四氢生物蝶呤对大鼠纹状体中单胺类神经递质

四氢生物蝶呤(BH₄)是生物体内单胺类神经递质合成过程中所需要的一种重要辅酶. 文中以Pt-Pd纳米修饰电极作为液相色谱电化学检测器, 采用高效液相色谱-电化学检测和微渗析活体取样技术, 研究了外源性的四氢生物蝶呤对大鼠纹状体中单胺类神经递质的影响. 研究表明外源性的BH₄能提高大鼠纹状体中单胺类神经递质多巴胺(DA)、5-羟色胺(5-HT)及其代谢产物5-羟吲哚乙酸(5-HIAA)和高香草酸(HVA)的含量, 并进行了药物动力学分析, 探讨了BH4和单胺类神经递质浓度与时间的变化, 为一些神经疾病的病理学、药理学研究提供了新的分析手段.     

碳纳米管/聚吡咯修饰电极用于液相色谱测定帕金森大鼠脑中神经递质

制备了碳纳米管/聚吡咯复合修饰电极,研究了多巴胺等单胺类神经递质在该修饰电极上的电化学行为.将此修饰电极作为电化学检测器,与高效液相色谱联用,测定了脑中7种神经递质及其代谢产物.结果表明:去甲肾上腺素、肾上腺素、多巴胺和5-羟色胺的线性范围为5.0×10(-10)～1.0×10(-5)mol/L;3,4-二羟基苯乙酸,...     

铂微粒/聚3-甲基噻吩修饰电极测定对苯二酚

采用电化学聚合和电化学沉积法制备了负载铂微粒的聚3-甲基噻吩(P3MT)修饰玻碳电极(Pt/P3MT/GCE)。通过循环伏安法研究了对苯二酚在该电极上的电化学行为,并优化了实验参数,在此基础上建立了一种用微分脉冲伏安法直接测定对苯二酚的方法。在酸性溶液中,对苯二酚的氧化峰电流与其浓度在1.0×10-5~8.0×10-3mol·L-1的范围内呈良好的线性关系(r=0.9992),检测限为1.0×10-6mol·L-1,水样中对苯二酚的加标回收率在98%~104%之间。     

四氢生物蝶呤对大鼠纹状体中单胺类神经递质影响的液相色谱-电化学检测研究

四氢生物蝶呤(BH4)是生物体内单胺类神经递质合成过程中所需要的一种重要辅酶. 文中以Pt-Pd纳米修饰电极作为液相色谱电化学检测器, 采用高效液相色谱-电化学检测和微渗析活体取样技术, 研究了外源性的四氢生物蝶呤对大鼠纹状体中单胺类神经递质的影响. 研究表明外源性的BH4能提高大鼠纹状体中单胺类神经递质多巴胺(DA)、5-羟色胺(5-HT)及其代谢产物5-羟吲哚乙酸(5-HIAA)和高香草酸(HVA)的含量, 并进行了药物动力学分析, 探讨了BH4和单胺类神经递质浓度与时间的变化, 为一些神经疾病的病理学、药理学研究提供了新的分析手段.     

微渗析活体取样-高效液相色谱电化学检测法测定鼠脑中的单胺类神经递质

采用微渗析活体取样技术和高效液相色谱电化学检测法,测定了鼠脑纹状体中的3种单胺类神经递质多巴胺(DA)、3,4二羟基苯乙酸(DOPAC)和5羟吲哚乙酸(5HIAA)。在3.0×10-8～1.0×10-5mol/L浓度范围内,DA、DOPAC和5HIAA的浓度分别与氧化峰的峰电流呈良好的线性关系。通过在灌流液中加入1.0×10-5mol/L的NO释放剂硝普钠(SNP),研究了NO对DA释放的影响,结果表明:受NO刺激后纹状体中DA的量为基础水平的150%。     

聚3-甲基噻吩及聚3-己基噻吩修饰钛酸盐纳米管的光电化学性能研究

采用水热法制备了钛酸盐纳米管, 并将钛酸盐纳米管制备成纳米结构电极进行光电化学研究. 钛酸盐纳米管产生阳极光电流, 具有n-型半导体特性. 结果表明, 聚3-甲基噻吩[poly(3-methylthiophene), PMeT]、聚3-己基噻吩[poly(3-hexylthiophene), P3HT]修饰钛酸盐纳米管后产生的光电流均较纯钛酸盐纳米管的光电流高, 且使产生光电流的波长向长波区移动. 钛酸盐纳米管/PMeT、钛酸盐纳米管/P3HT的光电转换效率分别达11.40%, 0.91%(未校正光子损失). 钛酸盐纳米管/PMeT的光电转换效率较钛酸盐纳米管/P3HT的光电转换效率高10.5%. 钛酸盐纳米管/PMeT、钛酸盐纳米管/P3HT中存在p-n异质结, 在一定条件下p-n异质结的存在有利于光生电子/空穴的分离.     

微透析活体取样与高效液相色谱-电化学检测法联用测定帕金森大鼠脑中神经递质

建立了一种微透析活体取样与高效液相色谱-电化学检测法联用技术测定自由活动大鼠脑中7种单胺类神经递质的方法.高效液相色谱采用Aglient XDB-C18柱,流动相为pH 3.0的0.1 mol/L H3PO4-NaH2PO4缓冲液与甲醇的混合液(90:10,V/V),流速为0.3 mL/min,电化学检测的工作电极为玻...     

高效液相色谱-电化学检测法研究大蒜素对百草枯中毒小鼠脑组织中单胺类神经递质含量的影响

建立了单胺类神经递质的高效液相色谱-电化学检测方法,探讨了大蒜素对百草枯中毒小鼠脑组织内的单胺类神经递质及其代谢产物的影响。健康ICR小鼠随机分为4组：正常对照(Con)组、大蒜素(DAS)组、百草枯染毒(PQ)组和大蒜素治疗(PQ+DAS)组,每组6只。PQ组灌胃PQ35mg/kg建立中毒模型,Con组和DAS组灌服同体积生理盐水。DAS组和PQ+DAS组小鼠于造模2、26、50h后腹腔内各注射1次DAS(25mg/kg),PQ组和正常组小鼠腹腔内注射等量无菌生理盐水。造模12h后处死小鼠。收集小鼠脑组织样品并称重,处理后进样。色谱分析采用Acclaim120C18(150mm×2.1mm,3μm)色谱柱,以离子对缓冲盐溶液-甲醇(93∶7,体积比)为流动相,流速为0.27mL/min;电化学检测器检测,工作电压为450mV。结果表明,与正常组和DAS组比较,PQ组部分神经递质水平降低;DAS治疗后能够改变上述生化指标的变化;与PQ组相比,PQ+DAS组神经递质含量增高,差异均具有统计学意义(P<0.05)。脑组织样品中5-HT、DA、5-HIAA、DOPAC和HVA低、中、高3水平的加标回收率均为79.8%~112.1%,相对标准偏差(RSD)小于10%。实验表明,大蒜素对百草枯中毒后小鼠体内含量降低的神经递质有明显的上调作用。     

微柱液相色谱-双电极电化学法测定脑微透析液中单胺类递质的含量

用微柱液相色谱－双工作电极电化学检测法,分析了麻醉大白鼠纹状体微透析样品中的单胺类递质及其代谢产物的含量。无论在上游的氧化电位或下游的还原电位进行检测,至少在２～２００ｐｇ范围内,浓度与响应的线性关系良好,检测极限可达１ｐｇ以下。对于检测的优点和需要注意的问题作了扼要的讨论。     

聚3-氯噻吩修饰CdSe纳米棒复合膜电极光电化学性能研究

采用水热法制备了具有闪锌矿和纤维锌矿结构的CdSe纳米棒. 纳米棒直径约为100 nm, 长度约为300 nm. 当外加电极电势为-0.6 V 时, 经聚3-氯噻吩[Poly(3-chlorothiophene), P3CT]修饰的CdSe纳米棒具有最大光电流, 并且CdSe/P3CT复合膜电极最高光电转换效率(IPCE)为13.5%, 低于CdSe纳米棒膜电极17.7%的最高IPCE. CdSe/P3CT复合膜电极中存在p-n异质结, p-n异质结的存在使得CdSe/P3CT复合膜电极在长波区(>410 nm)的IPCE整体高于CdSe纳米棒薄膜电极的IPCE.     

DNA／聚（3-甲基噻吩）复合膜修饰电极的制备及其应用于研究8-羟基-2＇-脱氧鸟嘌呤核苷的伏安行为及测定

首先通过电聚合方法在玻碳电极表面制备了聚（3-甲基噻吩）（P3MT）修饰膜,然后在一定电位下将DNA分子电沉积到P3MT表面,制备了DNA／（P3MT）复合膜修饰玻碳电极．研究了8-羟基-2’-脱氧鸟嘌呤核苷（8-OH-dG）在该复合膜修饰电极上的伏安行为以及扫描速度、pH值和尿酸对其伏安行为和检测的影响．实验结果表明,该复合膜修饰电极结合了P3MT和DNA两者的优点,使8-OH-dG在复合膜修饰电极上的电化学行为明显改善,而且具有很好的重现性和稳定性．在0．1mol／LpH7．0的磷酸盐缓冲溶液（PBS）中,8-OH-dG的氧化峰电流与其浓度在0．28～4．2μmol／L和4．2～19．6μmol／L两个范围内成良好的线性关系,检出限为56nmol／L（S／N=3）．该研究可以为制备HPLC或毛细管电泳电化学检测器检测8-OH—dG打下一定的基础,因此在检测尿样中8-OH-dG的研究方面具有潜在的应用价值．     

聚3-甲基噻吩修饰量子点硫化铅连接TiO2纳米结构膜的光电化学研究

采用原位化学法在纳米结构TiO2电极上制备了量子点PbS(Q-PbS), 并用电化学方法在TiO2/Q-PbS表面聚合3-甲基噻吩[poly(3-Methylthiophene), PMeT]. 研究结果表明, PMeT和Q-PbS单独修饰纳米结构TiO2电极和PMeT修饰Q-PbS连接纳米结构TiO2电极的光电流产生的起始波长都向长波方向移动; 在可见光区光电转换效率均比纳米结构TiO2的光电转换效率提高显著; PMeT与Q-PbS修饰的纳米结构TiO2之间存在p-n异质结. 在一定条件下p-n异质结的存在有利于光生电子/空穴的分离, 提高了光电转换效率.     

纳米结构TiO2/聚3-己基噻吩多孔膜电极光电性能研究

用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/聚3-己基噻吩(ITO/ P3HT)膜和纳米结构TiO2/聚3-己基噻吩(TiO2/P3HT)复合膜的光电转换性质. 结果表明, P3HT膜的禁带宽度为1.89 eV, 价带位置为－5.4 eV. 在ITO/TiO2/ P3HT复合膜电极中存在p-n异质结, 在一定条件下异质结的存在有利于光生电子-空穴对的分离. P3HT修饰ITO/TiO2电极可使光电流发生明显的红移, 从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率.     

聚3-甲基噻吩修饰硫化物量子点连接纳米结构TiO2膜的光电化学研究

采用原位化学法在纳米结构TiO₂膜上制备了量子点CdS, PbS (Q-CdS, Q-PbS), 并用电化学方法在TiO₂/Q-CdS, TiO₂/Q-PbS表面聚合3-甲基噻吩[poly(3-Methylthiophene, PMeT)]. 用光电化学方法研究了PMeT修饰Q-CdS, Q-PbS连接TiO₂纳米结构膜, 实验结果表明, PMeT和Q-CdS, Q-PbS单独修饰纳米结构TiO₂电极和PMeT修饰Q-CdS, Q-PbS连接纳米结构TiO₂电极的光电流产生的起始波长都向长波方向移动; 一定条件下在可见光区光电转换效率均较纳米结构TiO₂的光电转换效率有明显的提高; 聚3-甲基噻吩(PMeT)与Q-CdS, Q-PbS连接的纳米结构TiO₂之间存在p-n异质结. 在一定条件下p-n异质结的存在有利于光生电子/空穴的分离, 在本文实验条件下PMeT修饰Q-CdS, Q-PbS连接纳米结构TiO₂电极最高的单色光的光电转换效率分别为11%和7%.