使用定向偏角籽晶拉制无位错[111]硅单晶

半导体材料是制造半导体器件的基础,材料的质量直接影响器件的质量和可靠性．器件工艺要求提供超纯无缺陷的晶体．硅单晶中常见的并对器件性能影响较大的缺陷就是位错．因而硅单晶的拉制中很根本的一条,就是要求无位错．拉制无位错或低位错［１１１］硅单晶,现时普遍采用达什（Ｗ．Ｃ．Ｄａｓｈ）早年阐明的正［１１１］晶向籽晶缩颈技术［１］．我们研究和应用了向特定方向偏离一定角度的［１１１］定向偏角籽晶,配合适宜?...     

复式纤维束的拉制

纤维光学是科学技术领域中的新兴的学科,它是应用光学的新分支,近几年发展较为迅速。纤维光学系统因具有它特殊的传光导象本领,因而在光学、医学、电子学、核子物理学等方面获得了广泛的应用,它在社会主义国防建设及工农业生产中是很重要的一种光学元件。     

锥形光学纤维的拉制

锥形光学纤维用作导光元件,有使光束会聚或发散的作用,从而可以使光束加强或减弱;用作导象元件的锥形纤维束又有放大或缩小图象的作用;抛物形折射率分布的锥形纤维(锥形Selfoc)用在雪崩二极管上用以提高二极管的接收面积;近来还有人研究了通过锥形光学纤维将激光束偶合到纤维波导中的问题。制造锥形光学纤维或锥形纤维束,一般是将一根或一束套有折射率比它低的玻璃管的玻璃棒置入加热炉中,等这样的棒一管组合体到达软化温度后,将其一端固定,而用适当的钳具夹住另一端慢慢拉长。但是用这种方法连续生产是困难的。本文提出了一种简单的连续生产的方法。     

硅单晶缺陷及其控制

1824年发现了元素硅,1854年首次制得硅晶休[1].硅材料大量地应用于半导体器件还是本世纪六十年代的事情.近十几年来,硅单晶成为半导体科学技术领域的主要物质基础. 硅单晶中常见的晶体缺陷有位错、堆垛层错、旋涡缺陷(Swirl)等.一般地说,它们使硅器件性能变坏.譬如,引起杂质的不规则扩散或成为杂质的沉淀核心,从而引起器件反向漏电增大,软击穿、低击穿;对载流子起复合中心和散射中心作用,使少数载流子的寿命和迁移率下降,从而降低器件的放大系数、降低截止频率,增加噪声等等.本文仅就硅单晶中常见的缺陷及其控制问题作一简要地叙述. 一、硅…     

多模式拉制微纳光纤

搭建了基于火焰加热法的微纳光纤拉制装置,通过软件控制,实现了3种模式下的微纳光纤拉制.基于传统的单边拉制和双边拉制,引入了Flame brush拉制方式,增加了火焰加热区域.根据测量结果优化了拉制模式中的参量,成功拉制出传输损耗、束腰直径及束腰长度均良好的微纳光纤.     

生长硅单晶薄片的新工艺

为了降低太阳能电池的成本,减少直拉硅单晶切片的损失,近年来不少学者研究和发展了导模法硅单晶生长技术.利用导模把硅单晶拉成带状薄片,目前已经可以拉制5cm宽的均匀硅带.而且,在一个长型坩埚中连续加料,可同时拉制6条硅带,采用电视监示控制,成功地拉出了60多米长的硅带.美国M     

直拉硅单晶中的氧沉淀

目前世界上硅单晶材料中,９０％是用直拉（ＣＺ）方法生长的．在这种方法中,固相的石英坩埚与熔融的硅经历下列反应：Ｓｉ＋ＳｉＯ２→２ＳｉＯ（Ｉ）虽然在一般晶体生长温度（～１４２０℃）下,ＳｉＯ是挥发的,但是仍然会有相当多的氧保留在熔硅里,并通过固液界面进入晶体．通常的ＣＺ硅中含有～１０１８／ｃｍ３的氧（较ＦＺ硅高１－２数量级）．作为硅中的杂质,如果说碳的作用是在晶体生长阶段有助于微缺陷的形成,那?...     

用互馈法测异步电动机的效率

用互馈法测异步电动机的效率陶颐德（江西九江师范专科学校３３２０００）做异步电动机的效率和温升实验时要选配一个适当的负载，对于容量较大的电动机要找到一个较大的合适负载就很困难，而且消耗电能较多．如果用一台相同的或者差不多容量的电动机作为负载，那么不仅可...     

拉制光学纤维的高温石墨炉

本文介绍高温石墨炉在光纤拉制中的应用,以及炉体构造引起线径变化与光纤强度变化的某些因素。     

连续绝热法测比热

低温比热的测量,对基础理论和材料性质的研究都有重要意义.低温比热在提供费米面电子态密度和晶格振动的非谐性等信息方面,要求其测量值有较好的绝对精度;而研究结构相变以及缺陷、杂质的影响,则要求有较高的相对精度,特别是研究相变的临界行为,要求在很小温区内提供大量的数据点.因此为适应不同的研究需要.提出并发展了许多测量方法.1979年,Junod首先实现了由PID控制的连续绝热测量[1].与脉冲法比较,这种方法具有速度快和测量简便的优点,因此特别适合于研究物质的相变或比热反常.本文在 Junod工作基础上,通过引入微机控制及增加屏蔽腔和…     

减压充氮直拉硅单晶技术

硅单晶的生产方法有两种:一是悬浮区熔法(FZ),二是直拉切氏法(CZ).前者硅单晶纯度较高但单晶直径受到一定限制,后者已成为生长大直径硅单晶的主要方法.为保证产品质量,在采用直拉法时,必须使用保护气体在一定压力下生长晶体.氩为惰性气体中较为廉价的一种,因此采用氖保护气拉制硅单晶已成为国际上通行的技术和生产方法.更为廉价的氧、氮一直被视为会起化学反应而未被采用.浙江大学高纯硅及硅烷国家重点实验室研究了氮硅的化学反应,打破了国际公认的氮不能作直拉硅单晶保护气的观点,在国内外首创以纯氮作保护气,制备直拉硅单晶的整套技术.…     

连续法核磁共振实验的教与学

连续法核磁共振实验的教与学成音，王昱，朱永强，戴道宣（复旦大学物理系上海２００４３３）近一年来，我们在核磁共振这一重点实验的教改实践中，尝试采用三个层次相结合的新教学方法，即先指导学生独立调试出共振信号，然后研究弛豫特性，最后探索性地观测化学位移．在...     

安培力的连续演示法

载流导线在磁场中受安培力的作用是大学物理教学中的一个重要的内容．如果在课堂上加以演示，则会起到加深理解，增强记忆，激发学生学习兴趣的效果．已有的此类演示仪器按结构型式大体可分为三种．一种是导轨型，即将导线水平放置在导轨上并置于磁场中．当通电后，载流导线受安培力的作用沿导轨水平移动一小段距离而停止；一种是悬挂型，即将导线悬挂起来并置于磁场中．当通电后，载流导线受安培力作用离开平衡位置一小段距离而停止；第三种是旋转型即巴罗轮．通电后，巴罗轮可连续转动，它可以让学生连续观察，但要想让其有明显的连续转动…     

直拉硅单晶原生漩涡缺陷的研究

本文用化学腐蚀方法, 从含有漩涡缺陷的原生CZ硅单晶中分离出尺寸在1000--6000埃间的氧沉淀, 制成萃取复型样品,用T E M 对氧沉淀作微区电子衍射分析. 同时, 观察硅薄膜中漩涡缺陷的TEM 象, 确定了二者的对应关系. 结果表明, 构成漩涡缺陷的氧沉淀主要是呈方形片的热液石英(keatite, siliea k) 及少量呈六角片的。方英石(a-cristobalite ), 沉淀片周边沿<1 1 0> 方向, 惯习面前者的为{ 100} , 后者的为{ 1 1 1}. 样品的红外吸收光谱表明, 方片状热液石英沉淀可能与1 2 2 4 (1/cm ), 吸收峰相对应. 关键词：     

直拉硅单晶原生漩涡缺陷的研究

本文用化学腐蚀方法,从含有漩涡缺陷的原生CZ硅单晶中分离出尺寸在1000—6000?间的氧沉淀,制成萃取复型样品,用TEM对氧沉淀作微区电子衍射分析。同时,观察硅薄膜中漩涡缺陷的TEM象,确定了二者的对应关系。结果表明,构成漩涡缺陷的氧沉淀主要是呈方形片的热液石英(keatite,silicak)及少量呈六角片的α方英石(α-cristobalite),沉淀片周边沿<110>方向,惯习面前者的为{100},后者的为{111}。样品的红外吸收光谱表明,方片状热液石英沉淀可能与1224cm^-1吸收峰相对应。 关键词：     

硅单晶中铜沉淀物的几何形态

本文利用红外显微镜和化学浸蚀的方法,研究了硅单晶中铜沉淀物的几何形态。实验表明,用红外显微镜观察到的各种形态的沉淀物是由{110}面上的片状沉淀组成的,样品的性质对它的形态没有影响。 关键词：     

均匀弯曲硅单晶X射线衍射行为

本文研究均匀弯曲硅单晶的X射线衍射,实验得到的积分衍射强度随应变增强单调上升,与理论结果一致,在截面形貌上,Pendell?sung条纹的可见度随着应变的增强而降低,这反映了晶体内波场间相对强度差变大和波场轨迹的变化。 关键词：     

晶面偏角对利用Voigt函数法计算硅单晶本征晶格应变的影响

研究并制备了不同晶面偏角的Si(111)单晶,经过研磨和抛光使表面粗糙度低至3.4?达到超光滑水平,消除了表面和亚表面损伤层以及其所产生的应力变化.利用高精度X射线衍射仪分别测定了在不同晶面偏角条件下衍射曲线的半高全宽和积分宽度.应用Voigt函数法分析计算了微观应变,通过理论计算和实验对比可知,Si(111)单晶在晶面偏角达到0.749o时,偏角本身所带来的衍射峰半高全宽变化使计算出的应变值误差大于5%.研究结果为其他晶体类似研究提供了重要参考.