离子注入4H-SiC MESFET器件的夹断电压

考虑离子注入沟道和沟道深度的影响,提出了精确的离子注入4 H- Si C MESFET器件夹断电压的理论计算方法.注入浓度由蒙特卡罗模拟软件TRIM提取计算.研究了温度、外延层受主浓度、注入离子激活率对夹断电压的影响.     

离子注入4H-SiC MESFET器件的夹断电压

考虑离子注入沟道和沟道深度的影响,提出了精确的离子注入4H-SiC MESFET器件夹断电压的理论计算方法.注入浓度由蒙特卡罗模拟软件TRIM提取计算.研究了温度、外延层受主浓度、注入离子激活率对夹断电压的影响.     

半绝缘GaAs中EL2能级低温精细结构和光猝灭效应

本研究采用近红外光谱法和低温测量技术,获得了EL2能级的心内跃迁特征光谱和包括6个小峰的精细结构。探讨了心内跃迁与横向声学(TA)声子的耦合机理,系统观察了它的光猝灭效应,提出亚稳态模型,得出了由10K升温过程EL2能级近红外吸收与温度的依赖关系,确定了115K为亚稳态恢复至稳态的最低温度转变点。由实验结果提供的EL2能级内部结构的信息,提出EL2能级的理论模型。     

EL2能级和光电离截面的计算

我们采用EHT法计算了EL2缺陷模型的电子能级及其波函数,集团包含41个原子,用群论方法约化久期行列式。同时计算了该缺陷能级的光电离截面,计算结果与实验结果相符。     

砷化镓中EL2深能级结构模型的晶格振动态密度

介绍了目前比较流行的两种砷化镓EL2深能级结构模型,即Bourgoinde的As_(Ga)-As_i对模型和邹元爔的As_(Ga)V_(As)V_(Ga)三元络合物模型.分别计算了这两个模型的晶格振动态密度.为EL2深能级结构的最终确定提供了一些有用的信息.     

GaAs衬底深能级EL2与电路旁栅效应的光敏特征和迟滞现象

旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象可能与衬底深能级 (如EL2 )有密切的关系 ,通过减小衬底杂质补偿度有可能减轻旁栅效应影响。     

CoSi_2可望成为GaAs MESFET自对准工艺中的栅极材料

本文选用了Ｃｏ／Ｓｉ／ＧａＡｓ结构作为研究对象，经６００℃恒温退火及８００℃快速退火处理后，分别在ＧａＡｓ衬底上形成Ｃｏｓｉ２／ＧａＡｓＳｃｈｏｔｔｋｙ接触．采用多种薄膜和界面的测试技术，对ＣｏＳｉ２：／ＧａＡｓ的薄膜及界面特性进行了细致的研究．结果表明：热退大处理后，Ｃｏ／Ｓｉ经化学反应形成了较均匀的ＣｏＳｉ２单相，其薄膜电阻率约为３０μΩｃｍ．即使经９００℃的快速返火处理后，ＧａＡｓ界面仍保持相当的完整性，同时薄膜形貌也很理想．此外，采用Ｉ－Ｖ电学测试法对经７５０℃恒温退火处理后形成的ＣｏＳｉ２／Ｇａ     

改善GaAs MESFET性能的新途径

尽管ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ研制工艺已经成熟，但随着电子系统性能不断提高，对器件的要求也越来越高。本文介绍了用于改善ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ特性的几种新途径。     

掺In GaAs晶体中的EL2缺陷及其热处理

比较了掺Ｉｎ和非掺杂ＬＥＣ－ＧａＡｓ晶体中的ＥＬ２缺陷，分析了掺Ｉｎ量的不同与热处理过程的不同对ＬＥＣ－ＧａＡｓ晶体中ＥＬ２缺陷的影响。     

阶梯电压驱动场致发光器件的电路设计

阐述了阶梯状电压驱动方式的具体原理及其硬件实现电路,同传统的方波电压驱动原理相比较,使用阶梯状电压驱动方式可以使场致发光显示器件的耗能降低到传统方式的75%,最后介绍了阶梯状电压驱动方式的硬件电路设计。     

Observation of differences in the quenching of the Photocurrent in GaAs containing EL2 and EL0

The quenching of the photocurrent and photo-Hall effect of several undoped semi-insulating gallium arsenide samples has been measured and compared with the deep-level photoluminescence spectra from neighboring samples. Samples that show either EL2 (0.68 eV) or ELO (0.63 eV) photoluminescence have distinctly different photocurrent quenching behaviors. EL2 samples show a photocurrent decrease of several orders of magnitude, and a change fromn-type to p-type conduction during quenching at 80 K with 1.1 eV light. ELO samples show a reduction in photocurrent of less than an order of magnitude with no change in the carrier type at this temperature. Photo-Hall effect experiments at 80 K indicate that the conduction isn-type for the ELO samples, but changes fromn- to p-type during the quench for the EL2 samples. The temperature dependence of the quenching has also been studied. EL2 samples show little variation in the range 10-80 K, while ELO samples show significant quenching similar to EL2 after the temperature is reduced below 70 K. These results indicate that defects other than EL2 can significantly affect photocurrent quenching experiments.     

非掺杂半绝缘LECGaAs中电参数与碳浓度及EL2浓度的关系

利用范德堡方法和光吸收方法研究了非掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣＧａＡｓ 中电参数与碳（Ｃ）浓度及ＥＬ２ 浓度的关系。通过比较实验结果和理论计算结果发现，这种半绝缘晶体中除Ｃ外还存在其它受主在电补偿中起重要作用     

Accurate measurement of capture cross sections in deep level transient spectroscopy: Application to EL2 in GaAs

A rigorous formulation of capacitance changes during trap filling processes is presented and used to accurately determine the electron capture cross section of EL2 in GaAs at a particular temperature, 377K, in this case. The value, σ_n (377K) = 2.7 × 10⁻¹⁶ cm², is compared with that predicted from the emission dependence.     

未掺杂半绝缘GaAs中受主及电中性EL2分布的研究

测量了未掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣＧａＡｓ中总的、电中性的ＥＬ２及净受主浓度分布和碳分布。结果表明，总ＥＬ２浓度径向分布呈Ｗ形而不是均匀的，净受主浓度径向分布呈∧形或∩形而不是Ｍ形。电中性ＥＬ２的Ｗ形径向分布由总ＥＬ２浓度的Ｗ形径向分布决定，而不是由于净受主的不均匀分布。有些样品中净受主浓度远大于碳浓度．意味着这些样品中除碳外还存在高浓度的其它受主。     

非有意掺杂LEC SI GaAs中EL2分布特性的研究

测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘(SI)LEC GaAs中EL2浓度及其分布的变化,为了分析这一变化,还检测了位错和As沉淀的分布。在实验结果基础上,对EL2分布不均匀性的起源和热处理改善EL2分布均匀性的机理进行了讨论。     

热处理改善未掺杂LEC GaAs中EL2分布均匀性机理的研究

根据ＥＬ２分布的热处理行为和Ａｓ沉淀分布特征的实验结果，讨论了Ａｓ沉淀对ＥＬ２分布的影响和热处理改善ＥＬ２分布均匀性的机理。