E/D PMOS中的几种电路结构介绍

本文阐述了E/D PMOS工艺应用于电路设计的特点，重点分析几种常用的电路结构。     

PMOS电路组成的流量数控仪

本文介绍的仪表,实质是一种可以预置数发信的可逆计数器,它不同于一般的预置数发信的计数器的特点是:1.可以预置两个数,例如,第一个数为4000,第2个数为8,当输入脉冲达到4000-8=3992时,发出第一个信号,当达到4000时,发出第二个信     

新型的低高压MOS接口电路

本文介绍一种由八个高压MOS器件组成的低高压MOS接口电路.它采用与目前国际上先进的NMOS大规模集成电路工艺技术完全兼容的N阱硅栅等平面CMOS工艺,而不需要附加任何工艺步骤.本文描述了高压MOS器件的物理模型,介绍了器件结构和工艺设计,并给出了高压MOS器件的漏击穿电压时沟道长度、漂移区长度、离子注入剂量和延伸源场极的关系的实验结果.这种高压MOS器件的漏击穿电压最大可达400V(在零栅偏压时),最大饱和漏电流可达35mA(在栅压为10V时),而导通电阻低到600(?)(在栅压为10V时).     

从版图设计上改善PMOS电路稳定性

提高PMOS集成电路稳定性主要应改进制造工艺,但合理的版面设计是必要的先决条件。所谓合理,意味着设计要适合集成电路生产厂当时的厂房、设备、材料的条件。我厂目前生产的FM系列MOS集成电路中的40位高速动态移位寄存器系采用p沟道铝栅结构和非饱和负载方式,电源电压为-12伏,时钟脉冲幅度为0～-24伏,典型工作频率范围是1千赫～1兆赫,功耗为75毫瓦。但由于我们的工艺水平相对较低,使用单位     

PMOS管的低剂量率辐射损伤增强效应

研究了国产非加固PMOS管在不同剂量率条件下的电离辐照效应及较高剂量率辐照后的退火效应。研究表明,用较高剂量率辐照加退火不能达到其低剂量率辐照导致的阈电压漂移。因此PMOS管的电离辐照效应并非时间相关效应,而是低剂量率辐射损伤增强效应。     

16位R/D转换电路

本电路给出对一分相器(机电轴位置传感器)提供激励和用16位分辨力数字化所得到的转子信号的奇妙方法。电路用正弦和余弦波形驱动分相器的两组定子绕组,然后用PLL(IC_4)和16位分频器(级联的计数器IC_5和IC_6)转换转子输出。此转换率为60采样/秒。因为分相器定子信号是正交的,它们在分     

一种与双极型模拟电路兼容的低/高压MOS器件

本文介绍一种与双极IC电路技术完全兼容的低压(CMOS)/高压(VDMOS)器件设计与制备工艺。VDMOS器件阈电压:1～2伏(根据注入剂量调节),漏击穿电压大于150伏。V_(GS)=5V时其跨导大于10m(?),导通电阻小于200Ω,最大输出电流约800mA。同时得到的NPN器件其β≥250,BV_(ceo)≥65V,BV_(CBO)≥90V。CMOS器件性能也合乎要求。利用这种工艺可制作任何低压和高压双极/MOS器件,这对于功率集成、高低压转换与驱动、等离子体显示等方面应用会有很多实用价值。     

实用的真有效值/直流转换电路

在用微计算机对声学信号及其它信号进行检测和处理时,特别是在进行噪声、失真度及频谱纯度测量时,都要求测定交流信号的有效值。因为,只有交流信号的有效值才能反映出一个复杂波形的能量叠加关系。通常的交流有效值测量方法,如用热电偶及二极管分段逼近等,有转换特性的非线性、灵敏度低和动态范围小等缺点。采用微计算机经A/D后直接对交流信号的瞬时值采样,再由计算机进行平方、开方等数值运算而得到交流有效值,这一方法不仅在高频率和短时间信号时对A/D采样速率有较高的要求,而且难以实现对信号的实时测量与控制。这里介绍一种采用模拟乘法器的直接计算型的真有效值/直流电平线性(即RM8/DC)转换电路。用它作为A/D转换的前级电路,将大大降低对A/D采样速率的要求,同时可对信号作实时测量与控制。     

高稳定度矩形波/正弦波转换电路

本文介绍一种电路是把来自晶振产生的高频振荡信号经分频后送出的占空比为50%,变化周期上限为20KHz的时钟脉冲,转换为标准的正弦波信号,同时兼作正弦波信号放大传输通道.该电路适用于要求稳定性高的正弦波信号发生器.     

高稳定度矩形波/正弦波转换电路

本文介绍一种电路是把来自晶振产生的高频振荡信号经分频后送出的占空比为50%,变化周期上限为20KHz的时钟脉冲,转换为标准的正弦渡信号,同时兼作正弦波信号放大传输通道。该电路适用于要求稳定性高的正弦波信号发生器。电路原理如附图所示。三极管T1由时钟脉冲控制导通和截止,A点上输出的方波信号幅     

击穿18V的高压LDD PMOS器件的研制

从Synopsys TCAD的软件模拟出发，基于0．8μm标准CMOS工艺，通过重新设计高压N阱，以及优化器件LDD区域注入剂量，成功研制了栅长0．8μm击穿电压达到18V的LDD结构的高压PMOS器件，并实现了低高压工艺的兼容。研制的宽长比为18／0．8的PMOS器件截止电流在500pA以下，阚值电压为-1．5V，-10V栅压下饱和电流为-5．6mA，击穿电压为-19V。器件主要优点是关态漏电小，且器件尺寸不增加，不影响集成度，满足微显示像素驱动电路对高压器件的尺寸要求，另外与其他高压器件相比更容易实现，节约了成本。     

数字/频率、频率/数字转换电路的应用

介绍了数字／频率转换(D／F)一频率／电压转换(F／V)的数据发送方法和电压／频率转换(v／F)一频率／数字转换(F／D)的数据采集方法,并对D／F、F／D电路以及F／V、V／F电路进行了详细介绍。总结了相对于模拟／数字转换(A／D)、数字／模拟转换(D／A)的数据传送方式,D／F、F／D电路的优缺点。     

流水线视频A/D转换电路的研究

从流水线ADC工作原理出发,对误差进行了分析,指出了主要原因,介绍了数字校正技术和电容误差平均技术,并结合数字校正技术和电容误差平均技术提出了解决方法.     

优化键盘编码的A/D转换电路

将一个键控电阻分压器与ADC相连接,就能构成简单而且便宜的键盘编码器(图1)。这类电路特别适用于μC上带集成ADC部件的嵌入系统。为了达到键间最佳噪声容限,对电阻器要精心挑选,以获得均值的分压电平。为了满足图1所示电路的这种要求,必须用一套阻值各不相同但却是专门规定的电阻     

单/多踪示波器转换电路的设计

本文介绍一种单/多踪示波器转换电路的设计方法，工作原理，电路调整等注意事项。     

一种低纹波输出非标准正弦电流有效值转换电路

首先介绍了目前用于电流有效值转换的方法,分析了每种方法的特点,并以AD637芯片为核心搭建了典型应用电路,通过输入方波信号,发现其输出纹波含量较高,输出结果含有较大误差。在AD637典型应用电路的基础上搭建了基于Sallen-Key滤波电路的非标准正弦电流有效值转换电路,并通过优化滤波电路的参数,使得输出纹波含量降低为典型应用电路的10%以下,提高了非标准正弦电流信号有效值转换的精度。