水滑石晶须的制备研究

采用水热法制备水滑石晶须,主要研究了熟练温度和NaOH溶液浓度对水滑石晶须的影响。实验发现熟练温度为60℃,NaOH溶液浓度2.5 mol/L时,可生长出晶体状态良好的水滑石晶须。文中还研究了超声波对水滑石晶须的影响。研究表明,晶须状水滑石兼具氢氧化铝和氢氧化镁阻燃剂的优点,又克服了它们各自的不足,是无机阻燃剂的新品种。     

镁铝水滑石的水热法制备

以MgCl2和NaAlO2为主要原料,Na2CO3为沉淀剂,采用水热法成功地制备出分散性好、晶型完整、结构稳定的镁铝水滑石.利用扫描电子显微镜,X射线衍射技术手段以及分形理论,对镁铝水滑石的结构和形貌进行表征.表征结果显示,制得的锾铝水滑石具有须状外观结构,其直径为30～50 nm,长度为850～1 200 nm.初步认为其形成过程是一个成核并沿晶格延伸生长成晶须的过程.     

镀Ni硅酸钙镁晶须对屏蔽涂料电磁性能的影响

为了改善硅酸钙镁晶须的电磁性能,先用化学镀技术制备镀Ni硅酸钙镁晶须,将其与镍粉复合,制备了一种新型电磁波屏蔽涂料,并研究其电磁性能.结果表明:镀Ni硅酸钙镁晶须中Ni的质量分数为7.28%;其结构和形貌与镀前相比没有明显改变;屏蔽涂料中镀Ni硅酸钙镁晶须的最佳质量分数为4%,当涂层厚度为0.3 mm时,涂层的电阻率由2.40 Ω·cm降至1.43 Ω·cm;在0.3～1 000.0 MHz时,涂层的电磁屏蔽效能提高至35.082～41.924 dB.     

超细镁铝尖晶石凝胶注模用浆料的制备

研究了在凝胶注模用超细镁铝尖晶石浆料的制备工艺中,粉体粒度、pH值、分散剂等对浆料流变性、Zeta电位、粘度和稳定性的影响及作用机理。实验结果表明：相同剪切速率下,随着粉体粒径的减小,浆料粘度变大,稳定性提高。当浆料中不添加分散剂时,超细镁铝尖晶石浆料在酸性条件中的Zeta电位绝对值比在碱性条件下高。添加分散剂后,等电位点对应pH值向酸性方向移动,且随固相含量的提高,制备低粘度浆料所需分散剂百分含量越低。pH值和分散剂含量均存在最佳范围,过高和过低,浆料的流变性和稳定性均会变差。Zeta电位绝对值的大小仅仅是影响浆料稳定性的一个方面,如果分散剂过量,即使浆料颗粒Zeta电位绝对值很大,浆料也会产生团聚和絮凝。     

镁铝尖晶石陶瓷的高温Mo-Mn金属化机理研究

采用活化Mo-Mn法对镁铝尖晶石陶瓷进行了金属化封接实验,并通过对镁铝尖晶石陶瓷金属化层的显微结构及金属化层中元素在金属化层与陶瓷中分布情况的分析,探讨了镁铝尖晶石陶瓷的Mo-Mn金属化机理。研究发现,镁铝尖晶石瓷的金属化机理与目前较成熟的95%氧化铝瓷的金属化机理存在很大不同。镁铝尖晶石瓷金属化时,Mn元素沿晶界实现固相扩散迁移,固溶于瓷中,与镁铝尖晶石形成Mn:Mg Al2O4尖晶石相;同时,Mg元素沿晶界析出进入金属化层的玻璃相,填充于Mo海绵骨架中。     

高质量镁铝尖晶石单晶生长的研究

对制作微波延迟线用镁铝尖晶石单晶生长进行了研究，采用原料配比为ＭｇＯ：Ａｌ２Ｏ３＝１：１（ｍｏｌ），通过化学反应间接合成ＭｇＡｌ２Ｏ４多晶料，使用铱坩埚盛料，选用中频感应加热，在氩气中用提拉法以及合适的温场和最佳工艺参数，生长了出了高质量的镁铝尖晶石单晶，其性能达到微波器件使用要求。     

对类水滑石材料在近红外和远红外区域的伪装隐身的研究

用共沉淀法制备Mg/Al-LDH、Zn/Al-LDH和Zn/Mg/A1-LDH三种类水滑石填料,用IR-2双波段发射率测试仪测试3种类水滑石填料和树叶的发射率.测试结果得出,在8～14μm波段内3种类水滑石填料的发射率与树叶的发射率相似,且Zn/Mg/Al-LDH的发射率低于Mg/A1-LDH和Zn/Al-LDH的发射率.用UV-Vis-NIR分光度计测试这3种类水滑石填料的反射光谱.在780～2500nm波段内3种类水滑石反射光谱与植物叶片反射光谱的相似度达到95％以上.实验结果表明,这3类水滑石材料可以作为近红外及远红外伪装隐身材料.对Mg/A1-LDH,Zn/Al-LDH和Zn/Mg/Al-LDH进行了XRD,FT-IR、TG-DSC、SEM和EDS表征.     

镁/铝异种金属激光焊气孔形成原因研究

为了研究镁/铝异种金属激光焊接焊缝气孔的形成原因,对1.8mm厚AZ91镁合金和1.2mm厚6016铝合金板材进行了激光搭接焊试验。利用场发射扫描电镜及自带能谱仪,对镁/铝异种金属焊缝中存在气孔缺陷的平均区域、内部不同区域、周围区域以及母材的微观形貌与元素的分布情况进行了研究。结果表明,元素蒸发烧损、残留母材表面的氧化膜以及母材中存在的原始微气孔是镁/铝异种金属激光焊气孔产生的主要原因;采用添加材料激光焊接技术抑制元素蒸发烧损,焊前清除镁板和铝板上下表面的氧化膜,消除镁合金板材原始氢微气孔,是防止镁/铝异种金属激光焊气孔缺陷产生的重要措施。该研究对获得低气孔率镁/铝焊接接头及提高焊接质量是有帮助的。     

镁铝锌钇合金微结构的电子显微研究

添加适量稀土元素钇后,镁铝合金高温力学性能会得以改善.本文利用光学显微镜(OM)、X射线衍射仪(xRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM),对693K保温24h的Mg-9.0wt.％Al-2.2wt.％Zn-6.1wt.％Y铸态合金样品的微结构进行了研究.实验结果表明,显微组织相组成是基体α-Mg、晶界处γ-Mg17A12、晶胞内的Al2Y、Υ-Mg32(A1,Zn)49及Φ-Al5Mg11Zn4相.确定了Φ-A15Mg11Zn4相与αt-Mg基体间的取向关系是(10(10))α//(106)φ,[51053]α//[010]φ.     

碳化硅纳米晶须的制备研究进展

介绍了制备SiC纳米晶须的方法,包括:固相碳源法(电弧放电,电阻加热蒸发,SiOx薄膜生长及CNTS受限反应法),液相碳源法(sol-gel),及气相碳源法(浮动催化剂法,Fe纳米薄膜催化法)等。分析了各种方法的特点及存在的问题。对制备SiC纳米晶须的前景与发展方向进行了评述。     

外部应力型晶须抑制方法的研究

当电子工业中完全实现无铅化时,晶须问题成为新的悬念。关于Sn晶须的成长机理和抑制方法的研究已经遍及全世界。晶须发生和成长被认为是Sn镀层上的压缩应力引起的。晶须分为内部和外部应力型。文章通过压缩负荷试验研究了外部应力型晶须的抑制方法。这种方法是Sn表面镀层和Cu上的Ni基底镀层之间介入薄Au镀层。结果发现镀Sn以后不久就形成了金属间化合物AuSn4,Au镀层有效地减轻了Sn晶须的数量,缩短了Sn晶须的长度。     

外部应力型晶须的抑制方法

概述了晶须的历史,晶须发生成长机理,外部应力型晶须的特征,晶须抑制方法和晶须国家计划等。     

元器件纯锡镀层表面晶须风险评估与对策

讨论了各种锡晶须的形态以及其长度的具体测量方法,并在试验研究的基础上进一步分析抑制非光滑(哑光)纯锡镀层上锡晶须生长的对策.研究结果表明,增加锡镀层厚度(＞7 μm),或通过使用添加剂来产生更加粗糙的表面以适当增大晶粒尺寸,电镀完成后及时进行退火程序是进一步减轻雾锡镀层上锡晶须困扰的有效手段.如果引入Ni作为中间镀层,则需要达到一定的厚度(估计＞0.7 μm),方可达到预期的效果.     

Effect of Pulse-Plated Nickel Barriers on Tin Whisker Growth for Pure Tin Solder Joints

We investigate the influence of pulse-plated Ni barriers, compared to direct current (DC)-plated Ni barriers, on the growth of Sn whiskers in laminated Cu/Ni/Sn samples. The results indicate that the pulse-plated Ni barriers exhibit much better resistance to Sn whisker growth than the DC-plated Ni barriers, i.e., when exposed to ambient of 60°C and 93% relative humidity (RH) for 40 days only a few small hillocks were observed as opposed to the long whiskers and large nodules of Sn for the DC-plated Ni barriers. The underlying mechanisms are addressed based on the texture characteristics of the plated Ni and Sn layers and the formation of intermetallic compounds.     

离散阵的W—S综合法－Woodward法改进

本文给出的Ｗ—Ｓ综合法，利用样本函数的性质，对Ｗｏｏｄｗａｒｄ法进行了改进，用较少的单元就可以综合出相同效果的方向图。若单元数目相同，Ｗ－Ｓ法综合的方向图更逼近样本函数，且天线的波瓣较窄，增益较高。     

Mg：Zn：LiNbO3晶体光损伤和倍频性能的研究

以Czochralski技术生长Mg(3%):Zn:(x%):LiNbO3(x=1,2,3)(摩尔分数).测试晶体光损伤阈值,Mg(3%): Zn(3%):LiNbO3晶体光损伤阈值比LiNbO3晶体提高了2个数量级以上.测试晶体红外光谱Mg(3%):Zn(3%);LiNbO3晶体OH-吸收峰位置由LiNbO3的3 482 cm-1移到3 532 cm1,即晶体掺杂达到阈值浓度.采用角度匹配,测试晶体的倍频转换效率.激光功率密度很高时,晶体出现暗迹,倍频转换效率下降,暗迹是由倍频光引起,与基频光无关.氧化的晶体可以减弱暗迹.对晶体光损伤阈值的增强,OH-吸收峰的移动,暗迹产生的机理进行阐述和研究.     

Al掺杂半导体Mg2Si薄膜的制备及电学性质

采用磁控溅射方法和热处理工艺在Si衬底上制备了不同Al质量分数的Mg2Si薄膜,研究了不同Al质量分数对Mg2Si薄膜结构及其电学性质的影响.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和四探针测试仪对Al掺杂Mg2Si薄膜的晶体结构、表面形貌和电学性质进行表征和分析.结果表明:采用磁控溅射技术在Si衬底上成功制备了不同Al质量分数的Mg2Si薄膜,样品表面表现出良好的连续性,在Mg2Si (220)面具有择优生长性.随着质量分数的增加,结晶度先增加后降低,晶粒尺寸减小,且在Al质量分数为1.58％时结晶度最好.此外,样品电阻率也随着Al质量分数的增加逐渐降低,表明Al掺杂后的Mg2Si薄膜具有更好的导电性,这对采用Mg2Si薄膜研制半导体器件有着重要的意义.