱和亮度为22,000cd/m2、能在5,000至10,000cd/m2稳定工作的高亮度数字显示管。后者配上适当的滤光片、在阳光直接照射或照度高达100,000lux的条件下仍能清晰地阅读。     

1keV以下的电子荧光及四极彩色荧光显示器结构探讨

本文分析了开发彩色荧光显示器(VFD)所存在的问题;论述了带螺旋端点阴极、前发光型四极平板VFD的结构;探讨了在新型VFD中使用Y2O2S:Eu、ZnS:Cu,Al和ZnS:Ag为三基色发光材料、在阳极电庄≤1keV时实现彩色显示的原理,并给出了一个有十二种发光颜色的频谱显示器件的实例.     

Anregung von Zinkoxyd durch langsame Elektronen

Under excitation with monochromatic electrons luminescence of a ZnO phosphor starts with a screen voltage of 2.8 volts (contactpotential 2.4 v) i.e. with an impact energy of 0.4 eV. A flattening was found in the rise of the fluorescence for screen voltages between 7 and 10 volts. This can be considered as an interaction of the incoming electron with the lattice electrons. The quantum efficiency of electrons having an energy of 10 eV was about one light quantum per 200 electrons. The work function of ZnO was found to be 4 eV.     

Dual mode emission and harmonic generation in ZnO-CaO-Al2O3: Er nano-composite

Er³⁺ doped ZnO-CaO-Al₂O₃ nano-composite phosphor has been synthesized through combustion method and its emission and harmonic generation properties have been studied. The X-ray diffraction and thermal analysis techniques have been used to prove the dual phase (ZnO and CaO-Al₂O₃) nature of the phosphor. The phosphor has shown up-conversion emission on near-infra-red (976 nm) excitation and down-conversion emission on 355 nm excitation in presence of Er³⁺ and thus behaves as a dual mode phosphor. On excitation with 976 nm diode laser, material shows color tunability (calcination of composite material at different temperatures). Formation of ZnO nanocrystals on heat treatment of as-synthesized sample has shown its characteristic emission at 388 nm and also the energy transfer from ZnO to Er³⁺ ions. The low temperature emission measurements have been carried out and the results have been discussed. Phosphor has shown strong second harmonic generation (SHG) at 532 nm on 1064 nm and at 266 nm on 532 nm excitation.     

薄膜电致发光器件中SiO2加速作用的直接证据

本文通过包含CdS层的薄膜电致发光(TFEL)器件的有关特性的研究,直接证明了SIO₂对CdS中产生的电子有良好的加速作用,并获得了阈值电压低、B-V特性好,亮度较高的红色TFEL器件.我们将硫化镉蒸镀于电致发光器件中,测量这些器件的电学和光学特性,发现含CdS的样品的传导电荷明显大于不含CdS的样品,这说明硫化镉层可以提供较多的电子.但是,样品ITO/SiO₂/ZnS:Sm³⁺/SiO₂/CdS/Al的发光效率低于不含硫化镐的样品,这说明这些电子在进入ZnS层的过程中能量有所降低.为了提高这些电子的能量,我们制备了样品ITO/SiO₂/ZnS:Sm³⁺/SiO₂/CdS/Al,使硫化镉中产生的电子先经过SiO₂层,再进入发光层.测量结果表明这一样品的最大亮度和发光效率与上述含硫化镉的样品相比分别提高了2.5个和0.5个数量级,与不含硫化镉的样品的亮度接近,但其阈值电压较低,亮度-电压(B-V)曲线上升部分较陡,且有一段饱和区.在这一样品达到饱和的电压下,不含硫化镉的样品才刚刚起亮,这说明该样品的发光主要是由于硫化镉增加的电子数目对发光的贡献.同时这些电子在SiO₂中得到了明显的加速.     

ZnS:Zn,Pb蓝粉在低压阴极射线激发下的应用

通过对ZnS:Zn,Pb蓝色荧光粉进行表面包覆SiO₂以改善其稳定性;In₂O₃材料的适量混合,提高了荧光粉的导电性,降低了它的起辉电压。采用沉淀法制备荧光屏,考察了阳极电压和阳极电流对亮度以及衰减过程的影响,实验结果表明ZnS:Zn,Pb的性能优于ZnS:Ag,Cl和ZnS:Zn,可适用于FED等低压显示器。     

TFEL器件发光层的电场随外电压的变化

本文利用弗朗兹-凯尔迪效应研究了TFEL器件发光层中的电场随外加电压的变化。用此方法算得的发光层中的电场同把器件各层当作只起绝缘作用的电介质时算得的电场强度,虽然数量级相同,但数值上有差别,特别当外加电压达到发光阈值电压时,差别更为明显。     

Broadband spectral conversion due to cooperative and phonon-assistant energy transfer from ZnO to Yb3+

The broadband spectral conversion from near-UV absorption into near-infrared emission around 1???m is reported in the ZnO?CLiYbO₂ hybrid phosphor, which is the benefit from the efficient energy transfer from ZnO to the Yb³⁺ ions that are specifically located at the interfacial diffusion regions between ZnO and LiYbO₂, rather than those in LiYbO₂ crystals. The Li⁺-related and Yb³⁺-related defect energy levels are formed inside the ZnO band gap in the ZnO?CLiYbO₂ hybrid phosphor; the former act as the quenching centers for the excitons in ZnO and meanwhile the efficient energy donors for Yb³⁺ ions, and the latter are responsible for the red shift of ZnO visible emission when the excitation energy is lower than E _g. The excitation power dependence of Yb³⁺ emission intensities is measured to investigate the number of photons that are involved in the energy transfer process, which reveals that there are two channels for the sensitizing of Yb³⁺: One is due to the energy transfer by the recombination of electrons and holes, which is a cooperative energy transfer process, and the other is via the energy feeding from the Li⁺-related energy levels, which is a phonon-assistant energy transfer process.