基于MOSFET的大电流直流稳压器设计方案

为高输出电流设计直流稳压电源仍是一个非常关键而且困难的问题。提高78xx标准三端稳压器的最大输出电流的基本方法包括：并联多个三端稳压器，例如1A的78xx器件：使用外部旁路器件，比如BJT（双极性晶体管）器件，以及使用外部旁路器件（比如P沟道功率MOSFET）。并联的多个78xx设备可以很好地工作，但是在高输出电流时（例如50A），需要使用50个78xx器件，这可能不是最经济的方法，而且它的体积也是一个问题。     

稳压器的保护电路

人们往往忘记许多稳压器集成块输入的工作电压有上限值（通常为35V），这主要是固定输出电压集成块的要求。可调稳压器在输入和输出之间也有电压的最大值（通常为40V），输入电压之所以规定最大值，是因为一旦出现输出短路故障，输入电压就加到集成块的输入与输出之间，如果超过输入与输出之间规定的最大值，就会损坏器件。     

带短路保护的开关型稳压器

这是一个简单可靠的开关型稳压电路,电源的输入电压范围是25～40V,输出电压为24V,最大输出电流可达2A。一旦输出短路,输出电流可被立刻切断。     

提高功放限流精度的分流稳压器

把限流电路添加到功率放大器或线性稳压器的发射极跟随器输出级,就可保护输出晶体管和下游电路免受过大电流的损害。图1示出了经典的限流器电路晶体管Q_2检测     

过压保护稳压器和浪涌电流限幅器

LT4356-3是一个新的可选版本，在故障情况下可以锁断工作。它也是一个产品系列的最新成员，这个产品系列用来抑制高压浪涌和电流，以保护下游电子组件免受损坏。性能特点：电压范围为4～80V；可调输出钳位电压；     

一种恒定导通时间的开关电源过流保护电路设计

设计了一种适用于恒定导通时间Buck型DC-DC控制器的过流保护电路。采用两个不同限流门限技术,并对门限进行温度补偿。过流后,利用计数器对开关周期计数,当超过设定值持续过流时,实现门限降低,以达到更低的恒定输出电流。基于0.5μm BiCOMS工艺进行系统仿真验证,达到系统要求。     

36V、5A微型模块稳压器保护输入电源免受过流状况影响,并支持非对称功率均分

加利福尼亚州米尔皮塔斯(MILPITAS,CA)—2012年3月16日—凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出36 V输入、5 A降压型微型模块(μModule)稳压器LTM8026,该器件具可调和精准(±10%)的电流限制。该电流限制使设计师能设定从电源吸取的最大功率,从而防止由过流状况引起的输入电压下降。当配置多个LTM8026使其输出连接在一起时,能给     

可提供短路保护的浪涌限幅器

对于包含有大电容量的装置而言，控制浪涌电流成为一大难题。最简单的方法就是将浪涌限幅电阻器与电容器组串联，但电阻器会浪费功率并增加压降。图1所示电路解决了这一难题并能提供其它优势。在启动时，双极型PNP晶体管Q2使N沟道功率MOSFET晶体管Q1保持关断，直到电容器C1两端的电压高到足以关断Q2的电平为止。在此时间间隔内，电阻器R1为C1及电路其它元件提供启动电流。当Q2关断时，Q1导通并在R1两端提供一条低阻通道。当关闭外部电源时，电路随C1放电而复位。     

实现恒流LED驱动的高侧电流检测开关式稳压器

现有许多电路都适合用低电压源对LED进行恒流驱动。例如，参考文献1、2和3所示的电路都使用开关式稳压器IC和低电压源为LED提供LED电流。为了用参考文献2中的电路产生恒流输出，就要将稳压器IC配置成升压开关电源，并用一只电阻器检测LED串的低侧(即负返回支路)中的负载电流。这只检测电阻器产生的比例电压通过一个2．5V基准二极管，加到LT1300的检测输入端。     

低压差线性稳压器中过流保护电路的设计

设计了一种应用于低压差线性稳压器的过流保护电路.该电路结构简单,易于调整,功耗低,可采用0.5μmCMOS工艺实现.仿真结果表明,它可以把稳压器的最大输出电流限定在300mA,输出短路电流限定在40mA,能够实现过流保护的目的.     

MOSFET drain breakdown voltage

The grounded-gate or gate-assisted drain breakdown voltage of n-channel MOSFET's has been characterized for wide ranges of oxide thickness and substrate doping concentration. Two distinct regimes, one being channel-doping limited and the other being oxide-thickness limited, have been identified. We propose that these two regimes reflect two possible locations of breakdown-at the n+-p junction and in the deep-depletion layer in the n+ drain. They can be separated by their different breakdown voltage dependences on Vgand require different approaches to process improvement.     

MOSFET门极驱动电压的优化

电源设计人员通过正确匹配MOSFET在驱动时的门极驱动电压,有时能够获得额外的效率提高。采用较高的电压驱动MOSFET门极将导致较低的关联导通电阻Rds(ON),直到低至某一特定值。在众多高电流隔离式电源应用中我们可以发现,这对低电压高电流VRM设计以及控制驱动的同步整流器而言是十分有益的。在同步降压电源应用中,降低     

提供过电流和过电压保护的断路器

图1中的断路器仅需几个廉价的元件,即可对过电流和过电压故障状态进行反应.电路的核心是可调节的精密分路电压调节器D2,置在一只3引脚的封装中,提供了电压参考、比较器和集电极开路输出.     

开关电源过流保护电路设计研究

本文研究了电源过流电路设计方案和特点以及一些常见的开关电源过流保护方式,寻找到良好的保护电路设计。     

Integrated overcurrent protection system for class-D audio power amplifiers

A fully integrated overcurrent protection system is presented suitable for application in integrated class-D audio power amplifiers. Accurate overcurrent detection is used based on parallel measurement of the voltage drop across the DMOS power transistors. A logic circuit enables continuous current limiting during overload situations. Actual short circuits can be distinguished from load impedance minima using a simple short-circuit discrimination method.     

Nondestructive determination of MOSFET gate breakdown voltage

A method is presented which allows the gate breakdown of a MOSFET to be nondestructively determined. The method applies a linear ramp voltage across the gate, allowing the leakage component to be easily separated from the capacitive currents. In this manner, the leakage component can be measured before it becomes large enough to cause a destructive dielectric breakdown in the gate oxide.     

能改进动圈表头对小电流测量的MOSFET

以前曾经有一个设计实例介绍了用动圈模拟表头测量小于1A电流的十分有趣和有用的方法（参考文献1）。这种设计在表头运转的灵敏度和测量范围选择方面有相当好的灵活性．并且简化了分流电阻器的选择工作。虽然该设计使用了一支双极晶体管来驱动电表，但在某些情况下，MOSFET管会是更好的选择。原始电路中用一个压控电流吸收器来测量双极晶体管的射极电流．而用晶体管的集电极电流驱动模拟表头。双极晶体管的射极和集电极电流（分别是IE和IC）并不相等．原因是射极电流中还包含有基极电流IR。     

A simple and versatile overcurrent protection circuit for power MOSFETs

This paper proposes an overcurrent protection (OCP) circuit for power MOSFETs employed in low voltage power converters. The proposed configuration requires only discrete components with a gate driver IC and uses the voltage drop across the device for overcurrent detection. It can operate independently in cycle-by-cycle shutdown and multiple cycle shutdown modes. In coordination with a micro-controller based driver IC input signal generator and controller, the proposed OCP circuit can also operate in a single cycle latch-up and hiccup OCP modes. The performance of the proposed scheme is evaluated experimentally at both, hard and soft fault conditions. By experimentation, it is shown that the proposed circuit can operate in various protection modes and capable of protecting a MOSFET in both, hard and soft fault conditions.